LP38851-ADJ 是一款大電流、快速響應(yīng)穩(wěn)壓器，能夠以極低的輸入至輸出電壓降保持輸出電壓調(diào)節(jié)。該器件采用 CMOS 工藝制造，采用兩種輸入電壓工作：V偏見提供電壓以驅(qū)動(dòng) N-MOS 功率晶體管的柵極，而 V在是為負(fù)載供電的輸入電壓。使用外部偏置軌允許該器件在超低 V 電壓下工作在電壓。與雙極穩(wěn)壓器不同，CMOS 架構(gòu)在任何輸出負(fù)載電流下都消耗極低的靜態(tài)電流。使用 N-MOS 功率晶體管可實(shí)現(xiàn)寬帶寬，但需要最小的外部電容來保持環(huán)路穩(wěn)定性。
*附件：lp38851 800 mA快速響應(yīng)高精度可調(diào)LDO線性寄存器w- Enable & Soft-Start數(shù)據(jù)表.pdf

該器件的快速瞬態(tài)響應(yīng)使其適合用于為 DSP、微控制器內(nèi)核電壓和開關(guān)模式電源后置穩(wěn)壓器供電。該器件采用 PSOP 8 引腳、SFM 7 引腳和 TO-263 7 引腳封裝。

• 壓差電壓： 800 mA 負(fù)載電流時(shí)為 115 mV（典型值）
• 低接地引腳電流： 800 mA 負(fù)載電流時(shí)為 10 mA（典型值）
• 軟啟動(dòng)： 可編程軟啟動(dòng)時(shí)間
• 精密 ADJ 電壓：T 為 ±1.5% J = 25°C，0°C ≤ T 為 ±2.0% J ≤ +125°C，適用于所有線路和負(fù)載條件

特性

• 可調(diào) V外范圍為 0.80V 至 1.8V
• 寬 V偏見電源工作范圍為 3.0V 至 5.5V
• 可穩(wěn)定采用 10μF 陶瓷電容器
• 800 mA 負(fù)載電流時(shí)的壓差為 115 mV（典型值）
• 精密 V調(diào)整在所有線路和負(fù)載條件下：
  • ±1.5% 電壓調(diào)整用于 T J = 25°C
  • ±2.0% 電壓調(diào)整用于 0°C ≤ T J ≤ +125°C
  • ±3.0% V 電壓調(diào)整適用 -40°C ≤ T J ≤ +125°C
• 過溫和過流保護(hù)
• 采用 8 引腳 SO PowerPad、
  7 引腳 SFM 和 7 引腳 PFM 封裝
• ?40°C 至 +125°C 工作結(jié)溫范圍

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?型號(hào)?：LP38851-ADJ
• ?類型?：快速響應(yīng)、高精度可調(diào)LDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）
• ?輸出電流?：最大800mA
• ?特性?：具有使能（Enable）功能和軟啟動(dòng)（Soft-Start）功能

2. 主要特性

• ?輸出電壓范圍?：0.80V至1.8V（可調(diào)）
• ?輸入電壓范圍?：3.0V至5.5V（V_BIAS供電）
• ?壓差電壓?：115mV（典型值，在800mA負(fù)載下）
• ?高精度?：V_ADJ精度為±1.5%（T_J=25°C），±2.0%（0°C≤T_J≤+125°C），±3.0%（-40°C≤T_J≤+125°C）
• ?低靜態(tài)電流?：10mA（典型值，在800mA負(fù)載下）
• ?過溫和過流保護(hù)?
• ?封裝類型?：SO PowerPad、SFM、PFM等多種封裝

3. 電氣特性

• ?線性調(diào)整率?：根據(jù)輸入電壓和偏置電壓的不同，范圍在-0.04%至-0.10%/V
• ?負(fù)載調(diào)整率?：-0.2%/A
• ?軟啟動(dòng)時(shí)間?：通過外部電容C_SS調(diào)整，典型值為700μs（C_SS=10nF）
• ?使能閾值?：V_EN(ON) = 1.25V（典型值），V_EN(OFF) = 0.90V（典型值）
• ?關(guān)機(jī)電流?：I_GND(IN) = 1μA（V_EN≤0.5V），I_GND(BIAS) = 100μA（V_EN≤0.5V）

4. 功能描述

• ?使能功能?：通過EN引腳控制穩(wěn)壓器的開啟和關(guān)閉，具有100mV的遲滯電壓以增強(qiáng)噪聲免疫力
• ?軟啟動(dòng)功能?：通過SS引腳和外部電容C_SS實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)，減少啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊
• ?輸出電壓調(diào)整?：通過外部電阻R1和R2設(shè)置輸出電壓，公式為V_OUT = (R1+R2)×V_ADJ / R2

5. 應(yīng)用指南

• ?外部電容?：推薦使用X5R或X7R類型的陶瓷電容作為輸入和輸出電容，以及1μF或更大的電容作為偏置電容
• ?布局建議?：輸入和輸出電容應(yīng)盡可能靠近IC放置，以減少噪聲和干擾
• ?熱管理?：根據(jù)功耗和環(huán)境溫度選擇合適的封裝和熱沉，確保結(jié)溫不超過最大允許值

6. 封裝與熱信息

• ?熱阻?：提供不同封裝類型的熱阻信息，包括θ_JA（結(jié)到環(huán)境）和θ_JC（結(jié)到外殼）
• ?封裝選項(xiàng)?：包括SO PowerPad、SFM、PFM等多種封裝類型，滿足不同應(yīng)用需求