TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，專(zhuān)為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。

該器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，并且只需要 20 μF 的最小輸出電容。該器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
*附件：tps51200a-q1.pdf

此外，該器件還提供漏極開(kāi)路 PGOOD 信號(hào)來(lái)監(jiān)控輸出調(diào)節(jié)，并提供可用于在 DDR 應(yīng)用的 S3（掛起到 RAM）期間對(duì) VTT 放電的 EN 信號(hào)。

該器件采用熱效率高的 VSON-10 封裝，具有綠色和無(wú)鉛兩種等級(jí)。該器件的額定溫度范圍為 –40°C 至 125°C。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車(chē)應(yīng)用：
  • 器件溫度等級(jí) 1：–40°C ≤ T 一個(gè) ≤ 125°C
  • 器件 HBM ESD 分類(lèi) 2 級(jí)
  • 器件 CDM ESD 分類(lèi)等級(jí) C4B
• 擴(kuò)展可靠性測(cè)試
• 輸入電壓：支持 2.5V 軌和 3.3V 軌
• VLDOIN 電壓范圍：1.1 V 至 3.5 V
• 灌電流和拉電流端接穩(wěn)壓器包括壓降補(bǔ)償
• 對(duì)于存儲(chǔ)器終端應(yīng)用 （DDR），需要 20μF 的最小輸出電容（通常為 3 × 10μF MLCC）
• PGOOD 監(jiān)控輸出調(diào)節(jié)
• EN 輸入
• REFIN 輸入允許直接或通過(guò)電阻分壓器進(jìn)行靈活的輸入跟蹤
• 遙感 （VOSNS）
• ±10mA 緩沖基準(zhǔn) （REFOUT）
• 內(nèi)置軟啟動(dòng)、UVLO 和 OCL
• 熱關(guān)斷
• 符合 DDR、DDR2 JEDEC 規(guī)范;支持 DDR3 和低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 應(yīng)用
• VSON-10 封裝，帶外露導(dǎo)熱墊

參數(shù)

方框圖

1. 概述

TPS51200A-Q1是一款專(zhuān)為低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)設(shè)計(jì)的DDR終止調(diào)節(jié)器，特別適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。該器件支持DDR、DDR2、DDR3及低功耗DDR3/DDR4的VTT總線終止，并集成了遠(yuǎn)程感測(cè)功能。

2. 主要特性

• ?AEC-Q100認(rèn)證?：適用于汽車(chē)應(yīng)用，溫度范圍為-40°C至125°C。
• ?寬輸入電壓范圍?：支持2.5V和3.3V輸入電壓軌。
• ?靈活的VTT參考電壓?：通過(guò)REFIN引腳可靈活設(shè)置VTT參考電壓，支持DDR、DDR2、DDR3及低功耗DDR3/DDR4規(guī)格。
• ?低輸出電容要求?：僅需最小20μF的輸出電容即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的操作。
• ?內(nèi)置軟啟動(dòng)、欠壓鎖定和過(guò)流保護(hù)?：提供安全可靠的電源管理功能。
• ?熱關(guān)斷功能?：防止器件過(guò)熱損壞。
• ?PGOOD信號(hào)?：監(jiān)控輸出調(diào)節(jié)狀態(tài)，提供開(kāi)漏輸出。
• ?小尺寸封裝?：采用VSON-10封裝，尺寸為3.00mm×3.00mm，適合空間受限的應(yīng)用。

3. 功能描述

• ?源和匯終止調(diào)節(jié)器?：TPS51200A-Q1集成了一個(gè)高性能的低壓差（LDO）線性調(diào)節(jié)器，能夠同時(shí)提供源和匯電流，滿足DDR內(nèi)存終止的需求。
• ?遠(yuǎn)程感測(cè)?：通過(guò)VOSNS引腳實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程電壓感測(cè)，確保VTT電壓的準(zhǔn)確性。
• ?靈活的REFIN輸入?：REFIN引腳可以通過(guò)外部電壓分壓器或直接連接內(nèi)存供電總線（VDDQ）來(lái)設(shè)置，提供靈活的輸入跟蹤功能。
• ?REFOUT引腳?：提供±10mA的緩沖參考電壓，用于DDR內(nèi)存終止。
• ?軟啟動(dòng)功能?：通過(guò)電流鉗制實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)，避免啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流。
• ?使能控制?：通過(guò)EN引腳控制設(shè)備的開(kāi)啟和關(guān)閉，支持S3和偽S5狀態(tài)。

4. 應(yīng)用

• 主要應(yīng)用于DDR、DDR2、DDR3及低功耗DDR3/DDR4內(nèi)存的VTT終止，適用于筆記本、桌面電腦、服務(wù)器、電信和數(shù)據(jù)通信、GSM基站、液晶電視和等離子電視、復(fù)印機(jī)、打印機(jī)、機(jī)頂盒等設(shè)備。

5. 典型應(yīng)用電路

• 提供了多個(gè)典型應(yīng)用電路，包括DDR3 VTT DIMM應(yīng)用、DDR2配置、DDR3配置、低功耗DDR3/DDR4配置以及跟蹤配置等，詳細(xì)說(shuō)明了設(shè)計(jì)參數(shù)和元件選擇。

6. 布局與熱考慮

• 強(qiáng)調(diào)了正確布局對(duì)性能的重要性，提供了布局指南和布局示例。
• 討論了熱設(shè)計(jì)考慮，包括熱阻、熱傳導(dǎo)和熱管理，確保器件在高功率耗散下的可靠運(yùn)行。

7. 文檔與支持

• 提供了詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)、應(yīng)用報(bào)告、工具和軟件支持。
• 可通過(guò)TI的E2E?在線社區(qū)獲取技術(shù)支持和討論。

8. 封裝與尺寸

• 采用VSON-10封裝，尺寸為3.00mm×3.00mm，具有裸露的熱墊，用于提高熱性能。

9. 注意事項(xiàng)

• 在使用過(guò)程中需遵守靜電放電（ESD）預(yù)防措施，避免損壞器件。
• 布局時(shí)應(yīng)遵循提供的布局指南，確保最佳性能。