一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一文搞懂閂鎖效應(yīng):電路里的“定時(shí)炸彈”與防護(hù)指南

上海雷卯電子 ? 2025-03-21 15:48 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

CMOS 工藝中的寄生晶閘管(SCR)結(jié)構(gòu),是由 NMOS 和 PMOS 的寄生 NPN/PNP 晶體管相互連接形成的。這些寄生晶體管平時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài),但當(dāng)受到電壓尖峰、靜電干擾或高溫時(shí),會(huì)觸發(fā)正反饋環(huán)路,導(dǎo)致電流在芯片內(nèi)部無限放大,最終燒毀芯片或迫使系統(tǒng)斷電。這一現(xiàn)象即為閂鎖效應(yīng)。

dd7d2d48-0628-11f0-9434-92fbcf53809c.png

如何快速判斷電路是否存在閂鎖?

如果遇到以下情況,可以是閂鎖在作祟

電流突然激增:芯片耗電猛增,遠(yuǎn)超正常工作電流。

電壓突然暴跌:電源電壓“斷崖式下跌”,導(dǎo)致芯片復(fù)位或功能紊亂。

高溫更易崩潰:芯片在高溫環(huán)境下(如>85℃)更容易觸發(fā)閂鎖。

檢測(cè)方法:

靜電測(cè)試:模擬人體接觸放電,驗(yàn)證芯片抗ESD能力(IEC 61000-4-2)。

浪涌測(cè)試:模擬雷擊或電源波動(dòng),測(cè)試電路穩(wěn)定性(IEC 61000-4-5)。

電腦模擬:用仿真工具(如TCAD)預(yù)判寄生結(jié)構(gòu)的觸發(fā)閾值,優(yōu)化設(shè)計(jì)。

不同器件的“觸發(fā)門檻”與防護(hù)方案

器件類型

觸發(fā)條件

防護(hù)建議

IGBT

電流過大(如10A以上)

1.串聯(lián)限流電阻保險(xiǎn)絲;2.設(shè)計(jì)過流關(guān)斷電路,觸發(fā)時(shí)強(qiáng)制關(guān)斷IGBT。

CMOS芯片(如單片機(jī)

I/O口對(duì)地電壓異常(I/O口低于-1.8V或高于VCC+0.7V)

1. I/O口串聯(lián)200Ω電阻“限流”;2. 用TVS二極管箝位電壓;3.熱插拔時(shí)優(yōu)先連接地線,避免電位差觸發(fā)寄生晶體管!

LDO(低壓差穩(wěn)壓器)

電流過載(如輸入1.8V時(shí)達(dá)900mA)

1. 串電阻“分流”;2.加“復(fù)位開關(guān)”強(qiáng)制重啟;3.選抗閂鎖設(shè)計(jì)的穩(wěn)壓器。

運(yùn)算放大器(如OPA4H199)

輸出短路或過載(如電流超120mA)

1. 輸出端加電阻“限流”;2. 用自恢復(fù)保險(xiǎn)絲當(dāng)“自動(dòng)開關(guān)”。

雷卯電子的“防閂鎖武器庫”

1. 高功率接口:TVS二極管 + 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲

TVS二極管:納秒級(jí)響應(yīng),將電壓尖峰箝位至安全閾值,防止寄生晶體管觸發(fā)。

自恢復(fù)保險(xiǎn)絲(PPTC):過流時(shí)自動(dòng)斷開電路,故障排除后自動(dòng)復(fù)位,避免持續(xù)損壞。兩者協(xié)同可阻斷閂鎖觸發(fā)條件。

ddd2615a-0628-11f0-9434-92fbcf53809c.png

2.低電壓/高速接口:ESD靜電防護(hù)

電容ESD器件:像“防靜電外套”一樣,包裹芯片接口,防止靜電“電擊”觸發(fā)閂鎖,同時(shí)不影響信號(hào)速度(如USB、HDMI)。

雷卯推薦的“防閂鎖武器”清單,按場(chǎng)景選擇,簡單有效,詳細(xì)方案可關(guān)注雷卯電子公眾號(hào)或聯(lián)系雷卯EMC小哥。

類型

型號(hào)

描述

封裝

應(yīng)用

ESD

ULC0524BLC

5V,0.3/0.8PF,5A

DFN2510P10

DP接口靜電防護(hù)

ESD

SDA1211CDN

12V,Bi,8PF,8A

DFN1006

12V電源接口防靜電

ESD

SD24C

24V,Bi,50PF,12A

SOD-323

CAN接口靜電防護(hù)

ESD

SMC24

24V,Bi,30PF,9A

SOT-23

CAN接口靜電防護(hù)

ESD

ESDA05CP

5V Bi, 10PF,5A

DFN1006-2

GPIO靜電保護(hù)

ESD

SDA05W5

5V,Uni,30PF,3A

SOT-353

GPIO靜電保護(hù)

ESD

ULC332010T8

3.3V,1.5PF,30A

DFN2010-8

千兆網(wǎng)防靜電

ESD

GBLC03C

3.3V,Bi,0.6 PF,20A

SOD-323

千兆網(wǎng)防靜電

ESD

SLVU2.8-4

2.8V,Bi,2 PF,30A

SOP-08

千兆網(wǎng)防靜電

ESD

USRV05-4

5V,Uni,0.7PF,5A

SOT-26

SD卡靜電防護(hù)

ESD

ULC3304P10

3.3V,Uni, 0.4PF,5A

DFN2510P10

HDMI 2.0靜電保護(hù)

ESD

SR05W

5V,Uni,3PF,20A

SOT-143

USB2.0 靜電保護(hù)

ESD

LC0502D6

5V,0.8PF,6A

SOT-26

USB2.0靜電防護(hù)

ESD

ULC05DT3

5V,Uni,0.6PF,4A

SOT-23

eSATA靜電保護(hù)

ESD

ULC0568K

5V,0.3PF,5A

DFN4120-10

USB3.0靜電保護(hù)

ESD

ULC0502P3

5V,Uni,0.6PF,5A

DFN1006-3

USB3.0 靜電保護(hù)

ESD

ULC0524P

5V,Uni,0.3PF,5A

DFN2510P10

USB3.0靜電保護(hù)

ESD

SMC12

12V,Bi,45PF,15A

SOT-23

I2C接口靜電保護(hù)

ESD

ULC0504P

5V,0.4PF,5A

DFN1616-6

TF卡靜電保護(hù)

ESD

SR12W

12V,5PF,16A

SOT-143

RS232靜電保護(hù)

ESD

SMC15

15V,Bi,40PF,9A

SOT-23

RS232靜電保護(hù)

ESD

SM712

7/12V,Bi,34PF,22/17A

SOT-23

RS485接口靜電保護(hù)

ESD

ULC0542C13

5V,Bi,0.13PF,3A

DFN1006

WIFI天線靜電保護(hù)

ESD

LC0504F

5V,Uni,0.8PF,5A

SOT-363

SIM卡靜電保護(hù)

ESD

LC05CI

5V,Bi,1.2PF,20A

SOD-323

RF天線接口防靜電

ESD

ULC0521C

5V,Bi,0.26PF,5A

DFN0603

音頻接口靜電保護(hù)

ESD

LCC05DT3

5V,Bi,1.2PF,12A

SOT-23

音頻接口靜電保護(hù)

ESD

SDA1511DN

15V,50PF,10A

DFN1006

DC12V電源防靜電

ESD

ESDA05CC

5V,Bi,39PF,20A

SOD-523

電源輸出接口靜電

ESD

PTVS0542H100

5V,190PF,105A

DFN1006

5V供電接口防靜電

總結(jié):防閂鎖三板斧

1.設(shè)計(jì)時(shí)“防微杜漸”:

電源去耦:芯片電源引腳并聯(lián)0.1μF陶瓷電容,抑制電壓毛刺。

布局優(yōu)化:縮短敏感信號(hào)線長度,減少寄生電容耦合;增加襯底和阱的接地接觸,降低寄生電阻。。

版圖設(shè)計(jì):在I/O區(qū)域添加Guard Ring(環(huán)形接地層),阻止載流子擴(kuò)散觸發(fā)閂鎖。

2.器件選型“硬核防御”:

高功率接口選TVS,PPTC防過流,低壓高速信號(hào)選ESD,像給電路穿“防彈衣”。

3.雷卯“定制服務(wù)”:

遇到復(fù)雜場(chǎng)景?雷卯技術(shù)團(tuán)隊(duì)可量身定制方案,像“電路醫(yī)生”一樣對(duì)癥下藥!

Leiditech雷卯電子致力于成為電磁兼容解決方案和元器件供應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)品牌,供應(yīng)ESD,TVS,TSSGDT,MOV,MOSFET,Zener,電感等產(chǎn)品。雷卯擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)團(tuán)隊(duì),能夠根據(jù)客戶需求提供個(gè)性化定制服務(wù),為客戶提供最優(yōu)質(zhì)的解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • CMOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    58

    文章

    6025

    瀏覽量

    238871
  • 電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    173

    文章

    6027

    瀏覽量

    175050
  • 閂鎖效應(yīng)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    34

    瀏覽量

    9534
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    閂鎖效應(yīng)的形成原理和測(cè)試流程

    在CMOS電路中,存在寄生的PNP和NPN晶體管,它們相互影響在VDD與GND間產(chǎn)生低阻通路,形成大電流,燒壞芯片,這就是閂鎖效應(yīng),簡稱latch-up。
    的頭像 發(fā)表于 07-03 16:20 ?1298次閱讀
    <b class='flag-5'>閂鎖效應(yīng)</b>的形成原理和測(cè)試流程

    淺談IGBT的閂鎖效應(yīng)

    閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實(shí)際工作中我們可能很
    發(fā)表于 04-06 17:32 ?3338次閱讀
    淺談IGBT的<b class='flag-5'>閂鎖效應(yīng)</b>

    什么是閂鎖效應(yīng)?

    什么是閂鎖效應(yīng)?閂鎖效應(yīng)是CMOS工藝所特有的寄生效應(yīng),嚴(yán)重會(huì)導(dǎo)致電路的失效,甚至燒毀芯片。閂鎖效應(yīng)是由NMOS的有源區(qū)、P襯底、N阱、PM
    發(fā)表于 08-01 11:04

    如何解決CMOS電路中的閂鎖效應(yīng)在現(xiàn)實(shí)生活中有什么具體的...

    如何解決CMOS電路中的閂鎖效應(yīng)在現(xiàn)實(shí)生活中有什么具體的事例應(yīng)用沒有?
    發(fā)表于 05-29 17:28

    對(duì) 閂鎖效應(yīng)些理解

    本來正在運(yùn)行的電路,因受干擾或內(nèi)部出錯(cuò)而僵住于某個(gè)狀態(tài)(類似于電腦的死當(dāng)),都可算是閂鎖效應(yīng)。對(duì)于恒壓源供電的電路,飽和閂鎖是不允許的,若電源當(dāng)恒流源,則截止性閂鎖將造成災(zāi)難,可控硅及λ二極管
    發(fā)表于 09-12 12:05

    什么是閂鎖效應(yīng)?閂鎖效應(yīng)的觸發(fā)方式有哪幾種?

    什么是閂鎖效應(yīng)閂鎖效應(yīng)是如何產(chǎn)生的?閂鎖效應(yīng)的觸發(fā)方式有哪幾種?
    發(fā)表于 06-17 08:10

    CMOS閂鎖效應(yīng)

    閂鎖效應(yīng)是指CMOS器件所固有的寄生雙極晶體管被觸發(fā)導(dǎo)通,在電源和地之間存在個(gè)低阻通路,大電流,導(dǎo)致電路無法正常工作,
    發(fā)表于 09-26 17:04 ?84次下載

    手機(jī)=定時(shí)炸彈?專家支招讓您手機(jī)防竊聽

    手機(jī)=定時(shí)炸彈?專家支招讓您手機(jī)防竊聽
    發(fā)表于 12-28 08:56 ?701次閱讀

    種抑制ESD保護(hù)電路閂鎖效應(yīng)的版圖研究

    種抑制ESD保護(hù)電路閂鎖效應(yīng)的版圖研究_柴常春
    發(fā)表于 01-07 16:06 ?0次下載

    IGBT中的閂鎖效應(yīng)到底是什么

    閂鎖(Lanch-up)效應(yīng)般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實(shí)際工作中我們可能很
    的頭像 發(fā)表于 02-09 17:05 ?1.8w次閱讀
    IGBT中的<b class='flag-5'>閂鎖效應(yīng)</b>到底是什么

    破解plc的定時(shí)炸彈

    354行,362行這兩行都是條件跳轉(zhuǎn)到p6 ,可以看到這個(gè)跳轉(zhuǎn)其實(shí)只條過了371 行。而371行做的事就是所有輸出清零然后跳轉(zhuǎn)到 p9 ??磥碇灰?62行或是354行的跳轉(zhuǎn)條件滿足就可以到p6。在“炸彈” M888 沒有觸發(fā)以前系統(tǒng)都是通過362行的跳轉(zhuǎn)指令正常運(yùn)行的。
    發(fā)表于 03-24 13:51 ?1355次閱讀
    破解plc的<b class='flag-5'>定時(shí)炸彈</b>

    Arduino氣槍定時(shí)炸彈

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Arduino氣槍定時(shí)炸彈.zip》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 12-27 10:22 ?0次下載
    Arduino氣槍<b class='flag-5'>定時(shí)炸彈</b>

    單片機(jī)發(fā)生閂鎖效應(yīng)的因素,如何防止發(fā)生單片機(jī)閂鎖效應(yīng)?

    單片機(jī)閂鎖效應(yīng)指的是單片機(jī)內(nèi)部金屬配線發(fā)生熔斷的現(xiàn)象,那么導(dǎo)致單片機(jī)閂鎖效應(yīng)的因素是什么?單片機(jī)開發(fā)工程師表示,已知的導(dǎo)致單片機(jī)發(fā)生閂鎖效應(yīng)的因素有很多個(gè)。現(xiàn)總結(jié)如下:
    的頭像 發(fā)表于 07-10 11:21 ?2467次閱讀

    效應(yīng)方程的應(yīng)用

    本文要點(diǎn)效應(yīng)方程實(shí)際上意味著什么?在哪里可以觀察到效應(yīng)?如何在CFD中更好地實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 02-28 18:08 ?575次閱讀
    <b class='flag-5'>文</b>丘<b class='flag-5'>里</b><b class='flag-5'>效應(yīng)</b>方程的應(yīng)用

    搞懂閂鎖效應(yīng)電路的“定時(shí)炸彈”與防護(hù)指南

    尖峰、靜電干擾或高溫時(shí),會(huì)觸發(fā)正反饋環(huán)路,導(dǎo)致電流在芯片內(nèi)部無限放大,最終燒毀芯片或迫使系統(tǒng)斷電。這現(xiàn)象即為閂鎖效應(yīng)。 CMOS結(jié)構(gòu)(左)及其等效電路(右) 如何快速判斷電路是否存在
    的頭像 發(fā)表于 03-21 11:35 ?1124次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b><b class='flag-5'>文</b><b class='flag-5'>搞懂</b><b class='flag-5'>閂鎖效應(yīng)</b>:<b class='flag-5'>電路</b><b class='flag-5'>里</b>的“<b class='flag-5'>定時(shí)炸彈</b>”與<b class='flag-5'>防護(hù)</b><b class='flag-5'>指南</b>