TPS23525 是一款集成的熱插拔和雙 OR-ing 控制器，使高功率電信系統(tǒng)能夠滿足嚴(yán)格的瞬態(tài)要求。200V 的絕對(duì)最大額定值使其更容易通過雷電浪涌測(cè)試 （IEC61000-4-5）。軟啟動(dòng)電容斷開允許通過限制浪涌電流來(lái)使用更小的熱插拔 FET，而不會(huì)損害瞬態(tài)響應(yīng)。400μA 拉電流允許快速恢復(fù)，這有助于避免在雷擊浪涌測(cè)試期間發(fā)生系統(tǒng)重置。雙電流限制使其更容易傳遞欠壓和輸入步驟，例如 ATIS 0600315.2013 的要求。最后，它提供精確的欠壓和過壓保護(hù)，具有可編程閾值和遲滯。

TPS23525 集成了一個(gè)雙 OR-ing 控制器，非常適合由兩個(gè)冗余電源供電的 –48V 系統(tǒng)。
*附件：tps23525.pdf

特性

• -10V 至 -80V 直流工作電壓，-200V 絕對(duì)最大值
• 軟啟動(dòng)電容斷開
• 400μA 柵極源電流
• 雙電流限制（基于 V DS 系列 )
  • 低 V 時(shí)為 25 mV ±4%DS 系列
  • 高 V 時(shí)為 3 mV ±25%DS 系列
• 可編程 UV（±1.5%）和 OV （±2%）
  • 可編程遲滯 （±11%）
• 集成雙 OR-ing 控制器
  • 調(diào)節(jié)：25 mV ±15 mV
  • 快速關(guān)斷：–6 mV ±4 mV
• 超時(shí)后重試
• 16 引腳 TSSOP 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

TPS23525是一款集成了熱插拔和雙OR-ing控制器的芯片，專為-48V高功率電信系統(tǒng)設(shè)計(jì)，以滿足嚴(yán)格的瞬態(tài)要求。該器件具有-200V的絕對(duì)最大電壓額定值，使其能夠輕松通過雷電浪涌測(cè)試。

2. 主要特性

• ?高電壓操作?：-10V至-80V DC操作范圍。
• ?軟啟動(dòng)電容斷開?：在啟動(dòng)時(shí)連接軟啟動(dòng)電容，正常操作時(shí)斷開，允許使用更小的熱插拔FET。
• ?雙電流限制?：根據(jù)VDS的不同，提供高電流限制（I_CL1）和低電流限制（I_CL2），以保護(hù)MOSFET。
• ?可編程UV和OV保護(hù)?：具有可編程的欠壓（UV）和過壓（OV）保護(hù)閾值及遲滯。
• ?集成雙OR-ing控制器?：調(diào)節(jié)從VEE到Neg48A和Neg48B的壓降至25mV，模擬理想二極管。
• ?快速關(guān)斷?：在檢測(cè)到故障時(shí)，能夠快速關(guān)斷以保護(hù)系統(tǒng)。
• ?重試功能?：在超時(shí)后嘗試重新啟動(dòng)，以提高系統(tǒng)的可靠性。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?遠(yuǎn)程無(wú)線電單元?
• ?基帶單元?
• ?路由器和交換機(jī)?
• ?小型基站?
• ?**-48V電信基礎(chǔ)設(shè)施**?

4. 功能描述

• ?熱插拔控制?：通過GATE引腳驅(qū)動(dòng)主熱插拔FET，管理浪涌電流并保護(hù)下游電路。
• ?OR-ing控制?：通過GATEA和GATEB引腳驅(qū)動(dòng)OR-ing FET，實(shí)現(xiàn)雙電源冗余供電，并在檢測(cè)到反向電流時(shí)快速關(guān)斷。
• ?可編程電流限制?：通過外部電阻設(shè)置電流限制閾值，以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。
• ?軟啟動(dòng)?：通過SS引腳和C_SS電容實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)，限制啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流。
• ?電源良好信號(hào)?：PGb引腳提供電源良好信號(hào)，指示負(fù)載可以開始正常工作。

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：16引腳TSSOP封裝。
• ?尺寸?：5.00mm x 4.40mm。

6. 電氣特性

• ?工作溫度范圍?：-40°C至125°C。
• ?VCC調(diào)節(jié)電壓?：1.1V至10mA時(shí)，VCC調(diào)節(jié)電壓為12V至18V。
• ?門電流?：正常操作時(shí)，GATE引腳最大400μA；啟動(dòng)時(shí)，最大25μA；快速下拉時(shí)，最大1.5A。
• ?可編程UV和OV閾值?：UV閾值范圍為0.985V至1.015V，OV閾值范圍為0.981V至1.02V。

7. 設(shè)計(jì)指南

• ? 選擇感測(cè)電阻（R_SNS） ?：根據(jù)最大負(fù)載電流和目標(biāo)電流限制來(lái)設(shè)置。
• ?設(shè)置軟啟動(dòng)?：通過選擇合適的C_SS和C_SS_VEE電容來(lái)限制啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流。
• ?選擇MOSFET?：根據(jù)VDS額定值、R_DSON和SOA（安全操作區(qū)域）來(lái)選擇合適的MOSFET。
• ?布局考慮?：確保VEE和SNS引腳通過開爾文連接到感測(cè)電阻，以減少電流感應(yīng)誤差。

8. 安全與認(rèn)證

• ?ESD保護(hù)?：提供HBM（人體模型）1000V和CDM（充電器件模型）500V的ESD保護(hù)。
• ?安全認(rèn)證?：符合UL 2367和IEC 62368-1標(biāo)準(zhǔn)。

9. 社區(qū)與支持

• ?TI E2E在線社區(qū)?：提供技術(shù)支持和用戶交流的平臺(tái)。
• ?設(shè)計(jì)支持?：TI提供設(shè)計(jì)支持工具和聯(lián)系信息，幫助用戶解決設(shè)計(jì)中的問題。