芯片刻蝕是半導體制造中的關鍵步驟，用于將設計圖案從掩膜轉移到硅片或其他材料上，形成電路結構。其原理是通過化學或物理方法去除特定材料（如硅、金屬或介質層），以下是芯片刻蝕的基本原理和分類：

1. 刻蝕的基本原理

刻蝕的本質是選擇性去除材料，即只去除不需要的部分，保留需要的部分。根據刻蝕方式的不同，可以分為以下兩類：

（1）濕法刻蝕（Wet Etching）

原理：利用化學液體（如酸、堿或溶劑）與材料發(fā)生化學反應，溶解目標材料。

例子：

用氫氟酸（HF）腐蝕二氧化硅（???2SiO2?），形成接觸孔。

用堿性溶液（如KOH）各向異性蝕刻硅，制造斜面或V形槽。

特點：

設備簡單、成本低。

橫向腐蝕明顯，精度較低，不適合微小圖形。

（2）干法刻蝕（Dry Etching）

原理：通過等離子體或離子束轟擊材料表面，利用物理或化學作用去除原子。

常見技術：

反應離子刻蝕（RIE）：結合等離子體和化學反應。

電感耦合等離子體刻蝕（ICP）：高密度等離子體實現(xiàn)高深寬比刻蝕。

深硅刻蝕（DRIE）：用于制造高深寬比的硅結構（如MEMS器件）。

特點：

精度高、各向異性好，適合復雜圖形和深孔。

設備昂貴，參數控制復雜。

2. 刻蝕的核心機制

無論是濕法還是干法刻蝕，其核心機制包括以下兩種作用：

（1）化學腐蝕（Chemical Etching）

原理：刻蝕氣體或液體與材料發(fā)生化學反應，生成揮發(fā)性產物（如氣體或可溶物質）。

例子：

氟基氣體（如SF?、CF?）與硅反應生成SiF?（氣體）。

氫氟酸（HF）與二氧化硅（???2SiO2?）反應生成SiF?和水。

特點：依賴化學反應速率，選擇性高但各向異性差。

（2）物理濺射（Physical Sputtering）

原理：通過高能離子轟擊材料表面，物理擊出原子或分子。

例子：氬離子（Ar?）轟擊金屬或介質層，去除材料。

特點：各向異性好，但對掩膜層和底層材料損傷較大。

3. 刻蝕的關鍵參數

選擇性：只蝕刻目標材料，不損傷掩膜層或底層材料。例如，刻蝕二氧化硅時不損傷下方的硅襯底。

各向異性：控制橫向腐蝕，確保垂直方向刻蝕。干法刻蝕各向異性強，濕法刻蝕各向同性明顯。

深寬比：刻蝕深度與寬度的比值，高深寬比能力用于深孔或高密度結構（如TSV、FinFET）。

均勻性：保證晶圓內不同位置的刻蝕速率一致，避免圖形尺寸偏差。

4. 刻蝕的典型工藝流程

光刻定義圖案：通過光刻將設計圖案轉移到光刻膠或硬質掩膜上。

刻蝕：根據掩膜圖案，去除不需要的材料（如硅、金屬或介質層）。

去掩膜：移除剩余的光刻膠或硬質掩膜，完成圖形化。

5. 刻蝕的應用實例

晶體管制造：刻蝕多晶硅柵極、源漏極和溝道區(qū)域。

互連層：在金屬層或介質層上開孔（如接觸孔、通孔），實現(xiàn)上下層的電連接。

MEMS器件：通過深硅刻蝕制造懸空結構、腔體或微流體通道。

TSV（穿透硅通孔）：在硅片上蝕刻深孔，用于3D芯片的垂直互連。

審核編輯 黃宇