TPS43060 和 TPS43061 低 IQ電流模式同步 升壓控制器具有 4.5 至 38 V（絕對(duì)最大值 40 V）的寬輸入電壓范圍和升壓 輸出范圍高達(dá) 58 V。同步整流可實(shí)現(xiàn)高效率的大電流 應(yīng)用和無(wú)損電感器 DCR 傳感進(jìn)一步提高了效率。結(jié)果 低功耗與 3 mm × 3 mm WQFN-16 封裝相結(jié)合，具有 PowerPAD? 支持高功率密度和 在擴(kuò)展（–40°C 至 150°C）溫度范圍內(nèi)提供高可靠性的升壓轉(zhuǎn)換器解決方案。
*附件：具有寬 VIN 范圍的 TPS4306x 低靜態(tài)電流同步升壓直流 直流控制器數(shù)據(jù)表.pdf

該 TPS43060 包括一個(gè) 7.5V 柵極驅(qū)動(dòng)電源，適用于驅(qū)動(dòng)寬范圍 MOSFET 的TPS43061具有 5.5V 柵極驅(qū)動(dòng)電源和驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度，針對(duì)低 QgNexFET 功率 MOSFET。此外，TPS43061 還提供了一個(gè)集成的引導(dǎo)程序 二極管用于高端柵極驅(qū)動(dòng)器，以減少外部零件數(shù)量。

特性

• 58V 最大輸出電壓
• 4.5 至 38 V（絕對(duì)最大值 40 V）V在范圍
• TPS43060：針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)閾值 MOSFET 優(yōu)化的
  7.5V 柵極驅(qū)動(dòng)
• TPS43061：針對(duì)低 Q 值優(yōu)化的5.5V 柵極驅(qū)動(dòng)gNexFET? 功率 MOSFET
• 具有內(nèi)部
  斜率補(bǔ)償?shù)碾娏髂Ｊ娇刂?/li>
• 可調(diào)頻率范圍為 50 kHz 至
  1 MHz
• 與外部
  時(shí)鐘同步的能力
• 可調(diào)軟啟動(dòng)時(shí)間
• 電感器 DCR 或電阻器電流感應(yīng)
• 輸出電壓 Power-Good 指示燈
• ±0.8% 反饋參考電壓
• 5μA 關(guān)斷電源電流
• 600μA 工作靜態(tài)電流
• 集成自舉二極管 （TPS43061）
• 逐周期電流限制和熱
  關(guān)斷
• 可調(diào)欠壓鎖定 （UVLO）
  和輸出過(guò)壓保護(hù)
• 帶 PowerPAD? 的小型 16 引腳 WQFN（3 mm × 3 mm）
  封裝
• –40°C 至 150°C 工作TJ范圍

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPS4306x（包括TPS43060和TPS43061）
• ?制造商?：Texas Instruments
• ?類型?：低靜態(tài)電流同步升壓DC-DC控制器
• ?主要特點(diǎn)?：寬輸入電壓范圍（4.5V至38V），低靜態(tài)電流，同步整流，高效率

二、主要特性

• ?最大輸出電壓?：58V
• ?輸入電壓范圍?：4.5V至38V（絕對(duì)最大值為40V）
• ?門極驅(qū)動(dòng)電壓?：
  • TPS43060：7.5V，適用于標(biāo)準(zhǔn)閾值MOSFET
  • TPS43061：5.5V，適用于低Qg NexFET?功率MOSFET
• ?控制模式?：電流模式控制，內(nèi)部斜率補(bǔ)償
• ?開(kāi)關(guān)頻率?：可調(diào)，范圍從50kHz至1MHz
• ?保護(hù)功能?：過(guò)壓保護(hù)(OVP)、欠壓保護(hù)(UVLO)、過(guò)流限制、熱關(guān)斷

三、封裝與供貨信息

• ?封裝類型?：16引腳WQFN（3mm x 3mm）封裝，帶PowerPAD?
• ?供貨溫度范圍?：-40°C至150°C

四、電氣特性

• ?靜態(tài)電流?：
  • 操作靜態(tài)電流：600μA（典型值）
  • 關(guān)機(jī)供電電流：5μA（典型值）
• ?電壓參考?：內(nèi)部1.22V電壓參考，用于電壓調(diào)節(jié)
• ?軟啟動(dòng)時(shí)間?：可調(diào)，通過(guò)外部電容設(shè)置
• ?電源好(PGOOD)指示?：當(dāng)輸出電壓在預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，PGOOD引腳為高電平

五、功能描述

• ?同步整流?：提高高電流應(yīng)用的效率
• ?無(wú)損電感DCR感測(cè)?：進(jìn)一步提高效率
• ?自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制?：防止高低側(cè)MOSFET同時(shí)導(dǎo)通
• ?軟啟動(dòng)?：減少啟動(dòng)時(shí)的電流尖峰和輸出電壓過(guò)沖
• ? 過(guò)壓保護(hù)(OVP) ?：當(dāng)輸出電壓超過(guò)設(shè)定值的107%時(shí)，關(guān)閉低側(cè)MOSFET
• ?熱關(guān)斷?：當(dāng)結(jié)溫超過(guò)165°C時(shí)，自動(dòng)關(guān)斷控制器

六、應(yīng)用

• ?主要應(yīng)用?：Thunderbolt端口、汽車電源系統(tǒng)、同步反激、GaN RF功率放大器、平板電腦配件、電池供電系統(tǒng)等

七、外部組件選擇

• ?電感?：選擇具有低DCR和高飽和電流的電感
• ?輸出電容?：推薦使用低ESR的陶瓷電容，以提供穩(wěn)定的輸出電壓和紋波性能
• ?MOSFET?：根據(jù)門極驅(qū)動(dòng)電壓和功率需求選擇合適的MOSFET

八、布局考慮

• ?高速開(kāi)關(guān)電流路徑?：最小化高側(cè)FET、低側(cè)FET和輸出電容之間的連接路徑，以減少噪聲
• ?噪聲敏感電路?：將連接至FB、COMP、SS和RT/CLK引腳的組件放置在靠近TPS4306x的位置，并連接至AGND引腳
• ?PowerPAD連接?：將PowerPAD連接至模擬地，并使用熱過(guò)孔以提高熱性能