眾所周知，“80 PLUS”是用于評估并認證計算機和服務(wù)器內(nèi)部電源效率的重要標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)，而2011年推出的鈦金作為其最嚴(yán)苛的效率標(biāo)準(zhǔn)，也于2025年1月，由最新的紅寶石 “Ruby”標(biāo)準(zhǔn)替代?！凹t寶石”要求電源在原鈦金標(biāo)準(zhǔn)下，所有負載條件下的系統(tǒng)效率額外提升1%（50%負載時提升0.5%），達到96.5%的效率新基準(zhǔn)。

這一全新標(biāo)準(zhǔn)為行業(yè)指明了效率提升的路徑，為數(shù)據(jù)中心應(yīng)對云存儲、商業(yè)領(lǐng)域需求演變及解決高負載AI計算對電網(wǎng)產(chǎn)生的巨大的壓力提供了指南。例如，每臺通過紅寶石標(biāo)準(zhǔn)認證的3.2kW CRPS185電源在3年生命周期內(nèi)，可節(jié)省高達420kWh電力，相當(dāng)于減少超過400kg二氧化碳排放。

憑借著深厚的氮化鎵和碳化硅技術(shù)積累，以及專設(shè)的數(shù)據(jù)中心設(shè)計中心的工程經(jīng)驗，納微半導(dǎo)體成功推出了一系列AI數(shù)據(jù)中心和大規(guī)模計算專用的服務(wù)器電源產(chǎn)品，并均已成功超越最嚴(yán)苛的80PLUS紅寶石標(biāo)準(zhǔn)。

今日，慕尼黑上海電子展于新國際博覽中心盛大開幕！納微半導(dǎo)體聯(lián)手戰(zhàn)略合作伙伴兆易創(chuàng)新，共同向觀眾描繪了最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖，首次向行業(yè)公開亮相12kW OCP服務(wù)器電源參考設(shè)計！

全球獨家！行業(yè)首款12kW OCP電源

繼全球首發(fā)8.5kW OCP電源后，納微再次刷新服務(wù)器電源天花板高度，在本次慕尼黑上海電子展全球首秀12kW OCP電源。該方案采用了納微GaNSafe高功率氮化鎵功率芯片和GeneSiC第三代快速碳化硅功率器件混合設(shè)計，并結(jié)合兆易創(chuàng)新GD32G5系列先進MCU，以85W/in3的超高功率密度和超97.5%的峰值效率，不僅輕松超越最新80 PLUS紅寶石標(biāo)準(zhǔn)，更重要的是其能使數(shù)據(jù)中心和超大規(guī)模運營商能夠?qū)崿F(xiàn)單機架120kW的超高功率密度。

該電源針對AI數(shù)據(jù)中心優(yōu)化的輸出電壓為50V的服務(wù)器電源，符合開放計算項目（OCP）和開放機架v3（ORv3）規(guī)范。

創(chuàng)新亮點

創(chuàng)新拓撲：基于納微第三代快速碳化硅MOSFET打造的50 kHz三相交錯連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）圖騰柱PFC拓撲，配合120kHz三相全橋LLC架構(gòu)及GaNSafe氮化鎵功率芯片，實現(xiàn)超高效率、精簡元件數(shù)量，并顯著降低紋波電流和電磁干擾（EMI）。

行業(yè)首創(chuàng)：PFC與LLC所采用三相拓撲的設(shè)計為納微獨家技術(shù)，該技術(shù)是納微繼8.5kW OCP電源后的又一成功應(yīng)用。

智能控制技術(shù)：搭載納微專利的IntelliWeave雙環(huán)路雙前饋交錯數(shù)字控制技術(shù)，確保全負載范圍內(nèi)實現(xiàn)零電壓開關(guān)（ZVS），較現(xiàn)有CCM方案減少30%功率損耗。

全球首款8.5kW OCP電源

為開放計算項目（OCP）和開放機架v3（ORv3）規(guī)范打造的50V服務(wù)器電源，納微GaNSafe和GeneSiC混合設(shè)計與兆易創(chuàng)新GD32G5系列先進MCU深度協(xié)作，可實現(xiàn)84.6W/in3的超高功率密度和98%的峰值效率，同樣輕松超越紅寶石標(biāo)準(zhǔn)。

創(chuàng)新亮點

其拓撲采用三相交錯PFC和三相LLC架構(gòu), 以確保實現(xiàn)最高效率和最佳性能，將無源器件數(shù)量降至最低，同時為PFC和LLC帶來行業(yè)內(nèi)最低的紋波電流和EMI。

與最接近的競品（兩相交錯PFC，器件并聯(lián)方案）相比，該電源的氮化鎵和碳化硅器件數(shù)量要少25%，進而降低了整體成本。

該電源的輸入電壓范圍為180至305Vac，待機輸出電壓為50V，工作溫度范圍為-5°C至45°C，在8.5kW時的保持時間為20ms。

全球最高功率密度！

CRPS185 4.5kW紅寶石電源

同樣采用氮化鎵和碳化硅混設(shè)計，搭配兆易創(chuàng)新GD32G5系列先進MCU，以137W/in3的超高功率密度和超97%的效率冠絕全球。

創(chuàng)新亮點

納微的650V第三代快速碳化硅MOSFETs采用了“溝槽輔助平面柵”技術(shù)，使其能夠在不同溫度下為實際應(yīng)用帶來最高系統(tǒng)效率和可靠性。

運用在LLC拓撲中的650V 納微GaNSafe氮化鎵功率芯片，憑借高度集成的功率、保護、控制和驅(qū)動功能，以及易于使用、堅固耐用、散熱性能出色的TOLL封裝，是大功率應(yīng)用獨特的理想之選。

GaNSafe氮化鎵功率芯片擁有極低的開關(guān)損耗和高達800V的瞬態(tài)電壓性能，以及低門極電荷（Qg）、低輸出電容（COSS）和無反向恢復(fù)損耗（Qrr）等高速開關(guān)優(yōu)勢。

本屆慕尼黑電子展，納微半導(dǎo)體的3款先進AI數(shù)據(jù)中心電源方案，特別呈現(xiàn)于兆易創(chuàng)新的展臺（上海新國際博覽中心N5館701展位），誠邀您蒞臨參觀，與兆易創(chuàng)新及納微技術(shù)團隊現(xiàn)場探討數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)的未來創(chuàng)新。