一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

羅姆MOSFET系列產品的優(yōu)勢和特點

羅姆半導體集團 ? 來源:羅姆半導體集團 ? 2025-03-27 14:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

高效能與低功耗已成為產品設計的核心需求,羅姆憑借其創(chuàng)新的技術和卓越的產品性能,為各行各業(yè)不斷提供可靠的解決方案。本文將重點介紹羅姆的MOSFET系列產品,帶您了解其技術優(yōu)勢和應用場景,更多信息您可點擊文內相關鏈接查看。

羅姆MOSFET具有低導通電阻、高速開關的特點,其產品線覆蓋小信號器件至800V高耐壓規(guī)格,廣泛適用于電源電機等多元化應用場景。同時,MOSFET是汽車電動化的必需品,羅姆的車載MOSFET是符合車載可靠性標準AEC-Q101的高可靠性產品,并且封裝陣容豐富,可靈活滿足各種車載系統(tǒng)的需求。

車載MOSFET

該系列提供可用于各種應用的可高速開關的低導通電阻產品。而且封裝產品陣容豐富,可以適應小型化、大電流化的趨勢,靈活滿足客戶的要求。還將通過開發(fā)新工藝結構,進一步降低導通電阻、提高開關速度。

產品推薦

車載Nch MOSFET

產品特點

車載Nch MOSFET“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”的耐壓分別為40V、60V和100V,均通過采用split gate實現(xiàn)了低導通電阻,有助于車載應用的高效運行。所有型號的產品均符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101,并確保高可靠性。

封裝有適用于不同應用的3種形式。小型封裝DFN2020Y7LSAA(2.0mm×2.0mm)和HSMT8AG(3.3mm×3.3mm)非常適用于高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等安裝面積較小的應用。另外還有已被廣泛用于車載電源等應用的TO-252(DPAK)封裝(6.6mm×10.0mm)。DFN2020Y7LSAA封裝的引腳采用的是可潤濕側翼(Wettable Flank)成型技術,TO-252封裝的引腳采用的是鷗翼型結構,安裝可靠性都非常高。

產品陣容

89b1c8c6-09f8-11f0-9310-92fbcf53809c.png

RF9G120BKFRA RF9L120BKFRA
RQ3G270BKFRA RQ3L270BKFRA
RQ3L270BLFRA RQ3L120BKFRA
RQ3P270BKFRA RD3G08CBKHRB
RD3L04BBKHRB RD3P06BBKHRB

190-800V功率MOSFET

羅姆額定電壓為600-800V的功率MOSFET產品,采用先進的超級結技術,兼具高速開關與低導通電阻的卓越性能,能降低應用過程中的能耗損失。該系列精心打造了低噪聲規(guī)格和高速開關規(guī)格兩類產品,可依據(jù)客戶的具體需求精準推薦。

在電源應用領域,如PC、服務器、充電器及照明等設備的PFC電路,低噪聲規(guī)格和高速開關規(guī)格產品都是理想之選。專為電機及逆變器節(jié)能化量身定制的PrestoMOS系列產品,內置運用羅姆專利技術制成的快速二極管。此系列適配空調、冰箱、洗衣機等家電,以及太陽能發(fā)電等領域所使用的電機及逆變器電路,同時也適用于圖騰柱型PFC電路和LLC電路,能有效提升能源利用效率。對于LED照明和工業(yè)用途,羅姆特別推薦使用800V規(guī)格的產品,以滿足其對高電壓和高性能的嚴苛要求。

產品推薦

采用SOT-223-3小型封裝的

600V耐壓Super Junction MOSFET

產品特點

89eeae62-09f8-11f0-9310-92fbcf53809c.png

1. 與以往TO-252封裝(6.60mm × 10.00mm × 2.30mm)的產品相比,該產品的面積減少約31%,厚度減少約27%,有助于實現(xiàn)更小、更薄的應用產品。另外,該產品還支持TO-252封裝電路板上的布線圖案(焊盤圖案),因此也可以直接使用現(xiàn)有的電路板。

2. 五款產品分別適用于小型電源和電機應用,各有不同的特點。

適用于小型電源的有3款型號,“R6004END4”具有低噪聲的特點,適用于需要采取降噪措施的應用;“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速開關的特點,適用于需要低損耗且高效率工作的應用;“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技術加快了反向恢復時間(trr)并大大降低了開關損耗,屬于“PrestoMOS”產品,非常適用于電機應用。

產品陣容

8a0db942-09f8-11f0-9310-92fbcf53809c.png

R6004END4 R6003KND4 R6006KND4
R6002JND4 R6003JND4 查看更多

12-150V MOSFET

該系列涵蓋N通道、P通道MOSFET以及Dual MOSFET。這些產品均具備低導通電阻與高開關速度的卓越特性,能有效提升系統(tǒng)效率與響應速度。從小信號處理所需的 MOSFET,到滿足大功率需求的功率MOSFET,該系列構建起了完備的產品矩陣,可廣泛適用于各類應用場景。另外羅姆還為各位工程師提供產品選型手冊及網頁,您可點擊查看。

- PchMOS專用選型指南

- 電機用新產品規(guī)格書數(shù)據(jù)下載頁面

產品推薦

100V耐壓雙MOSFET

產品特點

8a55b36e-09f8-11f0-9310-92fbcf53809c.png

1. 采用ROHM新工藝和背面散熱封裝,實現(xiàn)了業(yè)界超低的導通電阻(Ron) (Nch+Nch產品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。與普通的雙MOSFET相比,導通電阻降低達56%,非常有助于進一步降低應用設備的功耗。

2. 通過將兩枚芯片一體化封裝,可以減少安裝面積,有助于應用設備進一步節(jié)省空間。

產品陣容

8a6388ae-09f8-11f0-9310-92fbcf53809c.png

HP8KE6 HP8KE7 HT8KE5
HT8KE6 HP8ME5 查看更多

Nch MOSFET RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列

產品特點

8aa8f862-09f8-11f0-9310-92fbcf53809c.png

1. 該產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能,還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導通電阻(Ron),相比以往產品,導通電阻降低了50%。

2. 通過改進柵極結構,Qgd(柵-漏電荷,通常與導通電阻之間存在權衡關系)也比以往產品減少了約40%(Ron和Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產品之間的比較)。這可以降低開關損耗和導通損耗,非常有助于各種應用產品的高效率工作。

產品陣容

8ad025a4-09f8-11f0-9310-92fbcf53809c.png

RS6G120BG RS6G100BG RS6L120BG
RS6L090BG RS6N120BH RS6P100BH
RS6P060BH RS6R060BH RS6R035BH
RH6G040BG RH6L040BG RH6P040BH
RH6R025BH 查看更多

羅姆的MOSFET系列產品憑借其顯著的技術特性、豐富多元的產品陣容以及在車載領域穩(wěn)定可靠的表現(xiàn),為電子行業(yè)提供了廣泛且適配性強的解決方案。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    150

    文章

    8438

    瀏覽量

    219416
  • 封裝
    +關注

    關注

    128

    文章

    8617

    瀏覽量

    145107
  • 羅姆
    +關注

    關注

    4

    文章

    420

    瀏覽量

    66851

原文標題:一鍵下載羅姆MOSFET資料,了解產品優(yōu)勢與技術亮點

文章出處:【微信號:羅姆半導體集團,微信公眾號:羅姆半導體集團】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    重新定義基礎款,eSUN Basic 系列產品已陸續(xù)上線!

    eSUN易生PLA基礎(PLA-Basic)、PETG基礎(PETG-Basic)等基礎(Basic)系列產品已陸續(xù)上線,它們的主要特點在于出色的性價比,在保持價格優(yōu)勢的同時,也為用戶提供較好的打印使用體驗。
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:38 ?236次閱讀
    重新定義基礎款,eSUN Basic <b class='flag-5'>系列產品</b>已陸續(xù)上線!

    發(fā)布高效能100V功率MOSFET,助力AI服務器電源管理升級

    近日,半導體集團(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET,專為AI服務器的48V電源熱插拔電路設計。旨在提升數(shù)據(jù)中心的效率和可靠性,滿足日益增長的人工智能計算需求。根據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 06-11 10:35 ?343次閱讀
    <b class='flag-5'>羅</b><b class='flag-5'>姆</b>發(fā)布高效能100V功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>,助力AI服務器電源管理升級

    新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產品

    作為國內MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破,其研發(fā)團隊持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列
    的頭像 發(fā)表于 06-11 08:59 ?635次閱讀
    新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>系列產品</b>

    ROHM()傳感器_MEMS選型指南

    ROHM()傳感器_MEMS選型指南
    發(fā)表于 04-01 15:58 ?3次下載

    EcoGaN產品GaN HEMT被村田AI服務器電源采用

    全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“”)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產品GaN HEMT,被先進的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata
    的頭像 發(fā)表于 02-26 15:41 ?482次閱讀

    半導體宣布2025財年換帥

    近日,日本半導體宣布了一項重要人事變動,計劃在2025財年伊始(即2025年4月1日)進行高層調整?,F(xiàn)任董事會成員東克己將接替松本功,擔任半導體的總裁兼CEO,而松本功則將轉任
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:01 ?591次閱讀

    上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產品介紹

    上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產品。貝嶺150V SGT系列產品采用業(yè)界先進工藝,使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能;采用深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環(huán)終端結構,使得器件
    的頭像 發(fā)表于 01-03 10:19 ?1087次閱讀
    上海貝嶺150V SGT <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>系列產品</b>介紹

    、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關系

    的 650V 氮化鎵 HEMT工藝推出了 EcoGaN 系列產品。 ? 、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關系 ?
    的頭像 發(fā)表于 12-12 18:43 ?1177次閱讀
    <b class='flag-5'>羅</b><b class='flag-5'>姆</b>、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關系

    應用于消費電子領域的產品介紹

    多款可應用于手機、電腦、可穿戴設備等消費電子領域的新產品,促進行業(yè)發(fā)展,本文將為各位工程師介紹相關產品及技術。
    的頭像 發(fā)表于 12-05 10:49 ?608次閱讀

    Infineon Cypress停產Neuron系列產品徹斯特獨家授權供貨渠道

    幫助現(xiàn)場控制網絡持續(xù)正常運行 二十多年前,賽普拉斯(Cypress)和Echelon推出了Neuron系列產品,這是LonWorks現(xiàn)場控制網絡的核心,可與兼容LonWorks的產品實現(xiàn)連接。
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:25 ?773次閱讀

    將參加2024德國慕尼黑電子展

    全球知名半導體制造商即將于11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展(electronica2024)。此次展會,的展位號為C3-520。
    的頭像 發(fā)表于 11-11 18:13 ?1006次閱讀

    EcoSiC?技術應用于科索3.5kW AC-DC電源單元HFA/HCA系列

    全球領先的半導體制造商公司推出的EcoSiC?系列產品,包括SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(SBD),已被日本先進的電源制造商科索公司(COSEL CO., LTD.
    的頭像 發(fā)表于 10-30 10:58 ?825次閱讀

    宣布全面委托臺積電代工GaN產品

    近日,日本功率器件大廠半導體(ROHM)宣布了一項重要決策,將在GaN功率半導體領域加強與臺積電的合作。據(jù)悉,將全面委托臺積電代工生產GaN功率半導體器件,以水平分工的方式提升
    的頭像 發(fā)表于 10-10 17:17 ?848次閱讀

    SiC技術賦能極氪電動車核心部件

    近期,浙江吉利控股集團旗下的高端電動汽車品牌“極氪”迎來技術升級,其“X”、“009”及“001”三款主力車型的主機逆變器上,成功搭載了第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊。這一創(chuàng)新應用不僅彰顯了
    的頭像 發(fā)表于 09-03 14:38 ?802次閱讀

    半導體推動SiC MOSFET技術進步,與吉利汽車展開深度合作

    近日,半導體(ROHM)宣布其第四代SiCMOSFET成功應用于吉利電動車品牌極氪的三款車型中,標志著雙方合作進入了一個新的發(fā)展階段。這項合作不僅展示了在SiC技術領域的持續(xù)創(chuàng)
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:39 ?621次閱讀
    <b class='flag-5'>羅</b><b class='flag-5'>姆</b>半導體推動SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>技術進步,與吉利汽車展開深度合作