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ISO5451-Q1 具有主動保護(hù)功能的汽車級 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-19 15:26 ? 次閱讀
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ISO5451-Q1 的電壓為 5.7kV RMS ,用于 IGBTMOSFET 的增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動器,具有 2.5A 拉電流和 5A 灌電流。輸入側(cè)采用 3V 至 5.5V 單電源供電。輸出側(cè)允許的電源范圍從最小 15 V 到最大 30 V。兩個(gè)互補(bǔ) CMOS 輸入控制柵極驅(qū)動器的輸出狀態(tài)。76 ns 的短傳播時(shí)間確保了對輸出級的精確控制。
*附件:iso5451-q1.pdf

內(nèi)部去飽和 (DESAT) 故障檢測可識別 IGBT 何時(shí)處于過載狀態(tài)。檢測到 DESAT 時(shí),柵極驅(qū)動器輸出被驅(qū)動至 VEE2 系列電位,立即關(guān)閉 IGBT。

當(dāng)去飽和有效時(shí),故障信號通過隔離柵發(fā)送,將輸入側(cè)的 FLT 輸出拉低并阻止隔離器輸入。FLT 輸出條件是鎖存的,可以通過 RST 輸入端的低有效脈沖進(jìn)行復(fù)位。

當(dāng) IGBT 在雙極輸出電源正常工作期間關(guān)閉時(shí),輸出硬鉗位至 V EE2 系列 .如果輸出電源為單極性,則可以使用有源米勒箝位,允許米勒電流通過低阻抗路徑吸收,從而防止 IGBT 在高壓瞬態(tài)條件下動態(tài)導(dǎo)通。

柵極驅(qū)動器的運(yùn)行準(zhǔn)備情況由兩個(gè)欠壓鎖定電路控制,用于監(jiān)控輸入側(cè)和輸出側(cè)電源。如果任一側(cè)電源不足,則 RDY 輸出變?yōu)榈碗娖?,否則此輸出為高電平。

ISO5451-Q1 采用 16 引腳 SOIC 封裝。器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 –40°C 至 +125°C 環(huán)境溫度。

特性

  • 適用于汽車應(yīng)用
  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),結(jié)果如下:
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 設(shè)備 HBM 分類等級 3A
    • 器件 CDM 分類等級 C6
  • V 時(shí) 50kV/μs (最小值)和 100kV/μs 典型共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI厘米 = 1500 伏
  • 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
  • 短傳播延遲:76 ns(典型值)、
    110 ns(最大值)
  • 2A 有源米勒箝位
  • Output Short-Circuit Clamp
  • 去飽和檢測時(shí)的故障警報(bào)在 FLT 上發(fā)出信號,并通過 RST 復(fù)位
  • 輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO),帶就緒 (RDY) 引腳指示
  • 有源輸出下拉和默認(rèn)低電平輸出,具有低電源或浮動輸入
  • 3V 至 5.5V 輸入電源電壓
  • 15V 至 30V 輸出驅(qū)動器電源電壓
  • CMOS 兼容輸入
  • 抑制短于 20 ns 的輸入脈沖和噪聲瞬變
  • 隔離浪涌耐受電壓 10000VPK
  • 安全相關(guān)認(rèn)證
    • 8000 伏PKV物聯(lián)網(wǎng)和 1420-VPKVIORM符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 的增強(qiáng)隔離
    • 5700 伏RMS隔離 1 分鐘,符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)
    • CSA 組件驗(yàn)收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 的 TUV 認(rèn)證
    • GB4943.1-2011 CQC 認(rèn)證
    • 所有認(rèn)證均按照 UL、VDE、CQC、TUV 完成,并計(jì)劃通過 CSA 認(rèn)證

參數(shù)

image.png

方框圖
image.png

概述

ISO-Q是一款由Texas Instruments(TI)生產(chǎn)的高共模瞬態(tài)免疫(CMTI)隔離IGBT和MOSFET柵極驅(qū)動器。它專為需要高可靠性和安全性的汽車和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì),具備多種主動保護(hù)功能和增強(qiáng)的電氣隔離性能。

主要特性

  • ?高CMTI?:提供kV/μs的最小和kV/μs的典型CMTI,確保在惡劣電磁環(huán)境下的穩(wěn)定性能。
  • ?強(qiáng)化隔離?:具有.kV RMS的隔離電壓,符合多種安全標(biāo)準(zhǔn),包括UL、VDE、CSA和TUV認(rèn)證。
  • ?靈活的供電范圍?:輸入側(cè)支持-V至.-V的單電源供電,輸出側(cè)支持-V至-V的電源范圍。
  • ?雙路電流能力?:提供.-A的源電流和-A的灌電流,滿足各種驅(qū)動需求。
  • ?多種保護(hù)功能?:包括欠壓鎖定(UVLO)、故障報(bào)警(FLT)、復(fù)位(RST)和短路保護(hù)等。

功能描述

柵極驅(qū)動

  • ?高速響應(yīng)?:短傳播延遲(ns典型值),確保對IGBT或MOSFET的快速控制。
  • ?高電流輸出?:支持高達(dá).-A的源電流和-A的灌電流,適用于驅(qū)動大容性負(fù)載。

保護(hù)機(jī)制

  • ?UVLO?:輸入和輸出側(cè)的UVLO功能可防止在供電不足時(shí)誤操作。
  • ?FLT和RST?:在檢測到故障時(shí),F(xiàn)LT引腳輸出低電平信號,并通過RST引腳實(shí)現(xiàn)故障復(fù)位。
  • ?短路保護(hù)?:內(nèi)置的短路檢測電路可在檢測到短路時(shí)快速關(guān)斷輸出,保護(hù)IGBT或MOSFET不受損壞。

其他功能

  • ?活性米勒鉗位?:在單電源供電時(shí),通過鉗位輸出防止因米勒效應(yīng)導(dǎo)致的誤觸發(fā)。
  • ?輸出下拉?:在無輸出供電時(shí),確保柵極輸出被下拉至低電平,保持IGBT或MOSFET的安全關(guān)斷狀態(tài)。

應(yīng)用領(lǐng)域

ISO-Q適用于需要高隔離電壓、高可靠性和多種保護(hù)功能的柵極驅(qū)動應(yīng)用,包括但不限于:

  • 汽車應(yīng)用:如電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的功率模塊。
  • 工業(yè)電機(jī)控制:如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、工業(yè)電源供應(yīng)器等。
  • 太陽能逆變器:在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,用于驅(qū)動IGBT或MOSFET以控制電能轉(zhuǎn)換。
  • 感應(yīng)加熱:在感應(yīng)加熱設(shè)備中,用于驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件以實(shí)現(xiàn)高效的電能到熱能的轉(zhuǎn)換。

設(shè)計(jì)指南

  • ?電源去耦?:在輸入和輸出電源引腳附近放置旁路電容,以減小電源噪聲和干擾。
  • ?控制輸入驅(qū)動?:使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS推挽驅(qū)動電路來驅(qū)動IN+和IN-輸入,以確保最大的CMTI性能。
  • ?布局考慮?:遵循推薦的PCB布局指南,確保信號完整性、熱性能和電氣隔離。
  • ?故障處理?:根據(jù)應(yīng)用需求配置FLT和RST引腳,實(shí)現(xiàn)局部或全局的故障處理和復(fù)位功能。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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