功率半導(dǎo)體測(cè)試中的靜態(tài)參數(shù)該如何測(cè)試？那我們首先要知道功率半導(dǎo)體測(cè)試中的靜態(tài)參數(shù)有哪些？然后才能了解怎樣去測(cè)試——

功率半導(dǎo)體測(cè)試中的靜態(tài)參數(shù)主要包括以下幾類：

1. ?基本電參數(shù)?
?擊穿電壓?：如集電極-發(fā)射極阻斷電壓（VCES），用于評(píng)估器件的耐壓能力?
?漏電流?：包括柵源漏電流（IGSS）和漏源漏電流（IDSS），反映器件關(guān)斷狀態(tài)下的絕緣特性?
?導(dǎo)通電壓?：如柵極開啟電壓（VGS(th)），決定器件導(dǎo)通的最小驅(qū)動(dòng)電壓?
2. ?阻抗特性?
?導(dǎo)通電阻?（RDS(on)）：表征MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗特性?
?飽和壓降?（VCES）：特指BJT/IGBT在飽和區(qū)的集電極-發(fā)射極電壓?
3. ?電流特性?
?飽和電流?：器件在飽和工作區(qū)的最大承載電流?
?靜態(tài)工作電流?：反映器件在穩(wěn)態(tài)下的功耗水平?
4. ?熱相關(guān)參數(shù)?
?最大允許功耗?（Ptot）：與結(jié)溫相關(guān)的功率耗散極限?
?熱阻?（RthJC）：表征結(jié)到殼的散熱能力?

測(cè)試方法要點(diǎn)：
靜態(tài)測(cè)試需在直流穩(wěn)態(tài)下進(jìn)行，通過施加穩(wěn)定電壓/電流后測(cè)量響應(yīng)參數(shù)?。傳統(tǒng)典型測(cè)試配置包括：

使用精密電源和測(cè)量?jī)x表?
對(duì)柵極/基極施加階梯驅(qū)動(dòng)信號(hào)?
記錄電壓-電流特性曲線?
注：不同器件（MOSFET/IGBT/SiC）的測(cè)試項(xiàng)目和條件存在差異，需根據(jù)器件規(guī)格選擇測(cè)試方案?

新型測(cè)試方案：

SC2010功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)/晶體管圖示儀· 是一款高速多用途大功率高精度分立器件智能測(cè)試系統(tǒng)。可測(cè)試市面上90%以上功率器件的靜態(tài)直流參數(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體分立器件封裝測(cè)試，制造企業(yè)的半導(dǎo)體器件分立來料檢驗(yàn)，半導(dǎo)體失效分析實(shí)驗(yàn)，高等院校和研究所教學(xué)科研等。它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)試能力?？烧鎸?shí)準(zhǔn)確測(cè)試達(dá)十九大類二十七分類大、中、小功率的分立器件。產(chǎn)品使用比較方便，只需要通過USB或者232與電腦連接，通過電腦中友好的人機(jī)界面操作，即可完成測(cè)試。并可以實(shí)現(xiàn)測(cè)試數(shù)據(jù)以EXCEL的格式保存，特性曲線保存相當(dāng)方便。 測(cè)試范圍： 1．二極管 Diode 2.．穩(wěn)壓（齊納）二極管 Zener 3．晶體管 Transistor（NPN型/PNP型） 4．可控硅整流器（普通晶閘管） SCR 5．雙向可控硅（雙向晶閘管） TRIAC 6．MOS場(chǎng)效應(yīng)管 Power MOSFET（N-溝/P-溝） 7．結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 J-FET （N-溝/P-溝，耗盡型/增強(qiáng)型） 8. 三端穩(wěn)壓器 REGULATOR（正電壓/負(fù)電壓，固定/可變） 9．絕緣柵雙極大功率晶體管 IGBT（NPN型/PNP型） 10.光電耦合器 OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型） 11.光電邏輯器件 OPTO-LOGIC 12.光電開關(guān)管 OPTO-SWITCH 13.達(dá)林頓陣列 14.固態(tài)過壓保護(hù)器 SSOVP 15.硅觸發(fā)開關(guān) STS 16.繼電器 RELAY（A、B、C型） 17.金屬氧化物壓變電阻 MOV 18.壓變電阻 VARISTO 19.雙向觸發(fā)二極管 DIAC 并且本測(cè)試機(jī)擁有業(yè)界最豐富的曲線掃描功能，可以測(cè)試多達(dá)幾十種曲線，并可進(jìn)行曲線集合掃描！

審核編輯 黃宇