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誰(shuí)改變了整個(gè)電器時(shí)代?巴利加為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域注入活力

電子工程師 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-04-16 09:12 ? 次閱讀
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IEEE榮譽(yù)勛章獲得者B·賈揚(yáng)·巴利加為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域注入活力

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20世紀(jì)70年代后期,美國(guó)的經(jīng)濟(jì)仍然受到多年超高油價(jià)的影響,卡特總統(tǒng)竭力想扭轉(zhuǎn)國(guó)家繁榮與民眾士氣日趨下降的頹勢(shì)。為了在群眾中尋找智慧,他把普通市民帶到了戴維營(yíng)(Camp David),正如后來(lái)他在著名的“萎靡演講”中所講述的,這些人告訴他:“大膽些,總統(tǒng)先生。我們可能會(huì)犯錯(cuò)誤,但我們已經(jīng)準(zhǔn)備好進(jìn)行實(shí)驗(yàn)了?!?/p>

而有一個(gè)人已經(jīng)準(zhǔn)備好進(jìn)行實(shí)驗(yàn)了——是真正的實(shí)驗(yàn),他就是B?賈揚(yáng)?巴利加(B. Jayant Baliga)——曾經(jīng)的IEEE榮譽(yù)勛章獲得者。當(dāng)時(shí),他正在為通用電氣公司開發(fā)半導(dǎo)體功率器件,該公司在其眾多的產(chǎn)品中使用了無(wú)數(shù)的電機(jī),而這無(wú)數(shù)的電機(jī)則要消耗無(wú)數(shù)功率。

這些電機(jī)多數(shù)是感應(yīng)電機(jī),其轉(zhuǎn)速由電源線頻率控制。因此,當(dāng)需要機(jī)器降低功率的時(shí)候,沒有什么好辦法使它慢下來(lái)。通常的解決方法是將一個(gè)物理屏障插入由泵推動(dòng)的空氣流或水流中。難怪那一代的電器效率都極其低下。

通用電氣公司的一些工程師想探索一個(gè)簡(jiǎn)單的節(jié)能理念:讓驅(qū)動(dòng)電機(jī)到達(dá)預(yù)想轉(zhuǎn)速就可以了。但這需要增加電子器件,以可變頻率向電機(jī)的繞組輸送功率,這在當(dāng)時(shí)是不容易做到的。電壓過(guò)高,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET)無(wú)法正常工作,而普通的雙極功率晶體管則需要既笨重又昂貴的控制和保護(hù)電路。

面對(duì)這些困難,通用電氣公司的一名負(fù)責(zé)空調(diào)機(jī)動(dòng)力的經(jīng)理向公司的研發(fā)人員發(fā)出了呼吁?!澳銈冃枰o我一些創(chuàng)新,讓我的生意成功啊?!卑屠踊貞浧鹚脑挕?/p>

而這正是巴利加所做的。1980年前后,他發(fā)明了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)。現(xiàn)如今,此項(xiàng)發(fā)明被廣泛應(yīng)用于家用電器、工業(yè)機(jī)器人、熒光燈、汽車、火車、電視、光伏設(shè)備——任何需要隨時(shí)快速開關(guān)高壓電的地方。

雖然IGBT非常有影響力,但巴利加在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)不止于此。如今,他已經(jīng)成為了羅利市北卡羅萊納州立大學(xué)的電氣和計(jì)算機(jī)工程教授。在他的職業(yè)生涯中,他不僅僅在追求實(shí)驗(yàn)進(jìn)展,同時(shí)也在發(fā)展基礎(chǔ)半導(dǎo)體理論、撰寫教材,并努力將器件商業(yè)化,推向市場(chǎng)。在這一路上,他收獲了許多榮譽(yù),其中就包括2010年的美國(guó)國(guó)家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)。

巴利加在現(xiàn)代功率半導(dǎo)體發(fā)展中能起到舉足輕重的作用是出人意料的,因?yàn)樵谒殬I(yè)生涯開始的時(shí)候,他對(duì)這些器件根本毫無(wú)興趣。但作為一個(gè)年輕人,他闖入了這個(gè)領(lǐng)域,繼而發(fā)現(xiàn)了一塊驚人的沃土。

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巴利加擁有優(yōu)越的成長(zhǎng)背景,他童年時(shí)住在印度班加羅爾當(dāng)時(shí)的郊區(qū)。他的父親在那里經(jīng)營(yíng)著一個(gè)大型工廠,公司在工廠附近為他們家提供了一所宅邸。后來(lái),他的父親成為了巴拉特電子有限公司的董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理。巴利加笑著回憶說(shuō):“我們家里有5個(gè)傭人和6個(gè)園丁,還有一輛配了專職司機(jī)的車——但整個(gè)院子都時(shí)常受到眼鏡蛇的騷擾?!苯柚赣H的工程類書庫(kù),他培養(yǎng)了在電氣工程方面的興趣,這也成為他后來(lái)在印度理工學(xué)院馬德拉斯分院所學(xué)習(xí)的專業(yè)。

在那里,他最終發(fā)現(xiàn)了一個(gè)他更喜歡的科目。“我看了一些書,比如《費(fèi)曼物理學(xué)講義》?!卑屠由钋榈鼗貞浀溃暗覜]辦法從我當(dāng)時(shí)的電氣工程專業(yè)轉(zhuǎn)到物理學(xué)專業(yè)。所以我想,我只能退而求其次,也就是研究半導(dǎo)體?!?/p>

1969年畢業(yè)后,巴利加選擇出國(guó)繼續(xù)深造,這似乎是逃脫他父親——印度最杰出的電氣工程師之一的陰影的最好方法。于是,他申請(qǐng)了紐約州特洛伊的倫斯勒理工學(xué)院。他被錄取了,開始在索拉博?K?甘地(Sorab K. Ghandhi)的指導(dǎo)下研究半導(dǎo)體工程。

作為一名碩士研究生,巴利加研究了砷化鎵半導(dǎo)體。在博士期間,他決定研究一種可以被用來(lái)制備砷化銦和銦砷化鎵半導(dǎo)體的技術(shù),這一過(guò)程現(xiàn)在被稱為有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法。經(jīng)過(guò)一些初步的文獻(xiàn)研究,他發(fā)現(xiàn)這是一項(xiàng)危險(xiǎn)的工作,因?yàn)樗婕暗幕衔锶绻┞对诳諝庵袝?huì)發(fā)生爆炸。

巴利加告訴他的導(dǎo)師:“如果出了問(wèn)題,我和這棟樓里的其他人都會(huì)被炸死?!钡膶?dǎo)師甘地并沒有退縮,只是建議巴利加制造一個(gè)“密閉性極強(qiáng)的”反應(yīng)容器。實(shí)驗(yàn)成功了,而這一經(jīng)歷教會(huì)了巴利加一個(gè)重要的道理:只要你用心去做,即使是最危險(xiǎn)、最困難的技術(shù)挑戰(zhàn)也是可以克服的。

1974年,在獲得博士學(xué)位后,巴利加希望在IBM或貝爾實(shí)驗(yàn)室找到一個(gè)研究職位。但他只有學(xué)生簽證,連這些名企的面試機(jī)會(huì)都得不到。后來(lái),一個(gè)在附近的紐約州尼什卡納的通用電氣研究實(shí)驗(yàn)室工作的同系研究生告訴他,通用電氣有一個(gè)研究功率器件的職位,如果巴利加愿意,他可以幫忙安排面試。

巴利加并沒有太高熱情?!拔覟槭裁匆芯抗β势骷??”他回憶說(shuō),“人們從20世紀(jì)50年代以來(lái)一直在研究功率器件。所有有意思的研究都已經(jīng)有人做過(guò)了?!钡捎跊]有更好的選擇,他只好申請(qǐng)并接受了這份工作。特別不想回印度的巴加利說(shuō):“這是我唯一的機(jī)會(huì)?!?/p>

他早期在通用電氣的研究涉及了晶閘管——目前主要用于處理極高電壓的半導(dǎo)體器件。啟動(dòng)晶閘管很容易,但要關(guān)閉它們,則須等到電壓極性反轉(zhuǎn),這就嚴(yán)重制約了其應(yīng)用。但是,在研究晶閘管時(shí),巴利加得到了一些啟示:他發(fā)現(xiàn)它們可以被改造,使其像普通的晶體管一樣工作,也就是可以按照指令打開和關(guān)閉。在了解到通用電氣對(duì)節(jié)能變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的需求后,巴利加設(shè)計(jì)出了一種晶閘管狀的裝置,將MOSFET和雙極型晶體管的最佳屬性相結(jié)合,而當(dāng)時(shí),這兩種器件在半導(dǎo)體世界中被認(rèn)為是完全不相關(guān)的。

巴利加自嘲道:“這就像吉卜林的那句‘東是東,西是西,東西永古不相期’?!彼麑⑦@兩種技術(shù)在一個(gè)器件中融合的建議是大膽的,但他表示,利用通用公司的一條MOSFET生產(chǎn)線,這種新晶體管可以相對(duì)容易地進(jìn)行制造。

同事們將巴利加的想法向通用電氣公司的新任董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官小杰克?F?韋爾奇(Jack F. Welch Jr.)進(jìn)行了匯報(bào)。這位董事長(zhǎng)嚴(yán)苛的管理風(fēng)格為其贏得了“中子杰克”的綽號(hào),巴利加解釋說(shuō):“如果他參觀工廠后不滿意,他離開工廠后所有人都會(huì)被炒魷魚——就像一顆中子炸彈。”

曾與巴利加在通用共事、現(xiàn)為威斯康星大學(xué)麥迪遜分校工程教授的托馬斯?揚(yáng)斯(Thomas Jahns)證實(shí)了在韋爾奇手下做事是怎樣的情形?!爱?dāng)時(shí)非常緊張。(研究人員)被召集到一起提供解決方案:你要么交方案,要么走人?!?/p>

1981年初,韋爾奇前往通用電氣的研究中心,聽取有關(guān)新晶體管理念的匯報(bào)——這次匯報(bào)的壓力對(duì)于巴利加來(lái)說(shuō)是前所未有的。他說(shuō):“很多職位都會(huì)命懸一線,特別是我的?!钡磺羞M(jìn)行順利,在一年之內(nèi),巴利加和他的同事就開始制造這種新型晶片了。最初,他稱這種裝置為“絕緣柵整流器”,試圖將它與普通的晶體管區(qū)別開來(lái)。但后來(lái),他將其更名為絕緣柵雙極型晶體管,以避免應(yīng)用工程師混淆。

新的IGBT成功地避免了災(zāi)難性的“閉鎖效應(yīng)”——在晶體管關(guān)閉之后仍像晶閘管一樣持續(xù)導(dǎo)通電流。但它的關(guān)閉速度還是太慢,無(wú)法用于變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng),而已知用于提升晶體管關(guān)閉速度的方法將會(huì)破壞此類金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件。巴利加回憶起同事們失望的結(jié)論:“我們可以將它用于60赫茲。也許能用在蒸汽熨斗上?!?/p>

韋爾奇的中子爆發(fā)威力毫無(wú)疑問(wèn)是心頭之重,巴利加最終設(shè)計(jì)了一個(gè)巧妙的辦法提升IGBT的速度:電子輻照。

這種方法曾被用于雙極型功率整流器,但它會(huì)損壞MOS器件。巴利加想到了如何用最低的熱量來(lái)修復(fù)MOS結(jié)構(gòu),同時(shí)提升速度的方法。

巴利加說(shuō):“從低頻到任意高頻,我都可以一直對(duì)速度進(jìn)行控制?!痹诙潭處讉€(gè)月內(nèi),這一新工藝就被用于芯片的制造了?!按蠹覍?duì)此都熱情高漲——高速器件實(shí)現(xiàn)了。他們可以開始用它進(jìn)行運(yùn)作。它立刻就會(huì)啟動(dòng)起來(lái)?!?/p>

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IGBT廣泛蔓延之地包括日本,在那里,富士電機(jī)、日立、三菱電機(jī)以及其他企業(yè)對(duì)巴利加的工作表示出了興趣,并最終開始制造這些器件,與通用形成了激烈的競(jìng)爭(zhēng)。而此時(shí),通用電氣在制造超大規(guī)模集成電路中的投資形勢(shì)變得很不樂觀。1988年,韋爾奇決定賣掉通用電氣的整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。這一舉動(dòng)使巴利加的研究專長(zhǎng)在該公司無(wú)用武之地了。

巴利加回憶說(shuō),老板表示會(huì)在公司的高級(jí)管理層為他找一個(gè)職位。他說(shuō):“但在我心里,我仍然覺得自己是一個(gè)科學(xué)家?!钡渌灸芴峁┙o他的職位并不具有吸引力,而且功率器件的學(xué)術(shù)活動(dòng)在當(dāng)時(shí)的美國(guó)是不存在的。這些并不意味著他不能創(chuàng)建自己的研究項(xiàng)目,但問(wèn)題是,在哪里創(chuàng)建?

巴利加經(jīng)常訪問(wèn)北卡羅萊納州的三角研究園,在那里,通用電氣公司有一個(gè)功率電子小組,而且他知道,北卡羅萊納微電子中心(MCNC)在那里配有一條最先進(jìn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)生產(chǎn)線。有了這些設(shè)施,他相信可以在附近的北卡羅萊納州立大學(xué)很好地進(jìn)行研究工作了。而這所大學(xué)正急于將他招至麾下。當(dāng)時(shí)負(fù)責(zé)在新開發(fā)的衛(wèi)星校區(qū)建立半導(dǎo)體研究項(xiàng)目的系主任尼諾?馬斯納里(Nino Masnari)說(shuō)道:“他本可以去任何地方的?!?/p>

因此,在1988年8月,巴利加搬到了北卡羅萊納州,至迄今為止,他已經(jīng)在那里度過(guò)了25年的教學(xué)和研究生涯了。奧巴馬總統(tǒng)在幾個(gè)月前也剛剛訪問(wèn)過(guò)那里,宣布成立下一代功率電子創(chuàng)新研究院以及為該所大學(xué)提供相應(yīng)的1.4億美元的撥款,而這是在巴利加的未來(lái)可再生電能配送和管理系統(tǒng)中心團(tuán)隊(duì)的幫助下贏取的。

這所由聯(lián)邦政府資助的新建機(jī)構(gòu)的目標(biāo)之一是:加快MOSFET和其他由寬帶隙半導(dǎo)體制成的功率器件的開發(fā),這些器件的性能要優(yōu)于那些由硅制成的器件。將來(lái),寬帶隙MOSFET將足夠廉價(jià)可靠,足以取代IGBT。巴利加開玩笑說(shuō):“如果一切順利,我的那個(gè)大塊寶貝兒(IGBT)就該離開了?!?/p>

但他并不在意。盡管巴利加是窄帶隙器件硅制IGBT之父,但他一直以來(lái)都對(duì)寬帶隙對(duì)手表示支持。事實(shí)上,他在通用電氣開發(fā)IGBT期間,還發(fā)明了首個(gè)寬帶隙功率半導(dǎo)體——砷化鎵整流器。大約在同一時(shí)間,他設(shè)計(jì)了一種方法(現(xiàn)在被稱為巴利加優(yōu)值),根據(jù)基礎(chǔ)理論來(lái)計(jì)算使功率器件發(fā)揮最佳功能的最優(yōu)半導(dǎo)體類型——他強(qiáng)調(diào)了碳化硅以及其他寬帶隙半導(dǎo)體的未來(lái)前景。關(guān)鍵在于,研究如何使這些特殊器件足夠廉價(jià),足以與硅競(jìng)爭(zhēng),這是巴利加和他的學(xué)生以及許多其他研究人員正在積極爭(zhēng)取達(dá)到的目標(biāo)。

巴利加也參與到了開辦創(chuàng)業(yè)公司的潮流中。在21世紀(jì),他創(chuàng)辦的公司所創(chuàng)造的功率半導(dǎo)體器件被用于蜂窩基站,還被用于控制輸送到現(xiàn)代微處理器的巨大電流——這也只是舉兩個(gè)例子而已。雖然所有的發(fā)明在商業(yè)上都取得了成功,但這些都沒有讓他變得富有。“這沒關(guān)系?!彼f(shuō),“人們能使用我的芯片,我就非常激動(dòng)了?!?/p>

事實(shí)上,雖然人們并不了解他的功績(jī),但世界各地?cái)?shù)以百萬(wàn)的人都在從巴利加開創(chuàng)的功率半導(dǎo)體中受益。并且,隨著對(duì)更高效的器件的需求不斷上升,他們無(wú)疑將會(huì)在未來(lái)的很多年內(nèi)繼續(xù)受益。

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原文標(biāo)題:IGBT的發(fā)明者:他改變了整個(gè)電器時(shí)代!

文章出處:【微信號(hào):icunion,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造工藝中的離子植入技術(shù)(IMP)

    銀燒結(jié)技術(shù)助力功率半導(dǎo)體器件邁向高效率時(shí)代

    隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件,正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在這些領(lǐng)域中,功率
    的頭像 發(fā)表于 01-08 13:06 ?1413次閱讀
    銀燒結(jié)技術(shù)助力<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件邁向高效率<b class='flag-5'>時(shí)代</b>

    功率半導(dǎo)體模塊的可靠性評(píng)估:功率循環(huán)測(cè)試研究

    能力使得功率半導(dǎo)體在各種電力應(yīng)用中不可或缺,例如電力變換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電力調(diào)節(jié)器等。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 12-06 17:24 ?1217次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>模塊的可靠性評(píng)估:<b class='flag-5'>功率</b>循環(huán)測(cè)試研究

    國(guó)產(chǎn)EOS技術(shù)突破,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入活力!

    半導(dǎo)體制造這一高精尖領(lǐng)域,電子束量測(cè)檢測(cè)設(shè)備無(wú)疑是除光刻機(jī)之外技術(shù)難度最高的設(shè)備類別之一。它深度參與光刻環(huán)節(jié),對(duì)制程節(jié)點(diǎn)極為敏感
    的頭像 發(fā)表于 10-08 11:17 ?1190次閱讀
    國(guó)產(chǎn)EOS技術(shù)突破,為<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)<b class='flag-5'>注入</b>新<b class='flag-5'>活力</b>!

    英飛凌 固態(tài)繼電器和固態(tài)斷路器時(shí)代將至

    的解決方案呢? 目前,高壓繼電器和斷路器大部分都是機(jī)電式的。 除了人們百年來(lái)已經(jīng)習(xí)慣使用繼電器和斷路器外,工程領(lǐng)域也普遍認(rèn)為,半導(dǎo)體技術(shù)不適合應(yīng)用于高壓開關(guān)。但近年的
    的頭像 發(fā)表于 08-23 11:15 ?827次閱讀
    英飛凌  固態(tài)繼<b class='flag-5'>電器</b>和固態(tài)斷路器<b class='flag-5'>時(shí)代</b>將至

    功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體的區(qū)別

    功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們?cè)陔娮悠骷械膽?yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別: 材料類型:功率
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:07 ?1029次閱讀