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標簽 > DDR3
DDR3是一種計算機內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動態(tài)動態(tài)隨機存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
DDR3是一種計算機內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動態(tài)動態(tài)隨機存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
技術(shù)概論
CWD是作為寫入延遲之用,Reset提供了超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒電路停止運作、進入超省電待命模式,ZQ則是一個新增的終端電阻校準功能,新增這個線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用來校準ODT(On Die Termination)內(nèi)部終端電阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可編程化溫度控制內(nèi)存時脈功能,SRT的加入讓內(nèi)存顆粒在溫度、時脈和電源管理上進行優(yōu)化,可以說在內(nèi)存內(nèi),就做了電源管理的功能,同時讓內(nèi)存顆粒的穩(wěn)定度也大為提升,確保內(nèi)存顆粒不致于工作時脈過高導致燒毀的狀況,同時DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以說針對整個內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫以達到省電功效。
DDR3是一種計算機內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動態(tài)動態(tài)隨機存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
技術(shù)概論
CWD是作為寫入延遲之用,Reset提供了超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒電路停止運作、進入超省電待命模式,ZQ則是一個新增的終端電阻校準功能,新增這個線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用來校準ODT(On Die Termination)內(nèi)部終端電阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可編程化溫度控制內(nèi)存時脈功能,SRT的加入讓內(nèi)存顆粒在溫度、時脈和電源管理上進行優(yōu)化,可以說在內(nèi)存內(nèi),就做了電源管理的功能,同時讓內(nèi)存顆粒的穩(wěn)定度也大為提升,確保內(nèi)存顆粒不致于工作時脈過高導致燒毀的狀況,同時DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以說針對整個內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫以達到省電功效。
在Vivado調(diào)用MIG產(chǎn)生DDR3的問題解析
下面是調(diào)用的DDR3模塊的,模塊的倒數(shù)第二行是,模塊的時鐘輸入,時鐘源來自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時鐘的倍頻。
LP2998-Q1 用于汽車應用的 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器...
2025-04-27 標簽:DDR3運算放大器線性穩(wěn)壓器 159 0
TPS51200A-Q1 灌電流和拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設計。 該器...
對于看英文手冊,大家肯定都很苦惱,尤其是那種幾百上千頁的手冊,真是看著就頭大, 不得不說,找個國產(chǎn)DDR的手冊是真難。 雖然比不上協(xié)議原文,但對于理解概...
2024-12-12 標簽:DDR3 837 0
AXI總線由一些核心組成,包括AXI主處理器接口(AXI4)、AXI處理器到協(xié)處理器接口(AXI4-Lite)、AXI主外設接口(AXI4)、AXI外設...
XC7K410T-FFG900外設之DDR3硬件設計方案分享
在數(shù)據(jù)速率帶寬約束方面,DDR3運行速度受限于其與K7-410T FPGA互聯(lián)的I/O Bank 管腳以及FPGA器件的速度等級。
類別:PCB設計規(guī)則 2023-04-10 標簽:DDR3
DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR區(qū)別立即下載
類別:存儲器技術(shù) 2023-01-13 標簽:DDR3DDR2DDR4
燦芯半導體推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP
燦芯半導體(上海)股份有限公司(燦芯股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo ...
三大內(nèi)存原廠或?qū)⒂?025年停產(chǎn)DDR3/DDR4
據(jù)報道,業(yè)內(nèi)人士透露,全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光,有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨...
DDR3、DDR4、DDR5是計算機內(nèi)存類型的不同階段,分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)。以下是它們之間的...
2024-11-29 標簽:DDR3數(shù)據(jù)DDR4 7607 0
三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存
近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
SK海力士、三星電子陸續(xù)停產(chǎn)DDR3內(nèi)存,帶動市場價格上行
雖然 DDR3 逐漸淪為邊緣化產(chǎn)品,但其在電視機頂盒、無線路由器、交換機以及顯示器等設備中的應用仍然廣泛。值得關(guān)注的是,全球第四大內(nèi)存商美光雖尚未明確決...
羅徹斯特電子推出一種可持續(xù)支持成熟微處理器的低密度解決方案
DDR雙倍數(shù)據(jù)速率技術(shù)是在每個時鐘信號周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù),可以實現(xiàn)以往同步DRAM設備傳輸速率的兩倍。
先楫高性能MCU HPM6800系列產(chǎn)品生態(tài)綻放,共鏈未來
2024年3月28日,上海 - 國產(chǎn)高性能微控制器廠商上海先楫半導體科技有限公司(先楫半導體,HPMicro)攜手生態(tài)合作伙伴芯原、立功科技、順微電子和...
DDR5內(nèi)存相對于DDR4有更高的內(nèi)部時鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率,從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達到6400MT/s以上,比DDR4的最高傳輸速...
2024-03-12 標簽:DDR3存儲器數(shù)據(jù)傳輸 1162 0
那有人會問,那為什么隨著行業(yè)的發(fā)展,還是有人覺得SI是一門玄學?這個問題就變得有意義了。
先楫半導體攜手芯原打造新一代數(shù)字儀表顯示及人機界面系統(tǒng)應用平臺
2024年3月4日,上海 - 國產(chǎn)高性能微控制器廠商上海先楫半導體科技有限公司(先楫半導體,HPMicro)在其豐富的高性能微處理器產(chǎn)品組合的基礎上,推...
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