電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)作為一家成立于2017年的年輕公司,英韌科技自創(chuàng)立以來一直專注于存儲賽道,以成為全球存儲主控芯片的領(lǐng)軍企業(yè)為愿景。此次在MemoryS 2025存儲峰會上,英韌科技帶來了一款新的主控芯片,這顆芯片在技術(shù)上有了哪些突破?針對當(dāng)前洶涌而來的AI技術(shù),又有哪些布局?為此,電子發(fā)燒友網(wǎng)采訪到了英韌科技的CEO劉剛和數(shù)據(jù)存儲技術(shù)副總裁陳杰。
英韌科技CEO劉剛
英韌科技數(shù)據(jù)存儲技術(shù)副總裁陳杰博士
IG5222主控芯片,4K隨機讀寫破120萬IOPS
據(jù)劉剛介紹,當(dāng)前英韌科技員工規(guī)模在300人左右,其中70%以上為研發(fā)人員,這些人員基本來自于Marvell、東芝、戴爾等國際大廠,從業(yè)經(jīng)驗基本在十年以上。近幾年,英韌科技業(yè)績增長迅猛,目前也是國家級專精特新小巨人及高新技術(shù)企業(yè)。
營收的高增長在于英韌科技當(dāng)前產(chǎn)品相對較為豐富,在7年間研發(fā)了10顆主控芯片。在消費級芯片市場,英韌科技目前與國內(nèi)一線的模組廠都有合作,也進入到了國內(nèi)外的OEM前裝市場;在企業(yè)級市場,產(chǎn)品上已經(jīng)全面適配長江存儲的顆粒,因此在國內(nèi)信創(chuàng)市場上,正處于高速增長的階段。
此次英韌科技帶來了一顆主控芯片IG5222,據(jù)陳杰博士透露,該芯片是一款PCIe Gen4 DRAMless主控芯片,相較以往的產(chǎn)品,該芯片優(yōu)勢在于具有更好的性能、更低的功耗和更小的芯片面積,因此該主控的性價比和能效比都非常高。
同時,在Gen4市場中,IG5222也刷新了性能的新指標(biāo),比如在4K Random Read/ Write均超過120萬次IOPS,成為行業(yè)中新的標(biāo)桿。此外在兼容性、適配性和成熟度上也做了相應(yīng)的優(yōu)化。
據(jù)英韌科技的實測結(jié)果來看,該主控在 PCIe信道接收端實測的插入損耗冗余度,相比國際大廠性能提升了60%。因此,兼容性和可靠性遠(yuǎn)高于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn), 并全面支持Intel近期推出的 DLRM(動態(tài) PCIe 鏈路管理技術(shù)),確保在各種鏈路環(huán)境下的穩(wěn)定運行,目前英韌科技已經(jīng)在今年年初全面通過了該項技術(shù)的測試驗證。
在AI方面,該主控芯片也針對模型數(shù)據(jù)的實時加載做了一些優(yōu)化,例如PCIe 4.0主控芯片已經(jīng)全面支持NVMe?2.0,不僅進一步優(yōu)化了HMB的性能,還增加了DOE(Data Object Exchange, 數(shù)據(jù)對象交換)功能,因此在針對一些數(shù)據(jù)中心及AI的計算中,對于大數(shù)據(jù)塊的高速傳輸,尤其是在一些傳輸加密數(shù)據(jù)的應(yīng)用場景下有著巨大的優(yōu)勢。
積極應(yīng)對AI對存儲帶來的新變化
而近期DeepSeek的爆火,英韌科技也非常關(guān)注其技術(shù)動向。陳杰博士表示,目前看到對存儲的影響,主要在針對高性能、高帶寬存儲需求的調(diào)整,例如HBM的需求有所下降,反映出AI算法優(yōu)化正改變算力對高性能存儲硬件的依賴。
由于DeepSeek主要是AI算法的優(yōu)化,因此為數(shù)據(jù)分層提供了一個可能,讓當(dāng)下存儲從“HBM+DDR”的模式,轉(zhuǎn)變?yōu)椤癉DR+SSD”的模式,這對于存儲控制器廠商而言將帶來巨大機遇。
從應(yīng)用場景來看,盡管DeepSeek擺脫了對“HBM+DDR”存儲架構(gòu)的強需求,但仍然對存儲海量數(shù)據(jù)、高帶寬、高密度有一定的要求。這就倒逼企業(yè)做出更為積極的應(yīng)對。
此外,從英韌科技的角度來看,盡管大容量和高帶寬存儲對于數(shù)據(jù)處理至關(guān)重要,但同樣不可忽視的是數(shù)據(jù)必須安全、可靠地存儲在介質(zhì)上。因此,在進行控制器設(shè)計的第一天,英韌科技就特別注重數(shù)據(jù)的安全性和可靠性。確保數(shù)據(jù)不僅能夠快速有效地被訪問,同時也保證了數(shù)據(jù)在存儲介質(zhì)上的安全與穩(wěn)定,這是英韌科技設(shè)計產(chǎn)品時所堅持的核心原則之一。
在與浪潮信息的合作中,英韌科技的PCIe 4.0企業(yè)級產(chǎn)品,已成功部署到其元腦R1推理服務(wù)器當(dāng)中。由于其出色的讀寫性能和單盤存儲能力,幫助整機帶寬提升10%以上。在數(shù)據(jù)可靠性和穩(wěn)定性上,平均無故障時間(MTBF)較業(yè)界提升40%,誤碼率(UBER)達(dá)到10e-18,較同類產(chǎn)品降低90%,特別是智能動態(tài)溫控技術(shù),能夠保障DeepSeek長時間負(fù)載不掉速且穩(wěn)定運行。
值得一提的是,隨著市場對于大容量存儲需求的提升,閃存顆粒的物理容量也越來越大,將導(dǎo)致單盤存儲容量不斷增加,這就對存儲主控芯片的設(shè)計提出了新的挑戰(zhàn)。因為隨著對大容量的支持,勢必要加入額外的硬件資源,因此會導(dǎo)致芯片的面積成本增加。
面對這一挑戰(zhàn),英韌科技采用了創(chuàng)新性的思維,沒有去進行簡單的硬件堆砌,而是采用自主研發(fā)的"硬件加速引擎"架構(gòu)開辟了差異化技術(shù)路徑。該方案通過深度優(yōu)化存儲協(xié)議處理流程,將關(guān)鍵算法模塊進行硬件化設(shè)計,在保證功能完整性的同時,顯著降低了邏輯資源占用。因此,不僅避免了芯片面積不必要的增大,同時也提升了性能和效率。而能夠做到這一點,源自于英韌科技在存儲主控芯片領(lǐng)域深厚的積累與芯片架構(gòu)的深刻理解,才能完成這一技術(shù)上的創(chuàng)新。
針對未來市場,目前英韌科技已經(jīng)完成了PCIe 5.0芯片的布局,目前正在向著高端企業(yè)級SSD方向延伸。下一步的技術(shù)路線將會沿著PCIe接口速度持續(xù)迭代下去,同時推動閃存通道的高速接口的技術(shù)演進,并有望在明年帶來PCIe 6.0的相關(guān)產(chǎn)品。
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