GNE1040TB是柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaNHEMT。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列,該系列產(chǎn)品通過(guò)更大程度地激發(fā)低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能,助力應(yīng)用產(chǎn)品更節(jié)能和小型化。GNE1040TB的電源效率在1MHz的高頻段也高達(dá)96.5%以上。另外,該產(chǎn)品采用支持大電流且具有出色散熱性的通用型DFN封裝,這使得安裝工序的操作更容易。采用DFN5060 封裝,屬于 150V 增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET),具有高柵極電壓額定值,DFN 封裝使其可靠且易用。
*附件:GNE1040TB柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
特點(diǎn):
- E-mode
- 使用 DFN 封裝,可靠且易于使用
- 高門(mén)極電壓最大額定值8V
- 非常高的開(kāi)關(guān)頻率
主要規(guī)格
- 型號(hào) | GNE1040TB
- 封裝 | DFN5060
- 包裝形態(tài) | Taping
- 包裝數(shù)量 | 2500
- 最小獨(dú)立包裝數(shù)量 | 2500
- RoHS | Yes
絕對(duì)最大額定值
電氣特性
測(cè)量電路和波形
-
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
2137瀏覽量
75798 -
HEMT
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
73瀏覽量
13121 -
DFN封裝
+關(guān)注
關(guān)注
1瀏覽量
14019
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品
ROHM開(kāi)發(fā)出針對(duì)150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術(shù)

H6203G 國(guó)產(chǎn)150V高耐壓降壓芯片 100V轉(zhuǎn)3.3V 100V轉(zhuǎn)5V 100V轉(zhuǎn)12V
SL3038耐壓150V200V降壓恒壓IC資料
SL3038降壓恒壓 寬電壓150V耐壓 80V降壓5V2A 60V降壓12V
ROHM確立150V耐壓GaN器件量產(chǎn)體制 Danfoss在中國(guó)量產(chǎn)電機(jī)
ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT
100A、150V耐壓MOS管SVGP157R5NT參數(shù)
上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹

ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊(cè)

評(píng)論