1MHz),此時(shí)元件寄生電容(如線圈分布電容)形成并聯(lián)支路,影響總阻抗。 測量結(jié)果反映元件在高頻下的綜合性能(如高頻扼流圈)。 2. LS模式(串聯(lián)模式) 將元件視為理想元件與寄生電阻串聯(lián)的模型(如電感與寄生電阻串聯(lián))。 適用于中低頻場景(通常 常用于評(píng)估元件在低頻下的損耗特性(如變壓器" />

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LCR測試儀中LP(Parallel)與LS(Series)模式的區(qū)別

agitek2021 ? 來源:agitek2021 ? 作者:agitek2021 ? 2025-05-06 16:19 ? 次閱讀
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一、核心差異:測量模型不同
1. LP模式(并聯(lián)模式)
將元件視為理想元件與寄生電阻并聯(lián)的模型(如電感與寄生電容并聯(lián))。
適用于高頻場景(通常>1MHz),此時(shí)元件寄生電容(如線圈分布電容)形成并聯(lián)支路,影響總阻抗。
測量結(jié)果反映元件在高頻下的綜合性能(如高頻扼流圈)。
2. LS模式(串聯(lián)模式)
將元件視為理想元件與寄生電阻串聯(lián)的模型(如電感與寄生電阻串聯(lián))。
適用于中低頻場景(通常<1MHz),此時(shí)寄生電阻與主參數(shù)(如電感)串聯(lián),影響總阻抗。
常用于評(píng)估元件在低頻下的損耗特性(如變壓器繞組)。

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二、關(guān)鍵參數(shù)差異
損耗因子(D/Q值)
LP模式:D值反映并聯(lián)電阻與電抗的比值,適合分析高頻損耗。
LS模式:D值反映串聯(lián)電阻與電抗的比值,適合分析低頻發(fā)熱損耗。
同一元件在兩種模式下測得的Q值(Q=1/D)可能不同,需結(jié)合應(yīng)用場景判斷。
三、應(yīng)用場景對(duì)比
1. 電感測試
低頻繞組(<100kHz):用LS模式,減少分布電容干擾。
高頻扼流圈(>500kHz):用LP模式,準(zhǔn)確評(píng)估寄生電容影響。
2. 電容測試
陶瓷電容(高頻應(yīng)用):用LP模式測ESR(等效串聯(lián)電阻),評(píng)估高頻穩(wěn)定性。
電解電容(低頻濾波):用LS模式測ESL(等效串聯(lián)電感),優(yōu)化電路諧振點(diǎn)。
3. 其他場景
射頻電路匹配:LP模式適合分析天線元件的寄生參數(shù)。
電源濾波電路:LS模式適合評(píng)估元件串聯(lián)阻抗,確保紋波抑制效果。
四、誤差與校準(zhǔn)注意事項(xiàng)
引線寄生參數(shù)
長測試線在高頻下引入電感,可能導(dǎo)致LP模式測量值偏高,建議使用四線開爾文連接法。
測試夾具電容在LS模式下可能影響測量結(jié)果,需通過開路/短路校準(zhǔn)消除系統(tǒng)誤差。
頻率依賴性
當(dāng)測試頻率接近元件自諧振點(diǎn)時(shí),兩種模式結(jié)果差異大,需結(jié)合頻率特性曲線(如Bode圖)選擇合適的模式。
五、選擇LP/LS模式的實(shí)用指南
1. 根據(jù)元件工作頻率
若工作頻率遠(yuǎn)低于自諧振頻率($f_{res}$),選LS模式。
若工作頻率接近或高于0.1$f_{res}$,選LP模式。
2. 根據(jù)損耗分析需求
關(guān)注元件發(fā)熱損耗(如線圈直流電阻)選LS模式。
關(guān)注高頻介質(zhì)損耗或寄生電容影響選LP模式。
3. 參考元件手冊(cè)
優(yōu)先選擇廠家推薦的測試模式,尤其是高頻元件(如射頻電感、陶瓷電容)。

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LP與LS模式的選擇本質(zhì)是匹配元件的頻率特性與寄生參數(shù)模型。低頻用LS模式突出串聯(lián)損耗,高頻用LP模式突出并聯(lián)效應(yīng)。理解二者差異,能有效提升元件測試準(zhǔn)確性和電路設(shè)計(jì)優(yōu)化效率。

審核編輯 黃宇

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