UCC21710 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21710具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側(cè)采用 SiO 2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離，支持高達(dá) 1.5 kV RMS 的工作電壓，隔離柵壽命超過(guò) 40 年，具有 12.8 kV PK 浪涌抗擾度，并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 （CMTI）。
*附件：ucc21710.pdf

該UCC21710包括最先進(jìn)的保護(hù)功能，例如快速過(guò)流和短路檢測(cè)、分流電流傳感支持、故障報(bào)告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側(cè)電源 UVLO，以?xún)?yōu)化 SiC 和 IGBT 開(kāi)關(guān)行為和穩(wěn)健性。隔離式模擬轉(zhuǎn) PWM 傳感器可用于更輕松地進(jìn)行溫度或電壓傳感，進(jìn)一步提高驅(qū)動(dòng)器的多功能性，并簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)工作量、尺寸和成本。

特性

• 5.7kV RMS 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
• 驅(qū)動(dòng)高達(dá) 2121V 峰的 SiC MOSFET 和 IGBT
• 33V 最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓 （VDD-VEE）
• ±10A 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和分離輸出
• 最小 CMTI 為 150V/ns
• 4A 內(nèi)部有源米勒夾具
• 故障條件下的 400mA 軟關(guān)斷
• 帶 PWM 輸出的隔離模擬傳感器，用于
  • 使用 NTC、PTC 或熱敏二極管進(jìn)行溫度傳感
  • 高壓 DC-Link 或相電壓
• FLT 過(guò)流報(bào)警，并從 RST/EN 復(fù)位
• RST/EN 上的快速啟用/禁用響應(yīng)
• 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖
• 12V VDD UVLO，RDY 上電源正常
• 具有過(guò)沖/下沖瞬態(tài)電壓的輸入/輸出抗擾度高達(dá) 5 V
• 130ns（最大值）傳播延遲和 30ns（最大值）脈沖/部件偏移
• SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙距離> 8 mm
• 工作結(jié)溫 –40°C 至 150°C
• 安全相關(guān)認(rèn)證：
  • 符合 DIN EN IEC 60747-17 （VDE 0884-17） 的增強(qiáng)絕緣
  • UL 1577 組件認(rèn)可計(jì)劃

參數(shù)

一、產(chǎn)品概述

UCC0是一款A(yù)源/沉增強(qiáng)型隔離單通道門(mén)驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為SiC MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)，提供高級(jí)集成保護(hù)、卓越的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。該驅(qū)動(dòng)器支持高達(dá)V的峰值電壓，具有±0A的驅(qū)動(dòng)能力、0V/ns的最小共模瞬態(tài)免疫（CMTI）以及A內(nèi)部有源米勒鉗位等功能。

二、主要特性

• ?高隔離電壓?：支持5.7-kV RMS的單通道隔離。
• ?寬電壓范圍?：最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓為V，適用于SiC MOSFET和IGBT。
• ?強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力?：±A的峰值源和沉電流。
• ?高CMTI?：V/ns的最小CMTI，增強(qiáng)對(duì)噪聲的抵抗能力。
• ?有源保護(hù)?：包括過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)、軟關(guān)斷以及輸入/輸出側(cè)的欠壓鎖定（UVLO）。
• ?隔離模擬傳感?：集成隔離模擬到PWM傳感器，用于溫度或電壓傳感。
• ?快速響應(yīng)?：具有快速啟用/禁用響應(yīng)和噪聲瞬態(tài)抑制能力。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
• 服務(wù)器、電信和工業(yè)電源供應(yīng)
• 不間斷電源（UPS）
• 太陽(yáng)能逆變器
• 可再生能源存儲(chǔ)轉(zhuǎn)換器

四、功能描述

1. 電源供應(yīng)

• 輸入側(cè)電源VCC支持3V至.V的寬電壓范圍。
• 輸出側(cè)支持V至V的寬范圍電源供應(yīng)。

2. 驅(qū)動(dòng)階段

• 具有±0A的峰值驅(qū)動(dòng)能力，可直接驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET模塊或IGBT模塊。
• 分裂輸出OUTH和OUTL，允許獨(dú)立控制開(kāi)關(guān)的開(kāi)通和關(guān)斷速度。

3. 保護(hù)特性

• ?UVLO保護(hù)?：輸入側(cè)和輸出側(cè)均集成UVLO保護(hù)，確保在供電電壓不足時(shí)安全關(guān)閉輸出。
• ?過(guò)流和短路保護(hù)?：快速檢測(cè)過(guò)流和短路情況，并通過(guò)軟關(guān)斷功能保護(hù)功率器件。
• ?有源米勒鉗位?：防止在快速切換時(shí)由于米勒效應(yīng)導(dǎo)致的誤開(kāi)通。
• ?短路鉗位?：在短路條件下鉗制輸出電壓，保護(hù)功率器件免受過(guò)壓損壞。

4. 隔離模擬傳感

• 通過(guò)AIN引腳接收隔離的模擬信號(hào)，并將其轉(zhuǎn)換為PWM信號(hào)輸出，用于溫度或電壓監(jiān)測(cè)。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了UCC0在半橋配置中的典型應(yīng)用電路圖，并詳細(xì)說(shuō)明了設(shè)計(jì)步驟，包括輸入濾波器設(shè)計(jì)、PWM互鎖、FLT/RDY/RST/EN引腳電路、外部柵極電阻選擇、過(guò)流和短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)以及隔離模擬信號(hào)傳感應(yīng)用等。

六、電源推薦

• 推薦在VCC、VDD和VEE引腳上使用低ESR/ESL的旁路電容，以穩(wěn)定供電電壓并濾除高頻噪聲。

七、布局指南

• 驅(qū)動(dòng)器應(yīng)盡可能靠近功率半導(dǎo)體放置，以減少寄生電感。
• 解耦電容應(yīng)盡可能靠近電源引腳放置。
• COM引腳應(yīng)連接到SiC MOSFET的源極或IGBT的發(fā)射極的開(kāi)爾文連接點(diǎn)。
• 輸入側(cè)應(yīng)使用地平面屏蔽輸入信號(hào)，輸出側(cè)則根據(jù)具體應(yīng)用情況決定是否使用地平面。