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揭秘美光G9 NAND移動(dòng)UFS 4.1解決方案

Micron美光科技 ? 來(lái)源:美光科技 ? 2025-04-28 14:38 ? 次閱讀
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在快節(jié)奏的今天,手機(jī)早已不是單純的通訊工具,隨著AI技術(shù)的不斷發(fā)展,智能手機(jī)正在成為人類的AI助手。這背后,都依賴大容量高速存儲(chǔ)系統(tǒng)!這一趨勢(shì)將進(jìn)一步推動(dòng)邊緣設(shè)備對(duì)內(nèi)存和存儲(chǔ)的需求。

在2025年巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)(MWC25)上,美光亮出大招:宣布正在送樣業(yè)界首款基于 G9 NAND的移動(dòng)UFS 4.1和UFS 3.1產(chǎn)品。

G9節(jié)點(diǎn)是美光的新一代創(chuàng)新型NAND技術(shù),旨在為旗下所有存儲(chǔ)解決方案帶來(lái)前所未有的性能和密度優(yōu)勢(shì)。 G9對(duì)新一代移動(dòng)通用閃存(UFS)移動(dòng)產(chǎn)品到底有多強(qiáng)?一文揭秘!

G9 NAND UFS 4.1:性能直接拉滿

美光G9 NAND移動(dòng)UFS 4.1解決方案可為旗艦智能手機(jī)帶來(lái)業(yè)界前沿的性能和創(chuàng)新,從而實(shí)現(xiàn)更快速、更靈敏的使用體驗(yàn)。

速度更快、延遲更低:

想象一下,手機(jī)中的虛擬助手能夠充分理解您的指令,您還可以使用手機(jī)快速進(jìn)行實(shí)時(shí)圖片編輯,并在瞬間完成語(yǔ)言翻譯。這些都是未來(lái)基于大語(yǔ)言模型(LLM)的AI應(yīng)用,它們將徹底改變智能手機(jī)用戶的數(shù)字體驗(yàn)。

最終,這些服務(wù)將融合成功能強(qiáng)大的多模態(tài)AI代理,為用戶提供快速、全面且具備情境感知能力的數(shù)字體驗(yàn)。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),智能手機(jī)需要快速訪問(wèn)海量數(shù)據(jù)集、降低延遲、提高響應(yīng)速度,從而實(shí)現(xiàn)更流暢的終端用戶體驗(yàn)。

憑借超過(guò)4100MBps的順序讀寫(xiě)速度,美光G9 NAND移動(dòng)UFS 4.1正在引領(lǐng)這一變革趨勢(shì)。與上一代G8 UFS 4.0進(jìn)行比較后,我們能清楚地看到G9 UFS 4.1帶來(lái)的性能飛躍。

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512GB G9 UFS 4.1與512GB G8 UFS 4.0對(duì)比

容量更大:

更大的存儲(chǔ)容量是提升本地計(jì)算和處理能力的因素之一。傳統(tǒng)的云端AI系統(tǒng)需要將敏感數(shù)據(jù)通過(guò)網(wǎng)絡(luò)傳輸后進(jìn)行處理,存在數(shù)據(jù)泄露風(fēng)險(xiǎn)。邊緣AI可在本地處理生成的數(shù)據(jù),從根本上降低了上述風(fēng)險(xiǎn)。

美光G9 UFS 4.1支持高達(dá)1TB的NAND大容量存儲(chǔ),可滿足設(shè)備端處理大量數(shù)據(jù)的需求,讓您的智能手機(jī)輕松處理復(fù)雜的計(jì)算任務(wù)。

封裝更小更?。?/p>

美光G9 NAND UFS 4.1不僅提高了容量,其更小更薄的外形可支持更具時(shí)尚感的創(chuàng)新智能手機(jī)設(shè)計(jì)。

美光G9 NAND UFS 4.1采用業(yè)界前沿封裝技術(shù),1TB NAND UFS的封裝尺寸僅有9x13x0.85毫米大?。ㄅc上一代G8 UFS 4.0相比),可大幅節(jié)省手機(jī)內(nèi)部空間,是下一代可折疊以及超薄智能手機(jī)設(shè)計(jì)的理想之選,其節(jié)約的空間可用于搭載更大容量的電池。

專有功能優(yōu)化:

1. 數(shù)據(jù)碎片整理:

智能手機(jī)的運(yùn)行速度逐漸變慢,通常是由于數(shù)據(jù)碎片化—文件分散存儲(chǔ)在各個(gè)地方,導(dǎo)致存儲(chǔ)設(shè)備難以實(shí)現(xiàn)高效讀取。

美光專有的數(shù)據(jù)碎片整理功能可解決這一問(wèn)題,它支持UFS設(shè)備的控制器繞過(guò)主機(jī)層,直接在NAND內(nèi)部發(fā)出碎片整理命令。通過(guò)簡(jiǎn)化數(shù)據(jù)遷移過(guò)程,數(shù)據(jù)碎片整理功能可將讀取速度提升高達(dá)60%(啟用數(shù)據(jù)碎片整理與未啟用數(shù)據(jù)碎片整理的對(duì)比),從而提升智能手機(jī)的整體性能,包括日常任務(wù)和 AI 相關(guān)任務(wù)。

簡(jiǎn)言之,數(shù)據(jù)碎片整理功能通過(guò)在內(nèi)部處理數(shù)據(jù)遷移/碎片整理,提高讀取性能并降低設(shè)備的負(fù)荷,使智能手機(jī)能夠更快、更高效地訪問(wèn)文件,實(shí)現(xiàn)更流暢的使用體驗(yàn)。

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2. 增強(qiáng)型WriteBooster:

借助美光的增強(qiáng)型WriteBooster功能,智能手機(jī)處理器可將常用數(shù)據(jù)“固定”在存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)部名為“WriteBooster”的指定區(qū)域內(nèi)。

利用該功能,處理器可以更輕松地將重要數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)設(shè)備動(dòng)態(tài)加載到內(nèi)存,確保處理過(guò)程更加高效,不會(huì)面臨內(nèi)存容量不足問(wèn)題。

內(nèi)部測(cè)試數(shù)據(jù)表明,啟用此功能后,隨機(jī)讀取速度可提高多達(dá)30%(啟用增強(qiáng)型WriteBooster與未啟用增強(qiáng)型WriteBooster的對(duì)比)。

增強(qiáng)型WriteBooster功能可加速智能手機(jī)的應(yīng)用啟動(dòng)速度、文件傳輸速度,讓用戶操作更加流暢。當(dāng)用戶需要同時(shí)使用日常應(yīng)用和 AI 應(yīng)用時(shí),此功能尤為有用。

在這種使用場(chǎng)景下,可利用增強(qiáng)型WriteBooster功能為AI模型的數(shù)據(jù)創(chuàng)建內(nèi)存映射,從而實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)交換和讀取。

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未固定的數(shù)據(jù)將從緩存緩沖區(qū)移至普通存儲(chǔ)區(qū)域

3. 智能延遲跟蹤器(ILT):

美光的智能延遲跟蹤器可監(jiān)控系統(tǒng)和存儲(chǔ)設(shè)備上的I/O存儲(chǔ)延遲,以檢測(cè)和分析影響智能手機(jī)性能的異常延遲,例如應(yīng)用啟動(dòng)緩慢等。通過(guò)識(shí)別這些延遲問(wèn)題,跟蹤器可幫助智能手機(jī)OEM廠商優(yōu)化系統(tǒng),提升整體用戶體驗(yàn)。

此功能可確保智能手機(jī)能夠高速流暢地運(yùn)行各種AI應(yīng)用和日常任務(wù),例如打開(kāi)相機(jī)、在相冊(cè)中查找之前度假時(shí)拍攝的照片等。

4. UFS分區(qū)(ZUFS):

想象一下,當(dāng)您在旅行前收拾行李時(shí),您的行李箱被整齊地劃分為三個(gè)部分,分別用于放置襪子、襯衫和褲子,通過(guò)這種方式,您可以更快地找到所需物品。

美光的UFS分區(qū)(ZUFS)功能以類似方式組織智能手機(jī)內(nèi)的數(shù)據(jù)。ZUFS將具有相似I/O特性的數(shù)據(jù)集中存放到UFS設(shè)備內(nèi)的特定區(qū)域中,能夠盡可能減少數(shù)據(jù)搜索時(shí)間,從而提高讀/寫(xiě)效率。

這種簡(jiǎn)化的數(shù)據(jù)檢索方式可確保系統(tǒng)響應(yīng)更快、更流暢,就像在行李箱中取出預(yù)先放好的襪子一樣。

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傳統(tǒng)數(shù)據(jù)放置方式與分區(qū)數(shù)據(jù)放置方式的對(duì)比

智能加速:面向未來(lái)的創(chuàng)新

美光移動(dòng)業(yè)務(wù)部門(mén)專注于提供先進(jìn)的NAND閃存解決方案,并提供針對(duì)旗艦智能手機(jī)設(shè)計(jì)的定制功能。

這些創(chuàng)新旨在加速邊緣設(shè)備上的AI應(yīng)用。通過(guò)與客戶及生態(tài)系統(tǒng)伙伴合作,美光正在調(diào)整其產(chǎn)品和技術(shù)路線圖,以便與AI及邊緣計(jì)算的未來(lái)趨勢(shì)保持一致。

這種合作可確保未來(lái)的移動(dòng)設(shè)備能夠處理日益復(fù)雜的AI任務(wù),以及數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。G9 NAND以及眾多新的固件功能正是美光致力于創(chuàng)新的例證。

本文作者

Rui Zhou

移動(dòng)業(yè)務(wù)部門(mén) 產(chǎn)品市場(chǎng)高級(jí)經(jīng)理

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:美光G9 NAND技術(shù)重磅發(fā)布!旗艦手機(jī)性能再攀巔峰

文章出處:【微信號(hào):gh_195c6bf0b140,微信公眾號(hào):Micron美光科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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