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金屬基板 | 全球領(lǐng)先技術(shù)DOH工藝與功率器件IGBT熱管理解決方案

向欣電子 ? 2025-03-09 09:31 ? 次閱讀
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DOH:Direct on Heatsink,熱沉。

DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問(wèn)題提升產(chǎn)品良率及使用壽命。

金屬基板(Metal Core Printed Circuit Board, MCPCB)是一種以金屬材料(如鋁、銅)為基體的特殊印制電路板,其核心設(shè)計(jì)目標(biāo)是通過(guò)金屬的高導(dǎo)熱性實(shí)現(xiàn)高效散熱,廣泛應(yīng)用于高功率電子設(shè)備、LED照明、汽車電子等領(lǐng)域。以下是其詳細(xì)定義、結(jié)構(gòu)組成及核心特性:


一、金屬基板的定義

金屬基板是一種由金屬基底層絕緣層電路層(覆銅層)組成的復(fù)合板材。與傳統(tǒng)FR-4玻纖板不同,其基體為金屬(如鋁或銅),通過(guò)絕緣層實(shí)現(xiàn)電路與金屬基底的電氣隔離,同時(shí)利用金屬的高導(dǎo)熱性快速傳導(dǎo)熱量。


二、結(jié)構(gòu)組成

金屬基層

材料:常用鋁(Al 5052、Al 6061)或銅(純銅、銅合金),厚度通常為0.5~5mm。

作用:核心散熱介質(zhì),快速將熱量從電路層傳導(dǎo)至外部環(huán)境或散熱器。

絕緣層

材料:環(huán)氧樹(shù)脂(普通型)、陶瓷填充聚合物(高導(dǎo)熱型)、聚酰亞胺(高頻應(yīng)用)。

厚度:50~200μm,需兼顧導(dǎo)熱與耐壓(典型耐壓值>3kV)。

作用:電氣隔離電路層與金屬基板,同時(shí)傳遞熱量。

電路層

材料:電解銅箔(厚度18~105μm),通過(guò)蝕刻形成電路圖形。

工藝:類似傳統(tǒng)PCB,但需適應(yīng)金屬基板的熱膨脹特性。


三、核心特性

1. 高熱導(dǎo)率

鋁基板:導(dǎo)熱系數(shù)約180~220 W/(m·K)(普通鋁基板),適合中低功率場(chǎng)景(如LED照明)。

銅基板:導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)380~400 W/(m·K),適用于高功率密度器件(如IGBT模塊)。

對(duì)比:傳統(tǒng)FR-4基板導(dǎo)熱系數(shù)僅0.3 W/(m·K),金屬基板的導(dǎo)熱能力是其數(shù)百倍。

2. 優(yōu)異的熱膨脹匹配性

金屬基板(如鋁)的熱膨脹系數(shù)(CTE)約為23 ppm/°C,與半導(dǎo)體芯片(如硅,CTE≈4 ppm/°C)更接近,減少熱應(yīng)力導(dǎo)致的焊接點(diǎn)開(kāi)裂風(fēng)險(xiǎn)。

3. 機(jī)械強(qiáng)度與穩(wěn)定性

金屬基底提供高剛性,抗彎曲、抗振動(dòng)性能優(yōu)于普通PCB,適用于汽車電子、工業(yè)設(shè)備等惡劣環(huán)境。

耐高溫性能:鋁基板可長(zhǎng)期工作在150°C以上,銅基板耐溫更高。

4. 電氣絕緣性

絕緣層介電強(qiáng)度通?!?strong>3 kV/mm,滿足多數(shù)高壓場(chǎng)景需求,但高頻應(yīng)用需注意介電損耗(如陶瓷填充絕緣層可降低損耗)。

5. 輕量化與成本平衡

鋁基板:密度低(2.7 g/cm3)、成本低,是LED照明的首選。

銅基板:密度高(8.9 g/cm3)、成本高,但導(dǎo)熱性能更優(yōu),適合高價(jià)值設(shè)備(如5G基站)。


四、典型應(yīng)用場(chǎng)景

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IGBT熱管理解決方案主要包括以下幾種散熱方式,旨在降低器件因高功率損耗產(chǎn)生的溫升:

1. 空氣自然散熱

◎原理:通過(guò)導(dǎo)熱、對(duì)流和輻射自然散熱,無(wú)需外部輔助能量。

◎特點(diǎn):結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、無(wú)噪音、免維護(hù);但效率低,僅適用于低功耗或密封/密集組裝場(chǎng)景。

◎適用場(chǎng)景:額定電流較小的器件,或?qū)囟瓤刂埔蟛桓叩膽?yīng)用。

2. 強(qiáng)制空氣冷卻

◎原理:利用風(fēng)扇強(qiáng)制對(duì)流散熱,通過(guò)散熱器翅片和流動(dòng)空氣加速熱量傳遞。

◎特點(diǎn):

◇傳熱效率是自然散熱的2-5倍,通過(guò)優(yōu)化材料(如工業(yè)純鋁或紫銅)和風(fēng)速可降低熱阻。

◇ 但需配備風(fēng)扇,存在噪音、易積塵和維護(hù)需求,且無(wú)法降溫至室溫以下。

◎適用場(chǎng)景:中等功率密度場(chǎng)景,需較高散熱效率但對(duì)噪音要求不嚴(yán)格的環(huán)境。

3. 液冷方式

◎水冷散熱

◇原理**:通過(guò)循環(huán)水或混合冷卻液(如乙二醇)傳遞熱量,散熱效率是自然風(fēng)冷的100-300倍。

◇特點(diǎn):適用于大功率器件,但需解決水的純度、絕緣性及腐蝕問(wèn)題,設(shè)備復(fù)雜。

◇適用場(chǎng)景:高壓大功率電力電子裝置(如光伏逆變器、新能源汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng))。

◎油冷散熱(已逐漸被替代):

◇采用油介質(zhì)冷卻,絕緣性和電磁屏蔽效果佳,但冷卻效率和環(huán)境影響不及水冷。

4. 熱管散熱器

◎原理:利用熱管內(nèi)工作液蒸發(fā)-冷凝的相變過(guò)程快速傳導(dǎo)熱量,傳熱能力是紫銅的10倍。

◎特點(diǎn):

◇均溫性優(yōu)異、無(wú)噪音、無(wú)需維護(hù),但成本較高。

◇適用于粉塵多或需密閉環(huán)境的應(yīng)用(如煤礦、化工廠)。

◎適用場(chǎng)景:大功率分立元件或特殊工業(yè)環(huán)境。

5. 高導(dǎo)熱材料技

◎氮化硼絕緣片:

◇ 垂直導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)3.5-5 W/m·K,耐擊穿電壓>4 kV,厚度超?。?.15-2 mm),兼具高絕緣和導(dǎo)熱性能。

◇應(yīng)用:用于IGBT模塊的熱界面材料,加速熱量從芯片傳遞至散熱器;適用于變頻家電、新能源汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)等。

關(guān)鍵優(yōu)化方向

1. 降低散熱器熱阻:優(yōu)化材料(如銅、鋁)和結(jié)構(gòu)(翅片設(shè)計(jì)),改善接觸界面導(dǎo)熱。

2. 冷卻介質(zhì)選擇:根據(jù)功率密度和環(huán)境需求,平衡水冷的高效性與空氣冷卻的簡(jiǎn)易性。

3. 熱管理材料創(chuàng)新:通過(guò)氮化硼等新型材料突破傳統(tǒng)散熱瓶頸,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

自 20 世紀(jì) 80 年代開(kāi)發(fā)以來(lái),IGBT 已成為風(fēng)能、太陽(yáng)能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費(fèi)和工業(yè)用途的電動(dòng)汽車和電動(dòng)機(jī)的關(guān)鍵。


功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者有什么關(guān)系?


功率半導(dǎo)體是電力電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心元器件。功率半導(dǎo)體又稱作電力半導(dǎo)體,主要用來(lái)對(duì)電力進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對(duì)電路進(jìn)行控制,用于改變電壓或電流的波形、幅值、相位、頻率等參數(shù)。功率半導(dǎo)體本質(zhì)上是一種電力開(kāi)關(guān),能夠在低阻狀態(tài)下流過(guò)從幾安培到幾千安培的電流,能夠在毫秒甚至微秒時(shí)間內(nèi)對(duì)高達(dá)數(shù)千伏高電壓、數(shù)千安培的大電流進(jìn)行控制。功率半導(dǎo)體器件可用于整流(交流轉(zhuǎn)換直流)、逆變(直流轉(zhuǎn)換交流)、轉(zhuǎn)換(直流轉(zhuǎn)直流)、變頻(改變交流電頻率)、功率控制等。電力設(shè)備采用多個(gè)功率半導(dǎo)體器件按照一定的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行組合,就能實(shí)現(xiàn)負(fù)載電力轉(zhuǎn)換需求。功率半導(dǎo)體可以分為功率分立器件、功率模塊和功率IC。


3cdefc00-fc86-11ef-9434-92fbcf53809c.png圖1.功率半導(dǎo)體的主要分類(來(lái)源:招商銀行研究院)


功率器件按器件結(jié)構(gòu)可分為功率二極管、晶閘管、晶體管等。晶體管是電子電路的核心元件,主要包括MOSFET和IGBT, 具有高頻率、低損耗特點(diǎn)。

IGBT 耐壓較高,更適用于高壓中低頻領(lǐng)域。MOSFET功率器件是單極器件, 導(dǎo)通電阻會(huì)隨著電壓增加而急速上升,因而難以實(shí)現(xiàn)耐高壓、大電流。1982 年,通用電氣推出了結(jié)合MOSFET和BJT結(jié)構(gòu)的復(fù)合型器件IGBT。IGBT兼具 MOSFET 輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)速度快和BJT通態(tài)電 流大、導(dǎo)通壓降低、損耗小等優(yōu)點(diǎn),成為功率半導(dǎo)體發(fā)展方向之一。IGBT 器件結(jié)構(gòu)不斷升級(jí),器件性能持續(xù)提升。IGBT器件經(jīng)歷七次迭代升 級(jí),在降低損耗和小型化等方面性能不斷優(yōu)化。IGBT器件從“穿通、非穿通、 場(chǎng)截止”和“平面柵、溝槽柵”兩個(gè)方面不斷演變,在芯片面積、工藝線寬、 通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗、斷態(tài)電壓等方面不斷優(yōu)化,提升器件耐 壓、降低損耗和導(dǎo)通電阻。
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圖2.IGBT器件性能對(duì)比(資料來(lái)源:Yole、招商銀行研究院)


IGBT功率半導(dǎo)體上游主要包括設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試,包括晶圓、外延、制 造、切割、封裝等工藝環(huán)節(jié)。功率半導(dǎo)體中游主要是電源轉(zhuǎn)換器電源模塊, 下游應(yīng)用領(lǐng)域涉新能源相關(guān)行業(yè)及所有電子行業(yè)領(lǐng)域。



IGBT 在新能源汽車、光伏、風(fēng)電、儲(chǔ)能、充電樁等新能源相關(guān)領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。隨著新能源汽車滲透率提升和光伏風(fēng)電儲(chǔ)能市場(chǎng)快速崛起,IGBT市場(chǎng)有望保持快速增長(zhǎng)。根據(jù)Omdia的分析,IGBT市場(chǎng)將從2020年的61.92億 美元增長(zhǎng)到2025年的125.38億美元,復(fù)合年均增長(zhǎng)率為15.2%。其中,IGBT 中國(guó)市場(chǎng)占比約35%。

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圖4.IGBT及其它功率半導(dǎo)體模塊的應(yīng)用示意圖(資料來(lái)源:Yole、招商銀行研究院)


如今,IGBT 幾乎存在于所有電子產(chǎn)品中:醫(yī)院的 X 光機(jī)、CAT 掃描儀和 MRI 裝置等醫(yī)療診斷機(jī)器;便攜式除顫器;微波爐和電磁爐;空調(diào)和冰箱……所有風(fēng)能和太陽(yáng)能裝置都利用基于 IGBT 的技術(shù)將產(chǎn)生的電能轉(zhuǎn)換為適合消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用的形式。它在提高電能使用效率和減少汽油消耗方面發(fā)揮了重要作用,因此在過(guò)去 40 年的全球減少污染的努力中發(fā)揮了關(guān)鍵作用。

IGBT熱管理解決方案

當(dāng)下的高功率器件在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量,如果不及時(shí)有效地散熱,可能會(huì)導(dǎo)致器件的性能下降甚至損壞。因此,功率器件的熱管理至關(guān)重要。熱管理主要包括熱量的傳導(dǎo)、對(duì)流和輻射,以保證器件在安全溫度范圍內(nèi)工作。

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圖4.功率器件封裝結(jié)構(gòu)示意圖(來(lái)源:洞見(jiàn)熱管理繪制)


1、IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗;

2、結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上;

3、IGBT模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上;

4、散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。


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如果IGBT模塊功率一定時(shí),IGBT結(jié)殼之間的熱阻一定,IGBT殼與散熱器的熱阻與散熱器材料和接觸程度兩個(gè)方面有關(guān),但此處熱阻較小,散熱器的材料及接觸程度的改變對(duì)整個(gè)散熱過(guò)程影響較小。

換言之就是主要影響散熱的是兩個(gè)方面,一是總的損耗,二是散熱器熱阻。

但是往往鑒于輸出功率及實(shí)際工況的限制,IGBT的總功率損耗是不可以改變的。

所以散熱的問(wèn)題主要就是怎么改變散熱器到空氣或其他介質(zhì)之間熱阻的問(wèn)題。


功率器件的耗散功率所產(chǎn)生的溫升需由散熱器來(lái)降低,通過(guò)散熱器增加功率器件的導(dǎo)熱和輻射面積、擴(kuò)張熱流以及緩沖導(dǎo)熱過(guò)渡過(guò)程,直接傳導(dǎo)或借助于導(dǎo)熱介質(zhì)將熱量傳遞到冷卻介質(zhì)中,如空氣、水或水的混合液等。

目前常用到的冷卻方式為強(qiáng)制空氣冷卻、循環(huán)水冷卻、熱管散熱器冷卻等。

(1)空氣自然散熱


空氣自然散熱是指不使用任何外部輔助能量,實(shí)現(xiàn)局部發(fā)熱器件向周圍環(huán)境散熱達(dá)到溫度控制的目的。

通常包含導(dǎo)熱、對(duì)流和輻射,適用于對(duì)溫度控制要求不高、器件發(fā)熱的熱流密度不大的低功耗器件和部件,以及密封或密集組裝的器件不宜(或不需要)采用其他冷卻技術(shù)的情況。這種散熱器效率很低,不適合用于大功率器件中。

由于它的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、無(wú)噪音、免維護(hù),特別是沒(méi)有運(yùn)動(dòng)部件,所以可靠性高,非常適用于額定電流在以下的器件。


(2)強(qiáng)制空氣冷卻


強(qiáng)制對(duì)流風(fēng)冷散熱特點(diǎn)是散熱效率高,其傳熱系數(shù)是自冷式散熱效率的2-5倍。

強(qiáng)制對(duì)流風(fēng)冷散熱分兩部分:翼片散熱片和風(fēng)扇。熱源直接接觸的翅片散熱器,其作用是將熱源發(fā)出的熱量引出,風(fēng)扇用來(lái)給散熱器強(qiáng)制對(duì)流冷卻降溫。從而強(qiáng)制空氣冷卻主要與散熱器材料、結(jié)構(gòu)、翼片有關(guān)。

風(fēng)速越大,散熱器熱阻越小,但流動(dòng)阻力越大,因此應(yīng)適當(dāng)提高風(fēng)速來(lái)降低熱阻。

風(fēng)速超過(guò)一定值之后再提高風(fēng)速對(duì)熱阻的影響就非常小了。散熱器材料質(zhì)量特性對(duì)散熱效率有顯著影響。紫銅導(dǎo)熱系數(shù)相當(dāng)于工業(yè)純鋁的2倍,在相同散熱效率下,紫銅散熱器的體積為鋁質(zhì)散熱器的1/3一1/2。

由于銅的比重大,價(jià)格高,一般較少應(yīng)用。

風(fēng)冷散熱結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,價(jià)格低廉,安全可靠,技術(shù)成熟,但不能將溫度降至室溫以下。因需配備風(fēng)機(jī),因而噪聲大,容易吸人灰塵,可靠性相對(duì)降低,有一定維護(hù)量,且風(fēng)扇壽命受時(shí)間限制。

(3)液冷方式


液態(tài)冷卻將導(dǎo)熱系數(shù)較之氣體冷卻可顯著提高。

對(duì)于功率密度大的電力電子裝置而言,液體冷卻是很好的選擇。液體冷卻系統(tǒng)利用循環(huán)泵來(lái)保證冷卻液在熱源和冷源之間循環(huán),以交換熱量。水冷式散熱器水冷式散熱器的散熱效率極高,等于空氣自然冷卻換熱系數(shù)的100-300倍。以水冷式散熱器代替風(fēng)冷式散熱器,可大大提高器件的容量。但是,由于普通水的絕緣性較差,水中存在的雜質(zhì)離子會(huì)在高電壓下導(dǎo)致電腐蝕和漏電現(xiàn)象,只有在低電壓,才可以采用普通水冷卻。

為使上述水冷系統(tǒng)進(jìn)人高壓大功率電力電子領(lǐng)域,必須解決冷卻水的純度和長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)系統(tǒng)的可靠性及腐蝕兩大問(wèn)題,且水冷卻方式需要有水循環(huán)與處理設(shè)備,設(shè)備復(fù)雜。油冷式散熱器由于油的冷卻性能比空氣好,同時(shí)也由于將閥體安裝在油箱中可以免受環(huán)境條件的影響,具有很高的絕緣性和電磁屏蔽效果,所以曾在高壓大功率電力電子裝置中得到相當(dāng)廣泛的應(yīng)用。


但由于水冷系統(tǒng)不論從冷卻效果還是環(huán)境影響方面均具有明顯的優(yōu)勢(shì),所以近年來(lái)油冷系統(tǒng)似乎已漸漸淡出高壓大功率變流器領(lǐng)域。


(4)熱管散熱器


熱管散熱方案設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)熱管是一種能的傳熱元件,它以獨(dú)特的傳熱方式,實(shí)現(xiàn)了超常的傳熱效果。

典型的熱管由管殼、吸液芯和端蓋組成,將管內(nèi)抽成1.3*(0.1~0.0001)Pa的負(fù)壓后充以適量的工作液體,使緊貼管內(nèi)壁的吸液芯毛細(xì)多孔材料中充滿液體后加以密封。管的一端為蒸發(fā)段(加熱段,另一端為冷凝段(冷卻段),根據(jù)應(yīng)用需要在兩段中間可布置絕熱段。

當(dāng)熱管的一端受熱時(shí)毛紉芯中的液體蒸發(fā)汽化,蒸汽在微小的壓差下流向另一端放出熱量凝結(jié)成液體,液體再沿多孔材料靠毛細(xì)力的作用流回蒸發(fā)段。如此循環(huán),熱量由熱管的一端傳至一另端。

其優(yōu)點(diǎn)是,具有傳熱能力強(qiáng),是紫銅的10倍,、均溫能力優(yōu)良、熱密度可變、無(wú)外加設(shè)備、工作可靠、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,重量輕、不用維護(hù)等優(yōu)點(diǎn),熱管傳熱速度且噪音低,使用壽命長(zhǎng),缺點(diǎn)是價(jià)格昂貴。

熱管散熱器一般適用于大功率、分立元件的場(chǎng)合在一些特殊的生產(chǎn)工況如粉塵比較多的地方煤礦、焦化廠、部分化工廠可以采用熱管散熱器,因?yàn)榭梢宰龅秸麄€(gè)功率變換部分的密閉性。

國(guó)內(nèi)的電力電子變換器行業(yè)多年前已采用熱管散熱器。

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    發(fā)表于 06-05 09:50 ?1728次閱讀

    新興電源應(yīng)用的電池管理解決方案

    此類解決方案還降低了功率耗散并提高了總體效率。TI的電池管理解決方案可支持多種電池化學(xué)組成和電池單元數(shù)量,從普遍使用的鋰離子電池(Li-Ion)技術(shù)到業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的鎳氫電池(NiMH)和鉛
    發(fā)表于 10-08 09:42

    微型熱管理和電源管理怎么解決散熱設(shè)計(jì)的難題?

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    發(fā)表于 03-10 08:06

    鋁碳化硅為電子封裝提供熱管理解決方案

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    發(fā)表于 03-11 12:22 ?2417次閱讀
    鋁碳化硅為電子封裝提供<b class='flag-5'>熱管理解決方案</b>

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    電子封裝供熱管理解決方案:鋁碳化硅是關(guān)鍵 簡(jiǎn)介利用最先進(jìn)的材料設(shè)計(jì)低成
    發(fā)表于 03-04 14:10 ?1402次閱讀

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    發(fā)表于 09-27 15:31 ?767次閱讀

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    的頭像 發(fā)表于 12-02 16:19 ?3066次閱讀

    探索陶瓷電線路基板熱管理能力

    引言:隨著電子設(shè)備的不斷發(fā)展和進(jìn)步,高功率密度和高溫度成為電子現(xiàn)代系統(tǒng)面臨的重要挑戰(zhàn)之一。熱管理是保持電子設(shè)備可靠性和性能穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。在這方面,本文將探索陶瓷電線路基板熱管理
    的頭像 發(fā)表于 07-10 14:58 ?680次閱讀

    DOH工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命

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    的頭像 發(fā)表于 01-11 10:00 ?962次閱讀
    <b class='flag-5'>DOH</b>新<b class='flag-5'>工藝技術(shù)</b>助力提升<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>性能及使用壽命

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    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:52 ?2554次閱讀
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    功率晶閘管模塊的熱管理與散熱解決方案是確保電力電子設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行和延長(zhǎng)使用壽命的關(guān)鍵技術(shù)之一。以下將從散熱原理、傳統(tǒng)散熱方式、現(xiàn)代高效散熱技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 08-27 11:07 ?1762次閱讀

    IGBT熱管理解決方案

    自20世紀(jì)80年代開(kāi)發(fā)以來(lái),IGBT已成為風(fēng)能、太陽(yáng)能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費(fèi)和工業(yè)用途的電動(dòng)汽車和電動(dòng)機(jī)的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT
    的頭像 發(fā)表于 09-12 08:03 ?1199次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>熱管理解決方案</b>

    DOH新材料工藝封裝技術(shù)解決功率器件散熱問(wèn)題

    DOH:DirectonHeatsink,熱沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問(wèn)題提升產(chǎn)品良率及使用壽命。為綜合評(píng)估SiC
    的頭像 發(fā)表于 12-24 06:41 ?813次閱讀
    <b class='flag-5'>DOH</b>新材料<b class='flag-5'>工藝</b>封裝<b class='flag-5'>技術(shù)</b>解決<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>散熱問(wèn)題

    雙面散熱IGBT功率器件 | DOH 封裝工藝

    IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件,其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)的單面冷卻
    的頭像 發(fā)表于 01-11 06:32 ?1343次閱讀
    雙面散熱<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b> | <b class='flag-5'>DOH</b> 封裝<b class='flag-5'>工藝</b>

    DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問(wèn)題

    引言:隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件對(duì)散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:20 ?758次閱讀
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