SiC漂移階躍恢復(fù)二極管（DSRD）

一、基礎(chǔ)定義

SiC漂移階躍恢復(fù)二極管（Drift Step Recovery Diode）是一種基于碳化硅材料的特種半導(dǎo)體開關(guān)器件，核心功能是作為超寬譜（UWB）脈沖系統(tǒng)的功率開關(guān)元件。其典型特征包括：

超快開關(guān)特性（皮秒級(jí)響應(yīng)）

耐高壓能力（≥10kV）

超高功率容量（＞40GW）

二、核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)

性能參數(shù)

開關(guān)速度：＜200ps

工作壽命：＞10?次

工作頻率：20kHz

熱穩(wěn)定性：通過散熱優(yōu)化設(shè)計(jì)

關(guān)鍵技術(shù)突破

介質(zhì)隔離技術(shù)

載流子控制方案

熱管理架構(gòu)

三、應(yīng)用領(lǐng)域分析

軍用市場(chǎng)

高功率微波武器系統(tǒng)

年市場(chǎng)規(guī)模：十億級(jí)（中國(guó)）

代表成果：華中科技大學(xué)梁琳?qǐng)F(tuán)隊(duì)研發(fā)的國(guó)際首款SiC-DSRD芯片

民用市場(chǎng)

超快激光器（2020年市場(chǎng)規(guī)模27億元，增速10.2%）

醫(yī)療脈沖設(shè)備

新興應(yīng)用領(lǐng)域： ? 3D打印 ? 精密加工 ? 生物醫(yī)療設(shè)備

四、發(fā)展前景

隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，在國(guó)防裝備升級(jí)和高端制造需求驅(qū)動(dòng)下，預(yù)計(jì)將形成百萬(wàn)至千萬(wàn)級(jí)的細(xì)分市場(chǎng)。

審核編輯 黃宇