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LM3743 高性能同步降壓控制器,具有全面的故障保護(hù)功能數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-04-02 15:27 ? 次閱讀
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LM3743 是一款 DC-DC 電壓模式 PWM 降壓控制器,具有 300kHz 或 1MHz 的同步整流功能。它可以提供高達(dá) 20A 的電流,并從 3V 至 5.5V 的輸入電壓降至 0.8V 的最小輸出電壓,內(nèi)部基準(zhǔn)精度為 ±1.75%。LM3743 提供了一組全面的故障保護(hù)功能,例如高側(cè)電流限制、輸出欠壓保護(hù)和低側(cè)電流限制。當(dāng)這些故障保護(hù)功能中的任何一個(gè)啟用時(shí),它都會(huì)進(jìn)入打嗝保護(hù)模式,該模式適用于高可靠性系統(tǒng),如機(jī)架式服務(wù)器和電信基站子系統(tǒng)。LM3743 還采用了適用于 FPGAASIC 邏輯器件的專有單片無毛刺預(yù)偏置啟動(dòng)方法。外部可編程軟啟動(dòng)可實(shí)現(xiàn)跟蹤和定時(shí)靈活性。該驅(qū)動(dòng)器具有 1.6Ω 的上拉電阻和 1Ω 的下拉驅(qū)動(dòng)電阻,可實(shí)現(xiàn)高功率密度和非常高效的功率處理。
*附件:LM3743 具有 Compreh 故障保護(hù)功能的高性能同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf

特性

  • 輸入電壓從 3.0V 到 5.5V
  • 輸出電壓可調(diào)低至 0.8V
  • 基準(zhǔn)精度:±1.75%,在整個(gè)溫度和輸入電壓范圍內(nèi)
  • 高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET
  • 開關(guān)頻率選項(xiàng)為 1 MHz 或 300 kHz
  • 全面的故障保護(hù)功能:
    • High-Side Current Limit
    • Low-Side Current Limit(低側(cè)電流限制)
    • 輸出欠壓保護(hù)
  • 打嗝模式保護(hù)可消除故障情況下的熱失控
  • 具有跟蹤功能的外部可編程軟起動(dòng)
  • 預(yù)偏置啟動(dòng)能力
  • VSSOP-10 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:LM3743
  • ?制造商?:Texas Instruments(德州儀器
  • ?類型?:高性能同步降壓控制器
  • ?特點(diǎn)?:具有全面的故障保護(hù)功能,適用于高可靠性系統(tǒng)

2. 主要特點(diǎn)

  • ?輸入電壓范圍?:3.0V至5.5V
  • ?輸出電壓范圍?:0.8V至輸入電壓
  • ?開關(guān)頻率?:可選1MHz或300kHz
  • ?輸出電流?:高達(dá)20A
  • ?故障保護(hù)功能?:高側(cè)電流限制、低側(cè)電流限制、輸出欠壓保護(hù)、打嗝模式保護(hù)
  • ?預(yù)偏置啟動(dòng)能力?:適合FPGA和ASIC邏輯設(shè)備
  • ?軟啟動(dòng)功能?:外部可編程,具有跟蹤能力

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 機(jī)架式服務(wù)器
  • 電信基站子系統(tǒng)
  • 路由器
  • 打印機(jī)/掃描儀
  • 多媒體機(jī)頂盒
  • FPGA、ASIC和DSP

4. 功能描述

  • ?正常操作?:通過控制功率FET的占空比來調(diào)節(jié)輸出電壓。
  • ?啟動(dòng)與預(yù)偏置啟動(dòng)?:采用專有的無抖動(dòng)預(yù)偏置啟動(dòng)方法,支持預(yù)偏置輸出。
  • ?故障保護(hù)?:
    • ?高側(cè)電流限制?:保護(hù)功率組件免受極高電流損害。
    • ?低側(cè)電流限制?:通過感應(yīng)低側(cè)MOSFET的漏源電壓實(shí)現(xiàn)。
    • ?輸出欠壓保護(hù)?:輸出電壓低于設(shè)定閾值時(shí)進(jìn)入打嗝模式。
  • ?打嗝模式保護(hù)?:在故障條件下消除熱奔跑現(xiàn)象,適合高可靠性系統(tǒng)。

5. 性能參數(shù)

  • ?參考電壓準(zhǔn)確性?:±1.75%
  • ?軟啟動(dòng)時(shí)間?:可編程
  • ?高側(cè)/低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻?:1.6Ω(上拉),1Ω(下拉)
  • ?振蕩器頻率?:300kHz或1MHz
  • ?最大占空比?:85%(300kHz),76%(1MHz)
  • ? 熱阻(θJA) ?:235°C/W

6. 設(shè)計(jì)考慮

  • ?輸出電感選擇?:基于效率、尺寸和響應(yīng)時(shí)間權(quán)衡選擇。
  • ?輸出電容選擇?:根據(jù)輸出電壓紋波要求選擇電容值和ESR。
  • ?MOSFET選擇?:根據(jù)成本、尺寸和效率權(quán)衡選擇。
  • ?控制環(huán)路補(bǔ)償?:采用電壓模式PWM控制,需要仔細(xì)的小信號(hào)補(bǔ)償以實(shí)現(xiàn)高帶寬和良好的相位裕度。

7. 封裝與訂購(gòu)信息

  • ?封裝類型?:VSSOP-10
  • ?溫度范圍?:-40°C至125°C

8. 安全與警告

  • ?靜電放電(ESD)保護(hù)?:器件具有有限的內(nèi)置ESD保護(hù),存儲(chǔ)或處理時(shí)需采取防靜電措施。
  • ?熱管理?:使用時(shí)需注意散熱,避免超過最大結(jié)溫。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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