TPS54116-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、4A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，具有 兩個(gè)集成 MOSFET 和 1A 灌/拉雙數(shù)據(jù)速率 （DDR） VTT 端接穩(wěn)壓器，具有 VTTREF 緩沖基準(zhǔn)輸出。

TPS54116-Q1 降壓穩(wěn)壓器通過(guò)集成 MOSFET 和 以高達(dá) 2.5MHz 的開(kāi)關(guān)頻率減小電感器尺寸。開(kāi)關(guān)頻率可設(shè)定 高于中波無(wú)線(xiàn)電頻段，適用于噪聲敏感型應(yīng)用，可與 外部時(shí)鐘。同步整流使整個(gè)輸出負(fù)載的頻率保持固定 范圍。通過(guò)集成的 25mΩ 低側(cè)和 33mΩ 高側(cè) MOSFET 實(shí)現(xiàn)效率最大化。 逐周期峰值電流限制可在過(guò)流情況下保護(hù)器件，并且 可通過(guò) ILIM 引腳上的電阻器進(jìn)行調(diào)節(jié)，以針對(duì)較小的電感器進(jìn)行優(yōu)化。
*附件：tps54116-q1.pdf

VTT 終端穩(wěn)壓器可在僅 2 × 10μF 的電流下保持快速瞬態(tài)響應(yīng) 陶瓷輸出電容減少了外部元件數(shù)量。TPS54116-Q1 使用遙感 的 VTT 最佳監(jiān)管。

使用使能引腳進(jìn)入關(guān)斷模式可將電源電流降至 1μA。下 電壓鎖定閾值可通過(guò)任一 Enable 引腳上的 Resistor 網(wǎng)絡(luò)來(lái)設(shè)置。VTT 和 使用 ENLDO 禁用時(shí)，VTTREF 輸出將放電。

完全集成，通過(guò) 4 mm × 4 mm 的小型散熱增強(qiáng)最大限度地減少了 IC 占用空間 WQFN 軟件包。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下：
  • 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類(lèi) 2 級(jí)
  • 器件 CDM ESD 分類(lèi)等級(jí) C6
• 單芯片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存電源解決方案
• 4A 同步降壓轉(zhuǎn)換器
  • 集成 33mΩ 高壓側(cè)和 25mΩ 低壓側(cè) MOSFET
  • 固定頻率電流模式控制
  • 可調(diào)頻率范圍為 100 kHz 至 2.5 MHz
  • 可同步至外部時(shí)鐘
  • 0.6V ±1% 電壓基準(zhǔn)，整個(gè)溫度范圍內(nèi)
  • 可調(diào)的逐周期峰值電流限制
  • 單調(diào)啟動(dòng)至預(yù)偏置輸出
• 具有 ±20mV 直流精度的 1A 拉電流/灌電流終端 LDO
  • 使用 2 × 10μF MLCC 電容器保持穩(wěn)定
  • 10mA 拉電流/灌電流緩沖參考輸出調(diào)節(jié)至 VDDQ 的 49% 至 51% 范圍內(nèi)
• 具有可調(diào) UVLO 和遲滯的獨(dú)立使能引腳
• 熱關(guān)斷
• –40°C 至 150°C 工作 TJ
• 24 引腳、4mm × 4mm WQFN 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?功能?：TPS54116-Q1是一款6V輸入、4A同步降壓（Buck）轉(zhuǎn)換器和1A源/沉DDR終止調(diào)節(jié)器，專(zhuān)為DDR2、DDR3及DDR3L內(nèi)存電源解決方案設(shè)計(jì)。
• ?封裝?：采用24引腳、4mm x 4mm的WQFN熱增強(qiáng)型封裝。
• ?AEC-Q100認(rèn)證?：適用于汽車(chē)級(jí)應(yīng)用，環(huán)境溫度范圍為-40°C至+125°C。

2. 主要特性

• ?集成MOSFETs?：內(nèi)置33mΩ高側(cè)和25mΩ低側(cè)MOSFETs，提高轉(zhuǎn)換效率。
• ?固定頻率電流模式控制?：頻率可調(diào)范圍從100kHz至2.5MHz，支持外部時(shí)鐘同步。
• ?DDR VTT終止調(diào)節(jié)器?：提供1A源/沉電流能力，±20mV DC精度，快速瞬態(tài)響應(yīng)。
• ?獨(dú)立使能引腳?：具有可調(diào)欠壓鎖定（UVLO）和遲滯功能。
• ?熱關(guān)斷保護(hù)?：防止芯片過(guò)熱損壞。
• ?電源良好（PGOOD）指示?：用于指示輸出電壓是否達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• DDR2、DDR3、DDR3L及DDR4內(nèi)存電源供應(yīng)
• SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12和HSTL終止
• 信息娛樂(lè)和儀表集群
• 高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）

4. 電氣特性

• ?輸入電壓范圍?：2.95V至6V
• ?輸出電壓范圍?：Buck轉(zhuǎn)換器輸出可低至0.6V，DDR VTT終止調(diào)節(jié)器輸出根據(jù)VDDQSNS設(shè)定
• ?效率?：高達(dá)90%以上，具體取決于輸入電壓、輸出電壓和負(fù)載電流
• ?靜態(tài)電流?：非切換狀態(tài)下，LDO和Buck均啟用時(shí)典型值為650μA

5. 功能描述

• ?固定頻率PWM控制?：通過(guò)誤差放大器比較反饋電壓與內(nèi)部電壓參考，控制開(kāi)關(guān)占空比。
• ?BOOT電壓與低壓差操作?：集成BOOT充電電路，支持接近100%占空比操作。
• ?誤差放大器?：具有可編程的電流感應(yīng)和電壓調(diào)節(jié)功能。
• ?軟啟動(dòng)與跟蹤?：通過(guò)SS/TRK引腳實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)和電源排序功能。
• ?過(guò)流保護(hù)?：具有周期性的峰值電流限制功能，防止過(guò)流損壞。
• ?過(guò)壓瞬態(tài)保護(hù)?：在輸出過(guò)壓時(shí)自動(dòng)關(guān)閉高側(cè)MOSFET，減少電壓過(guò)沖。

6. 布局指南

• ?輸入電容?：應(yīng)在PVIN和PGND引腳附近放置高質(zhì)量的陶瓷旁路電容。
• ?輸出電容?：Buck輸出和VTT輸出應(yīng)分別放置足夠的陶瓷電容，以確保穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)。
• ?熱設(shè)計(jì)?：利用WQFN封裝的熱焊盤(pán)和多層PCB設(shè)計(jì)來(lái)改善熱耗散。
• ?敏感信號(hào)布線(xiàn)?：控制信號(hào)（如RT/SYNC、SS/TRK、COMP、FB、ILIM）應(yīng)遠(yuǎn)離高噪聲信號(hào)，保持短而寬的布線(xiàn)。

7. 設(shè)計(jì)資源

• 提供了詳細(xì)的應(yīng)用信息、典型應(yīng)用電路、布局示例以及電源供應(yīng)耦合和大容量電容的指導(dǎo)。
• 用戶(hù)可訪問(wèn)TI的E2E在線(xiàn)社區(qū)獲取更多技術(shù)支持和設(shè)計(jì)幫助。

8. 封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類(lèi)型?：WQFN-24，熱增強(qiáng)型，4mm x 4mm，0.5mm引腳間距。
• ?訂購(gòu)選項(xiàng)?：提供了不同數(shù)量和生態(tài)計(jì)劃（如RoHS豁免和綠色封裝）的訂購(gòu)選項(xiàng)。