電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）2025慕尼黑上海電子展上周落幕，在今年的電子展上，功率半導(dǎo)體廠商匯聚N4館，碳化硅和氮化鎵依然是當(dāng)前功率半導(dǎo)體行業(yè)中最受關(guān)注的方向。與此同時(shí)，在應(yīng)用方案上，本次展會(huì)上不少?gòu)S商在數(shù)據(jù)中心電源上發(fā)力，光伏儲(chǔ)能、OBC等領(lǐng)域，多家碳化硅廠商已經(jīng)大規(guī)模導(dǎo)入產(chǎn)品。當(dāng)然，近期火熱的人形機(jī)器人，也有部分廠商展示出一些基于GaN的方案。

那么下面就來(lái)看看本次慕展上，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域有哪些值得關(guān)注的新品和趨勢(shì)。

三安半導(dǎo)體

三安半導(dǎo)體在本次展會(huì)上展出了從650V到2000V的SiC MSOFET和SBD產(chǎn)品、650V GaN HEMT、8英寸碳化硅襯底以及碳化硅光波導(dǎo)襯底等全系三代半產(chǎn)品。

據(jù)了解，目前三安的碳化硅SBD在光伏領(lǐng)域的市場(chǎng)份額表現(xiàn)亮眼，出貨量在市場(chǎng)上已經(jīng)具備較大的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。SiC MOSFET方面在光伏逆變器上正在加速導(dǎo)入，未來(lái)配合SBD出貨量?jī)?yōu)勢(shì)將有很大的潛力。

目前三安半導(dǎo)體已經(jīng)推出第五代SiC SBD，覆蓋650V-2000V、1A-80A規(guī)格，具有低正向壓降、低反向漏電流、高浪涌電流和雪崩能力等技術(shù)優(yōu)勢(shì)，部分型號(hào)通過(guò)AEC-Q100車(chē)規(guī)認(rèn)證。

在車(chē)規(guī)方面，三安半導(dǎo)體此前與ST、理想汽車(chē)深度合作，但尚未大規(guī)模出貨。面向主驅(qū)的產(chǎn)品目前主要是1200V 13mΩ/16mΩ SiC MOSFET，目前處于客戶(hù)驗(yàn)證階段，這也是國(guó)內(nèi)SiC廠商的主流進(jìn)度。

在2025年，三安半導(dǎo)體還將推出1200V 12mΩ的車(chē)規(guī)新品，以及2000V 20mΩ的產(chǎn)品，面向未來(lái)兆瓦級(jí)充電樁應(yīng)用。

愛(ài)仕特

愛(ài)仕特在本次展會(huì)上亮相了第四代SiC MOS技術(shù)新品，包括1200V/10mΩ SiC MOSFET、1700V/16mΩ SiC MOSFET、1200V/1000A SiC功率模塊三大系列新品，主要特點(diǎn)是全系產(chǎn)品支持15V/18V雙電壓驅(qū)動(dòng)，兼容現(xiàn)有采用硅基功率器件的電路，為應(yīng)用方案升級(jí)SiC提供便利。

在MOSFET的部分，首先是導(dǎo)通電阻得到顯著降低，1200V單管SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻低至10mΩ，適用于800V新能源平臺(tái)；1700V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻為16mΩ，兼顧高耐壓與低損耗，為高壓應(yīng)用場(chǎng)景提供極致效率，適用于1000V平臺(tái)、充電樁、儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域。

據(jù)了解，目前愛(ài)仕特SiC MOSFET單管已經(jīng)向比亞迪等頭部新能源大廠的OBC產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)并上車(chē)。另外，現(xiàn)場(chǎng)還展示了新能源汽車(chē)主驅(qū)的方案，比如基于愛(ài)仕特1200V SiC模塊的雙電機(jī)控制器，應(yīng)用于商用車(chē)。

工作人員向電子發(fā)燒友透露，近期商用車(chē)市場(chǎng)上1700V SiC模塊產(chǎn)品供應(yīng)緊張。在商用車(chē)領(lǐng)域，由于電池容量更大，往往電壓會(huì)比乘用車(chē)更高，隨著包括商用車(chē)的電動(dòng)化進(jìn)程加速，未來(lái)1700V車(chē)規(guī)SiC模塊的需求也將迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)。

瞻芯電子

瞻芯電子在這次展出了去年推出的第三代1200V SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)，產(chǎn)品覆蓋了650V, 750V, 1200V, 1700V, 2000V, 3300V等電壓等級(jí)。另外還有SiC專(zhuān)用的多種驅(qū)動(dòng)芯片，比如5.7kVrms隔離驅(qū)動(dòng)芯片IVCO141x集成負(fù)壓驅(qū)動(dòng)/短路保護(hù)，車(chē)規(guī)級(jí)，集成負(fù)壓驅(qū)動(dòng)/短路保護(hù)功能，以及PMIC芯片。

在封裝方面，瞻芯電子推出了TC3Pak頂部散熱封裝SiC MOSFET產(chǎn)品，采用成熟的第二代1200V SiC MOSFET技術(shù)，兼容15V~18V驅(qū)動(dòng)電壓，具有散熱能力強(qiáng)、開(kāi)關(guān)損耗低等特點(diǎn)。SiC模塊方面，瞻芯推出了SMPD封裝的半橋模塊，同樣是頂部散熱，具備尺寸小、重量輕、抗振蕩等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于OBC、便攜儲(chǔ)能、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器等領(lǐng)域。

瀚薪科技

一直以來(lái)較為低調(diào)的瀚薪在本次展會(huì)上展出了其最新的第三代H3M SiC MOSFET產(chǎn)品。相比與上一代產(chǎn)品，H3M具有更低的導(dǎo)通電阻，大幅降低了寄生電容，開(kāi)關(guān)損耗更低；支持15V/18V柵-源電壓驅(qū)動(dòng)，更靈活適配不同客戶(hù)對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的要求；更高的雪崩能量，增強(qiáng)設(shè)備的魯棒性和安全性；降低Ron溫度系數(shù)，提高器件的穩(wěn)定性和可靠性。

H3M SiC MOSFET覆蓋650V、750V、1200V、1400V、3300V的電壓等級(jí)，目前1200V及以下電壓產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并提供TO-247-4、TO-247-3、TO-220、TO-263-2、TO-263-7、TOLL、T2PAK（頂部散熱）等封裝，適配新能源汽車(chē)（空調(diào)壓縮機(jī)控制器，BMS，OBC，DC-DC）、光伏逆變器、充電樁、工業(yè)電源等高需求領(lǐng)域。

在SiC二極管方面，瀚薪H4S系列產(chǎn)品覆蓋

650V/750V/1200V/1400V/1700V電壓等級(jí)，電流范圍2A~60A，具備業(yè)界極低Vf、超高浪涌電流能力等特性，廣泛用于光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)、車(chē)載充電機(jī)、數(shù)據(jù)中心電源等高頻高效場(chǎng)景。

據(jù)介紹，目前瀚薪與揚(yáng)杰合資的6寸晶圓廠已經(jīng)投入運(yùn)營(yíng)，而8英寸SiC晶圓廠也正在布局中。

英諾賽科

英諾賽科這次展會(huì)上重點(diǎn)展示了數(shù)據(jù)中心電源的方案，前段時(shí)間推出的48V-12V四相2kW 降壓電源方案，也在現(xiàn)場(chǎng)展出了Demo。

四相Buck電源方案的精妙之處在于，總負(fù)載電流由四相均攤，每相電流僅為總電流的1/4，由于功率損耗與電流平方成正比，因此損耗顯著降低，效率提升明顯；同時(shí)四相波形以90°相位差依次開(kāi)啟，疊加后總輸出紋波頻率變?yōu)閱蜗嗟?倍，便于濾波，可以采用更少的電容。因此這個(gè)方案可以在高功率場(chǎng)景下實(shí)現(xiàn)效率、熱管理、動(dòng)態(tài)響應(yīng)及可靠性的全面提升。

英諾賽科在這個(gè)方案上采用了4顆100V GaN半橋驅(qū)動(dòng) IC（INS2002FQ）和16顆100V雙面散熱的低壓GaN FET（INN100EA035A）。INN100EA035A是英諾賽科在2月推出的一款100V E-Mode GaN新品，主要特性是采用了雙面冷卻，相比傳統(tǒng)的單面冷卻封裝，導(dǎo)熱率高65%。這款產(chǎn)品也主要面向數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人等48V驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。

一些觀察

上面提到的只是很小一部分廠商和產(chǎn)品，當(dāng)然不是說(shuō)其他廠商沒(méi)有值得提到的產(chǎn)品，而是之前我們都已經(jīng)報(bào)道過(guò)。

另外有一些觀察，小編在最后給大家匯報(bào)一下。一是125kW儲(chǔ)能PCS產(chǎn)品，導(dǎo)入SiC的意愿比較強(qiáng)烈，不少?gòu)S商提到儲(chǔ)能市場(chǎng)還是比較樂(lè)觀的。

二是MOSFET單管、模塊，對(duì)散熱的要求在很多應(yīng)用中似乎都提高了，從廠商展出的產(chǎn)品，以及交流中提到，頂部散熱封裝在市場(chǎng)上的表現(xiàn)在近期都不錯(cuò)，尤其是在OBC上的應(yīng)用。比如華潤(rùn)微、威兆半導(dǎo)體等展出的MSOP系列封裝頂部散熱的SJ MOSFET產(chǎn)品；士蘭微的HSOP8 SJ MOSFET；飛锃半導(dǎo)體、瞻芯的SMPD封裝模塊等。

三是比亞迪的SiC需求確實(shí)非常大，盡管比亞迪已經(jīng)自建SiC晶圓廠，但目前產(chǎn)能還遠(yuǎn)不能滿足自身，還需要大規(guī)模對(duì)外采購(gòu)。對(duì)于國(guó)內(nèi)SiC廠商的產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，目前比亞迪的OBC是主要應(yīng)用方向。

四是在這次展會(huì)上我還發(fā)現(xiàn)有功率廠商已經(jīng)宣布進(jìn)軍第四代半導(dǎo)體了，開(kāi)始布局氧化鎵器件。至于為什么要這么快官宣做四代半？這就留給大家來(lái)解讀吧。