GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊(cè)
GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT，屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸；即使在1MHz的高頻段，電源效率也可達(dá)到96.5%以上。另外，通過采用通用性高的DFN封裝，不僅散熱性能出色，還非常易于安裝。
*附件：GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
特點(diǎn)
- E-mode
- 使用 DFN 封裝，可靠且易于使用
- 高門極電壓最大額定值 8V
- 非常高的開關(guān)頻率
主要規(guī)格
- 型號(hào) | GNE1008TB
- 封裝 | DFN5060
- 包裝形態(tài) | Taping
- 包裝數(shù)量 | 2500
- 最小獨(dú)立包裝數(shù)量 | 2500
- RoHS | Yes
絕對(duì)最大額定值
電氣特性
反向傳導(dǎo)電氣特性
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） ，導(dǎo)通電阻 70mΩ，柵極電荷 5.2nC。 *附件：GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 主要規(guī)格 型
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