一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

TOLL/TOLT 封裝系列:區(qū)別有哪些?

廣東佳訊電子 ? 2025-05-13 17:28 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

前言

TOLL(Transistor Outline Leadless)封裝和TOLT(Transistor Outline Leaded Topside)封裝均屬于TOLx封裝家族,兩者在多個(gè)方面存在顯著差異。

一、散熱方式及熱性能

TOLL封裝:

采用底部散熱方式。

散熱路徑相對(duì)較長:熱量從Junction傳導(dǎo)至Case,再通過Solder傳導(dǎo)至PCB,然后通過VIAs(高密過孔)至散熱器。散熱路徑相對(duì)較長:Junction → Case → Solder → PCB → VIAs → PCB → TIM → Heatsink。

由于散熱路徑較長,可能在一定程度上影響散熱效率。

TOLT封裝:

采用頂部散熱方式。

散熱路徑更短:熱量直接從Junction傳導(dǎo)至Case,然后通過TIM(熱界面材料)直接傳導(dǎo)至Heatsink(散熱器)。頂部散熱方式使得散熱路徑更短:Junction → Case → TIM → Heatsink。

頂部散熱方式顯著優(yōu)化了器件的散熱能力,降低了散熱成本,提高了器件的可靠性和性能。

測(cè)試分析表明,TOLT封裝能夠顯著降低GaN開關(guān)管和散熱器之間的熱阻,相較于TOLL封裝,TOLT封裝的Rth(j-heatsink)可降低約30%,能將90%以上的熱量通過散熱器傳遞。

二、占板面積與布局

TOLL封裝:

由于采用底部散熱方式,驅(qū)動(dòng)器無法布局在功率器件背面,因此占板面積相對(duì)較大。

TOLT封裝:

GaN功率器件下方無電氣連接且發(fā)熱少,因此可以將驅(qū)動(dòng)器背面布線。

更好的實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)走線的磁場(chǎng)相消,在高密電源中減少了布板面積,有利于功率密度的提升。

三、應(yīng)用場(chǎng)景

TOLL封裝:

已廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、逆變儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車等大電流應(yīng)用場(chǎng)景。

TOLT封裝:

主要面向需要更好熱性能的應(yīng)用,如電動(dòng)腳踏車、輕型電動(dòng)車(LEV)、電動(dòng)工具和電池管理系統(tǒng)等。

也適用于高功率密度設(shè)計(jì),如OptiMOS? 5功率MOSFET等高性能產(chǎn)品。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 功率MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    352

    瀏覽量

    22517
  • 功率MOSFET管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    7

    瀏覽量

    6183
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    TOLL Schottky SKY 肖特基二極管,大電流應(yīng)用時(shí)的應(yīng)用注意事項(xiàng)

    TOLL Schottky SKY 肖特基二極管,大電流應(yīng)用時(shí)的應(yīng)用注意事項(xiàng)! 48V PD3.1選用肖特基做240W,480W PD電源,48V 10A的注意事項(xiàng)Motive TMBS TOLL封裝肖特基紹 V1.2_頁面_3
    發(fā)表于 11-22 10:39

    電線與電纜的區(qū)別有哪些?

    電線與電纜的區(qū)別有哪些? “電線”和“電纜”并沒有嚴(yán)格的界限。通常將芯數(shù)少、產(chǎn)品直徑小、結(jié)構(gòu)簡單的產(chǎn)品稱為電線,沒有絕緣
    發(fā)表于 03-12 11:15 ?1488次閱讀

    固態(tài)硬盤與普通硬盤的區(qū)別有哪些

    固態(tài)硬盤與普通硬盤的區(qū)別有哪些
    發(fā)表于 09-18 11:30 ?11次下載

    CPU和GPU的區(qū)別有哪些

    CPU和GPU的區(qū)別有哪些呢?接下來簡單給大家介紹一下關(guān)于GPU和CPU的區(qū)別
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:07 ?3.2w次閱讀

    TOLL封裝之儲(chǔ)能產(chǎn)品

    高速開關(guān)性能,抑制開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的震蕩。新型MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備的電源。 基于先進(jìn)TOLL封裝技術(shù),仁懋電子推出了30V~120V功率MOSFET新產(chǎn)品系列。該系列
    的頭像 發(fā)表于 09-05 10:36 ?1.3w次閱讀
    <b class='flag-5'>TOLL</b><b class='flag-5'>封裝</b>之儲(chǔ)能產(chǎn)品

    TOLL封裝的MOSFET產(chǎn)品介紹

    TOLL(Transistor Outline Leadless)封裝的MOSFET,由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn),已經(jīng)在電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車、鋰電
    的頭像 發(fā)表于 05-13 17:38 ?3185次閱讀
    <b class='flag-5'>TOLL</b><b class='flag-5'>封裝</b>的MOSFET產(chǎn)品介紹

    PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列

    PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
    的頭像 發(fā)表于 06-06 10:02 ?1663次閱讀
    PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | <b class='flag-5'>TOLL</b><b class='flag-5'>封裝</b>MOSFET<b class='flag-5'>系列</b>

    TOLL封裝MOSFET系列

    產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
    的頭像 發(fā)表于 08-16 09:17 ?2363次閱讀
    <b class='flag-5'>TOLL</b><b class='flag-5'>封裝</b>MOSFET<b class='flag-5'>系列</b>

    TOLL及TO-247-4L封裝介紹

    隨著科技的不斷發(fā)展,功率分立器件封裝技術(shù)也在持續(xù)進(jìn)步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化效率,封測(cè)企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進(jìn)的封裝工藝、封裝技術(shù)及封裝外形等,例如采用燒結(jié)銀焊接技術(shù)等功率器
    發(fā)表于 10-13 16:49 ?5395次閱讀
    <b class='flag-5'>TOLL</b>及TO-247-4L<b class='flag-5'>封裝</b>介紹

    iBee18th中國電池及儲(chǔ)能展|思開半導(dǎo)體攜TOLL&amp;TOLT封裝產(chǎn)品系列重磅亮相

    4月23日,為期3天的第18屆中國國際電池及儲(chǔ)能博覽會(huì)在南京展覽中心圓滿落幕,相聚3日,吸引了超50,000采購商到場(chǎng)參觀。思開半導(dǎo)體攜TOLL&TOLT封裝產(chǎn)品系列重磅亮相于此次20
    的頭像 發(fā)表于 06-13 14:17 ?1027次閱讀
    iBee18th中國電池及儲(chǔ)能展|思開半導(dǎo)體攜<b class='flag-5'>TOLL</b>&amp;<b class='flag-5'>TOLT</b><b class='flag-5'>封裝</b>產(chǎn)品<b class='flag-5'>系列</b>重磅亮相

    英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2,提高系統(tǒng)功率密度

    程度地利用PCB主板和子卡,同時(shí)兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前, 英飛凌正在通過采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列,擴(kuò)展其 CoolSiC MO
    的頭像 發(fā)表于 09-07 10:02 ?1681次閱讀

    TOLL封裝MOS管的特點(diǎn)和使用注意事項(xiàng)

    TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式,常用于MOSFET。
    的頭像 發(fā)表于 10-08 17:29 ?1908次閱讀

    詳解TOLL封裝MOS管應(yīng)用和特點(diǎn)

    TOLL封裝MOS管廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電子游戲、汽車電子控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。由于其高集成度、低功耗和穩(wěn)定性好的特點(diǎn),TOLL封裝MOS管在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著重要的角色。
    的頭像 發(fā)表于 02-07 17:14 ?1175次閱讀

    仁懋TOLL/TOLT封裝系列區(qū)別在哪?

    在工業(yè)應(yīng)用對(duì)MOSFET需求日益攀升的當(dāng)下,半導(dǎo)體封裝技術(shù)的革新成為關(guān)鍵。仁懋的TOLLTOLT封裝系列作為TOLx
    的頭像 發(fā)表于 06-04 17:22 ?277次閱讀
    仁懋<b class='flag-5'>TOLL</b>/<b class='flag-5'>TOLT</b><b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>系列</b><b class='flag-5'>區(qū)別</b>在哪?

    仁懋TOLT封裝:突破極限,重塑大功率半導(dǎo)體未來

    在科技飛速發(fā)展的今天,每一次電子設(shè)備性能的躍升,都離不開半導(dǎo)體技術(shù)的突破。仁懋電子推出的TOLT封裝產(chǎn)品,以顛覆傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)和卓越性能,成為大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的“破局者”,為工業(yè)、新能源、消費(fèi)等多個(gè)領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 07-02 17:49 ?898次閱讀
    仁懋<b class='flag-5'>TOLT</b><b class='flag-5'>封裝</b>:突破極限,重塑大功率半導(dǎo)體未來