CMOS 工藝中的寄生晶閘管(SCR)結(jié)構(gòu),是由 NMOS 和 PMOS 的寄生 NPN/PNP 晶體管相互連接形成的。這些寄生晶體管平時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài),但當(dāng)受到電壓尖峰、靜電干擾或高溫時(shí),會(huì)觸發(fā)正反饋環(huán)路,導(dǎo)致電流在芯片內(nèi)部無限放大,最終燒毀芯片或迫使系統(tǒng)斷電。這一現(xiàn)象即為閂鎖效應(yīng)。

如何快速判斷電路是否存在閂鎖?
如果遇到以下情況,可以是閂鎖在作祟:
電流突然激增:芯片耗電猛增,遠(yuǎn)超正常工作電流。
電壓突然暴跌:電源電壓“斷崖式下跌”,導(dǎo)致芯片復(fù)位或功能紊亂。
高溫更易崩潰:芯片在高溫環(huán)境下(如>85℃)更容易觸發(fā)閂鎖。
檢測(cè)方法:
靜電測(cè)試:模擬人體接觸放電,驗(yàn)證芯片抗ESD能力(IEC 61000-4-2)。
浪涌測(cè)試:模擬雷擊或電源波動(dòng),測(cè)試電路穩(wěn)定性(IEC 61000-4-5)。
電腦模擬:用仿真工具(如TCAD)預(yù)判寄生結(jié)構(gòu)的觸發(fā)閾值,優(yōu)化設(shè)計(jì)。
不同器件的“觸發(fā)門檻”與防護(hù)方案
器件類型 | 觸發(fā)條件 | 防護(hù)建議 |
電流過大(如10A以上) | 1.串聯(lián)限流電阻或保險(xiǎn)絲;2.設(shè)計(jì)過流關(guān)斷電路,觸發(fā)時(shí)強(qiáng)制關(guān)斷IGBT。 | |
CMOS芯片(如單片機(jī)) | I/O口對(duì)地電壓異常(I/O口低于-1.8V或高于VCC+0.7V) | 1. I/O口串聯(lián)200Ω電阻“限流”;2. 用TVS二極管箝位電壓;3.熱插拔時(shí)優(yōu)先連接地線,避免電位差觸發(fā)寄生晶體管! |
LDO(低壓差穩(wěn)壓器) | 電流過載(如輸入1.8V時(shí)達(dá)900mA) | 1. 串電阻“分流”;2.加“復(fù)位開關(guān)”強(qiáng)制重啟;3.選抗閂鎖設(shè)計(jì)的穩(wěn)壓器。 |
運(yùn)算放大器(如OPA4H199) | 輸出短路或過載(如電流超120mA) | 1. 輸出端加電阻“限流”;2. 用自恢復(fù)保險(xiǎn)絲當(dāng)“自動(dòng)開關(guān)”。 |
雷卯電子的“防閂鎖武器庫”
1. 高功率接口:TVS二極管 + 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲
TVS二極管:納秒級(jí)響應(yīng),將電壓尖峰箝位至安全閾值,防止寄生晶體管觸發(fā)。
自恢復(fù)保險(xiǎn)絲(PPTC):過流時(shí)自動(dòng)斷開電路,故障排除后自動(dòng)復(fù)位,避免持續(xù)損壞。兩者協(xié)同可阻斷閂鎖觸發(fā)條件。

2.低電壓/高速接口:ESD靜電防護(hù)
低電容ESD器件:像“防靜電外套”一樣,包裹芯片接口,防止靜電“電擊”觸發(fā)閂鎖,同時(shí)不影響信號(hào)速度(如USB、HDMI)。
雷卯推薦的“防閂鎖武器”清單,按場(chǎng)景選擇,簡單有效,詳細(xì)方案可關(guān)注雷卯電子公眾號(hào)或聯(lián)系雷卯EMC小哥。
類型 | 型號(hào) | 描述 | 封裝 | 應(yīng)用 |
ESD | ULC0524BLC | 5V,0.3/0.8PF,5A | DFN2510P10 | DP接口靜電防護(hù) |
ESD | SDA1211CDN | 12V,Bi,8PF,8A | DFN1006 | 12V電源接口防靜電 |
ESD | SD24C | 24V,Bi,50PF,12A | SOD-323 | CAN接口靜電防護(hù) |
ESD | SMC24 | 24V,Bi,30PF,9A | SOT-23 | CAN接口靜電防護(hù) |
ESD | ESDA05CP | 5V Bi, 10PF,5A | DFN1006-2 | GPIO靜電保護(hù) |
ESD | SDA05W5 | 5V,Uni,30PF,3A | SOT-353 | GPIO靜電保護(hù) |
ESD | ULC332010T8 | 3.3V,1.5PF,30A | DFN2010-8 | 千兆網(wǎng)防靜電 |
ESD | GBLC03C | 3.3V,Bi,0.6 PF,20A | SOD-323 | 千兆網(wǎng)防靜電 |
ESD | SLVU2.8-4 | 2.8V,Bi,2 PF,30A | SOP-08 | 千兆網(wǎng)防靜電 |
ESD | USRV05-4 | 5V,Uni,0.7PF,5A | SOT-26 | SD卡靜電防護(hù) |
ESD | ULC3304P10 | 3.3V,Uni, 0.4PF,5A | DFN2510P10 | HDMI 2.0靜電保護(hù) |
ESD | SR05W | 5V,Uni,3PF,20A | SOT-143 | USB2.0 靜電保護(hù) |
ESD | LC0502D6 | 5V,0.8PF,6A | SOT-26 | USB2.0靜電防護(hù) |
ESD | ULC05DT3 | 5V,Uni,0.6PF,4A | SOT-23 | eSATA靜電保護(hù) |
ESD | ULC0568K | 5V,0.3PF,5A | DFN4120-10 | USB3.0靜電保護(hù) |
ESD | ULC0502P3 | 5V,Uni,0.6PF,5A | DFN1006-3 | USB3.0 靜電保護(hù) |
ESD | ULC0524P | 5V,Uni,0.3PF,5A | DFN2510P10 | USB3.0靜電保護(hù) |
ESD | SMC12 | 12V,Bi,45PF,15A | SOT-23 | I2C接口靜電保護(hù) |
ESD | ULC0504P | 5V,0.4PF,5A | DFN1616-6 | TF卡靜電保護(hù) |
ESD | SR12W | 12V,5PF,16A | SOT-143 | RS232靜電保護(hù) |
ESD | SMC15 | 15V,Bi,40PF,9A | SOT-23 | RS232靜電保護(hù) |
ESD | SM712 | 7/12V,Bi,34PF,22/17A | SOT-23 | RS485接口靜電保護(hù) |
ESD | ULC0542C13 | 5V,Bi,0.13PF,3A | DFN1006 | WIFI天線靜電保護(hù) |
ESD | LC0504F | 5V,Uni,0.8PF,5A | SOT-363 | SIM卡靜電保護(hù) |
ESD | LC05CI | 5V,Bi,1.2PF,20A | SOD-323 | RF天線接口防靜電 |
ESD | ULC0521C | 5V,Bi,0.26PF,5A | DFN0603 | 音頻接口靜電保護(hù) |
ESD | LCC05DT3 | 5V,Bi,1.2PF,12A | SOT-23 | 音頻接口靜電保護(hù) |
ESD | SDA1511DN | 15V,50PF,10A | DFN1006 | DC12V電源防靜電 |
ESD | ESDA05CC | 5V,Bi,39PF,20A | SOD-523 | 電源輸出接口靜電 |
ESD | PTVS0542H100 | 5V,190PF,105A | DFN1006 | 5V供電接口防靜電 |
總結(jié):防閂鎖三板斧
1.設(shè)計(jì)時(shí)“防微杜漸”:
電源去耦:芯片電源引腳并聯(lián)0.1μF陶瓷電容,抑制電壓毛刺。
布局優(yōu)化:縮短敏感信號(hào)線長度,減少寄生電容耦合;增加襯底和阱的接地接觸,降低寄生電阻。。
版圖設(shè)計(jì):在I/O區(qū)域添加Guard Ring(環(huán)形接地層),阻止載流子擴(kuò)散觸發(fā)閂鎖。
2.器件選型“硬核防御”:
高功率接口選TVS,PPTC防過流,低壓高速信號(hào)選ESD,像給電路穿“防彈衣”。
3.雷卯“定制服務(wù)”:
遇到復(fù)雜場(chǎng)景?雷卯技術(shù)團(tuán)隊(duì)可量身定制方案,像“電路醫(yī)生”一樣對(duì)癥下藥!
Leiditech雷卯電子致力于成為電磁兼容解決方案和元器件供應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)品牌,供應(yīng)ESD,TVS,TSS,GDT,MOV,MOSFET,Zener,電感等產(chǎn)品。雷卯擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)團(tuán)隊(duì),能夠根據(jù)客戶需求提供個(gè)性化定制服務(wù),為客戶提供最優(yōu)質(zhì)的解決方案。
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淺談IGBT的閂鎖效應(yīng)

什么是閂鎖效應(yīng)?
如何解決CMOS電路中的閂鎖效應(yīng)在現(xiàn)實(shí)生活中有什么具體的...
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