概述

ADRF5160 是一款硅基高功率 0.7 GHz 到 4.0 GHz 硅單刀雙擲 (SPDT) 反射開關(guān)，采用無(wú)引線的表面安裝式封裝。此開關(guān)適用于高功率和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，例如長(zhǎng)期演進(jìn) (LTE) 基站。ADRF5160 具有 41 dBm 的高功率處理能力（長(zhǎng)期（>10 年）典型平均值 8 dB PAR LTE）、0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz 的低插入損耗、70 dBm 的輸入 3 階交調(diào)點(diǎn) (IP3)（典型值）和 47 dBm 的 0.1 dB 壓縮點(diǎn) (P0.1dB)。片內(nèi)電路使用 5 V 的單一正電源工作，典型電源電流為 1.1 mA，使得 ADRF5160 成為基于 Pin 二極管的開關(guān)的理想替代方案。

ADRF5160 采用符合 RoHS 指令的緊湊式 32 引腳 5 mm × 5 mm LFCSP 封裝。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5160 0.7 GHz至4.0 GHz高功率88W峰值硅SPDT反射開關(guān)技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施
• 軍事和高可靠性應(yīng)用
• 測(cè)試設(shè)備
• Pin 二極管替代方案
  特性
• 反射式 50 ? 設(shè)計(jì)
• 低插入損耗：0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz
• TCASE= 105°C 下具有高功率處理能力
  • 長(zhǎng)期（>10 年）平均值
    • 連續(xù)波功率：43 dBm
    • 峰值功率：49 dBm
    • LTE 平均功率 (8 dB PAR)：41 dBm
  • 單一事件（<10 秒）平均值
    • LTE 平均功率 (8 dB PAR)：44 dBm
• 高線性度
  • P0.1dB：47 dBm（典型值）
  • IP3：70 dBm（典型值）
• ESD 額定值
  • HBM：4 kV（3A 級(jí)）
  • CDM：1.25 kV
• 單一正電源：5 V
• 正控制，CMOS/TTL 兼容
• 32 引腳 5 mm × 5 mm LFCSP 封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5160-EVALz可以承受器件工作的高功率水平和溫度。ADRF5160-EVALZ評(píng)估板由八層金屬層和層間電介質(zhì)構(gòu)成，如圖13所示。每個(gè)金屬層具有1盎司(1.3密耳)的銅厚度，并且外層被電鍍到2盎司。頂部介電材料為10密耳Rogers RO4350，具有較低的導(dǎo)熱系數(shù)，可控制電路板的溫升。其他金屬層之間的電介質(zhì)為FR4。整個(gè)板的厚度為62密耳。

頂部銅層具有所有RF和dc走線。其他七層提供足夠的接地，有助于處理ADRF5160-EVALZ的溫升。此外，在傳輸線路周圍和封裝裸露焊盤下方提供過(guò)孔，如圖15所示，以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)纳峤拥?。板上的RF傳輸線路采用共面波導(dǎo)設(shè)計(jì)，寬度為18密耳，接地間距為13密耳。
為確保最大散熱并降低電路板上的溫升，一些應(yīng)用考慮因素至關(guān)重要。評(píng)估板必須連接到板底部的銅支撐板上。ADRF5160-EVALZ附帶此支撐板附件。在所有高功率操作期間，使用散熱膏將該評(píng)估板及其支撐板連接到散熱器上。圖14顯示了板溫度。RF功率輸入在上述條件和注意事項(xiàng)下進(jìn)行測(cè)試(評(píng)估板和支撐板連接到散熱器)。在高達(dá)48 dBm的RF功率輸入下，溫升小于8 ℃,在高功率水平下工作時(shí)可提供所需的散熱。