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系統(tǒng)級(jí)封裝電磁屏蔽技術(shù)介紹

環(huán)旭電子 USI ? 來(lái)源:環(huán)旭電子 USI ? 2025-05-14 16:35 ? 次閱讀
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多年來(lái),USI環(huán)旭電子始終致力于創(chuàng)新制程技術(shù)的研發(fā),為穿戴式電子設(shè)備中的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)實(shí)現(xiàn)高集成度及高性能的解決方案。其中,電磁屏蔽性能的持續(xù)優(yōu)化與提升,可謂是 SiP 技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵所在。

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延伸前幾篇「系統(tǒng)級(jí)封裝」制程文章,本文中,我們將切入屏蔽技術(shù) (Shielding) 兩大領(lǐng)域:共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding),并進(jìn)一步探討其中制程之優(yōu)劣,綜觀一覽微小化技術(shù)中的「屏蔽」制程。

「電磁屏蔽技術(shù)」之必要性

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系統(tǒng)級(jí)封裝模組整合數(shù)百、千顆元件于一身,因此,勢(shì)必要避免模組內(nèi)和外各項(xiàng)元件之間的相互干擾,這項(xiàng)屏障即為業(yè)界所稱的共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding)。過(guò)去在PCB組裝制程中,以金屬屏蔽柵欄作為隔間屏蔽已超過(guò) 20 年;在微小化模組產(chǎn)品中,雷射溝槽加導(dǎo)電膠填充技術(shù)則已使用超過(guò) 10 年。

基于屏蔽效能與微小化的目的,金屬屏蔽柵欄已逐漸被淘汰。近年來(lái),USI研發(fā)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出應(yīng)用于間隔屏蔽的金屬屏蔽技術(shù),節(jié)省大量成本的同時(shí),也解決了長(zhǎng)期以來(lái)存在的中頻與高頻問(wèn)題,為SiP屏蔽技術(shù)提供新的解決方案。業(yè)界普遍常見的金屬屏蔽罩,每一段均需要保留約1mm寬度的焊盤與排除區(qū)域 (Keep-Out Zone),環(huán)旭電子的共形及分段型屏蔽僅需10%的寬度。以一個(gè)多頻4G模組為例,可為其他元件騰出超過(guò)17%的空間,并可屏蔽40-50 dB的電磁干擾。

共形屏蔽:滿足多樣化產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求

環(huán)旭電子在共型屏蔽技術(shù)(Conformal Shielding)上持續(xù)創(chuàng)新與研發(fā),可以實(shí)現(xiàn)選擇性屏蔽,雙面屏蔽等技術(shù)以滿足不同的產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求,并且成功開發(fā)了噴涂(Spray Coating)制程,進(jìn)一步降低了產(chǎn)品成本。

選擇性共型屏蔽是通過(guò)在濺射(sputtering)前用遮蔽帶(tape)覆蓋不需要屏蔽的區(qū)域,在濺射后去除遮蔽帶,實(shí)現(xiàn)了選擇性屏蔽,同時(shí)滿足共型屏蔽要求和實(shí)現(xiàn)裸露I/O焊點(diǎn),還可實(shí)現(xiàn)雙面塑封產(chǎn)品I/O的要求。雙面共型屏蔽技術(shù)則通過(guò)兩次濺射實(shí)現(xiàn)雙面選擇性屏蔽,進(jìn)一步提升了產(chǎn)品設(shè)計(jì)的靈活性,降低了設(shè)計(jì)難度。

噴涂則是在產(chǎn)品表面與側(cè)壁噴涂導(dǎo)電膠取代濺射,實(shí)現(xiàn)共型屏蔽。這一項(xiàng)制程的成功開發(fā)為共型屏蔽提供了更多實(shí)現(xiàn)方案,并顯著降低了機(jī)臺(tái)成本和產(chǎn)品成本。

雙面選擇性屏蔽

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USI環(huán)旭電子在電磁屏蔽技術(shù)上的突破,不僅為SiP模組帶來(lái)了更高的集成度和性能,更為客戶創(chuàng)造了多方面的價(jià)值。 首先,透過(guò)精準(zhǔn)的屏蔽設(shè)計(jì),有效降低了元件間的相互干擾,提升了產(chǎn)品的穩(wěn)定性與可靠性。其次,我們獨(dú)立開發(fā)的屏蔽技術(shù)大幅縮減了占用面積,為客戶在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多功能提供了可能。此外,選擇性屏蔽與雙面屏蔽等創(chuàng)新技術(shù),滿足了客戶日益多元化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求,更推升了我們?cè)谖⑿』=M中的生產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。

在下一篇文章中,我們將深入探討「分段式屏蔽技術(shù)」,揭示其在SiP模組中的關(guān)鍵作用與優(yōu)勢(shì)。 分段式屏蔽技術(shù)是如何實(shí)現(xiàn)更精細(xì)化的電磁控制?它又為SiP模組帶來(lái)了哪些新的應(yīng)用場(chǎng)景?敬請(qǐng)期待!

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原文標(biāo)題:系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)電磁屏蔽技術(shù):共形屏蔽&分段型屏蔽

文章出處:【微信號(hào):環(huán)旭電子 USI,微信公眾號(hào):環(huán)旭電子 USI】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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