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派恩杰半導體1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊 內(nèi)置二極管提升高頻應用可靠性

派恩杰半導體 ? 來源:派恩杰半導體 ? 作者:派恩杰半導體 ? 2025-03-24 10:11 ? 次閱讀
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派恩杰半導體推出了1200V 400A系列的半橋62mm封裝模塊。62mm封裝外形已在多個領域得到廣泛應用,包括工業(yè)自動化中的電動機驅動和變頻器、電源管理系統(tǒng)、光伏儲能、鐵路牽引系統(tǒng)以及感應加熱等。

隨著市場對更高功率密度和更快開關頻率的需求增加,派恩杰推出了該系列的碳化硅(SiC)半橋功率模塊,具體型號包括PAAA12400BM和PAAA12400BM2,為高超功率應用場景提供了高效、可靠、低成本的解決方案。

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此外,派恩杰還提供了其他型號的SiC模塊,如PAAC12350BM(1200V 350A)、PAAC12400BM2(1200V 400A,含SBD)以及PAAC12560BM(1200V 560A)等。這些模塊基于62mm的傳統(tǒng)封裝,優(yōu)化了內(nèi)部布局,降低了寄生電感,并預留了足夠的空間實現(xiàn)內(nèi)部并聯(lián)SBD的設計方案,以解決高頻工況下因SiC MOSFET二極管所限制的實際開關頻率和壽命衰減的問題。

反向并聯(lián)二極管在這些模塊中得到了廣泛應用,特別是在高壓、高頻、高溫等惡劣環(huán)境下的電路中。MOS管反并聯(lián)二極管具有獨特優(yōu)點,可以應用于高速開關、低電壓電流傳輸、去耦合電路以及抑制寄生導通等場景。

派恩杰的SiC模塊內(nèi)部使用了SI3N4基板(AMB),散熱性能更好。在60℃的環(huán)境溫度下,這些模塊仍然可以保持400A的出流能力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:上新 | 1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊,內(nèi)置二極管提升高頻應用可靠性!

文章出處:【微信號:派恩杰半導體,微信公眾號:派恩杰半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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