TPS22924x 是一款小型低 R上帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負載開關(guān) 上。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 至 3.6 V。集成電荷泵對 NMOS 開關(guān)進行偏置，以實現(xiàn)最小開關(guān)導通 電阻。該開關(guān)由開/關(guān)輸入 （ON） 控制，該輸入能夠連接 直接使用低壓控制信號。
*附件：tps22924c.pdf

添加了一個 1250 Ω 片上負載電阻器，用于在開關(guān) 關(guān)閉。該器件的上升時間由內(nèi)部控制，以避免浪涌電流。這 TPS22924B 在 V 時的上升時間為 100 μs 在 = 3.6 V，而 TPS22924C 在 V 時上升時間為 800 μs 在 = 3.6 V。

TPS22924x 采用超小型、節(jié)省空間的 6 引腳 CSP 封裝，并且 其特點是在 –40oC 至 85oC 的自由空氣溫度范圍內(nèi)運行。

特性

• 集成單負載開關(guān)
• 輸入電壓：0.75 V 至 3.6 V
• 導通電阻
  • R上V 時 = 18.3 mΩ 在 = 3.6 伏
  • R上V 時 = 19.6 mΩ 在 = 1.8 伏
  • R上V 時 = 19.4 mΩ 在 = 1.2 伏
  • R上V 時 = 22.7 mΩ 在 = 0.75 伏
• 小型 CSP-6 封裝
  0.9mm × 1.4mm、0.5mm 間距
• 2 A 最大連續(xù)開關(guān)電流
• 低關(guān)斷電流
• 低閾值控制輸入
• 受控轉(zhuǎn)換速率以避免浪涌電流
• 快速輸出放電晶體管
• ESD 性能測試符合 JESD 22 標準
  • 5000V 人體模型
    （A114-B，II 類）
  • 1000V 充電器件模型 （C101）

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

TPS22924C 是一款小型、低導通電阻（R ON）的負載開關(guān)，適用于需要控制開通的應用場景。該設(shè)備集成了一個N通道MOSFET，可在0.75V至3.6V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并提供超低的導通電阻和關(guān)斷電流。

2. 主要特性

• ?超低導通電阻?：在V IN=3.6V時，R ON=18.3mΩ；在V IN=0.75V時，R ON=22.7mΩ。
• ?控制開通?：通過ON引腳控制開關(guān)狀態(tài)，兼容低電壓控制信號。
• ?快速輸出放電?：集成一個1250Ω的負載電阻，用于開關(guān)關(guān)閉時的快速輸出放電。
• ?控制上升時間?：避免涌入電流，TPS22924C在V IN=3.6V時的上升時間為800μs。
• ?小型封裝?：采用6引腳CSP封裝，尺寸為1.40mm x 0.90mm，高度為0.5mm。
• ?寬工作溫度范圍?：-40°C至85°C。

3. 應用領(lǐng)域

• 電池供電設(shè)備
• 便攜式工業(yè)設(shè)備
• 便攜式醫(yī)療設(shè)備
• 便攜式媒體播放器
• 銷售點終端
• GPS設(shè)備
• 數(shù)碼相機
• 筆記本電腦/平板電腦/電子閱讀器
• 智能手機

4. 功能描述

• ?ON/OFF控制?：ON引腳為高電平時，開關(guān)開通；ON引腳為低電平時，開關(guān)關(guān)斷。
• ?輸出電容?：由于NMOS開關(guān)的內(nèi)部體二極管，推薦C IN大于C L，以避免V OUT在系統(tǒng)供電移除時超過V IN。
• ?輸出下拉?：當主通FET關(guān)閉時，輸出下拉功能激活，將輸出軌放電至大約10%的軌電壓，然后自動斷開以優(yōu)化關(guān)斷電流。

5. 電氣特性

• ?輸入電壓范圍?：0.75V至3.6V
• ?最大連續(xù)開關(guān)電流?：2A
• ?導通電阻?：隨輸入電壓變化，范圍在18.3mΩ至22.7mΩ之間。
• ?關(guān)斷電流?：OFF狀態(tài)下的供電電流小于3.5μA。
• ?上升/下降時間?：在V IN=3.6V時，上升時間為800μs，下降時間為2.5μs。

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：DSBGA（6）
• ?尺寸?：1.40mm x 0.90mm，高度0.5mm

7. 熱特性

• ?熱阻?：
  • RθJA（結(jié)到環(huán)境）：123°C/W
  • RθJC（結(jié)到殼頂）：17.6°C/W
  • RθJB（結(jié)到板）：22.8°C/W

8. 訂購信息

提供多種封裝選項，具體請參考數(shù)據(jù)手冊中的訂購信息部分。