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UCC27211A 具有 8V UVLO 和負(fù)電壓處理能力的 4A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-20 09:34 ? 次閱讀
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UCC27211A 器件驅(qū)動(dòng)器基于流行的 UCC27201 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器;但是,該設(shè)備提供了幾項(xiàng)重要的性能改進(jìn)。

峰值輸出上拉和下拉電流已增加到 3.7A 拉電流和 4.5A 灌電流,因此允許在通過(guò) MOSFET 的米勒平臺(tái)轉(zhuǎn)換期間以最小的開(kāi)關(guān)損耗驅(qū)動(dòng)大功率 MOSFET。輸入結(jié)構(gòu)可以直接處理 –10VDC,這提高了穩(wěn)健性,還允許直接連接到柵極驅(qū)動(dòng)變壓器,而無(wú)需使用整流二極管。輸入也獨(dú)立于電源電壓,最大額定電壓為 20V。
*附件:ucc27211a.pdf

UCC27211A(HS 引腳)的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)可以處理最大 –(24 - VDD) V,從而可以保護(hù)高側(cè)通道免受寄生電感和雜散電容引起的固有負(fù)電壓的影響。UCC27211A (TTL 輸入) 具有更高的滯后性,允許與模擬或數(shù)字 PWM 控制器接口,具有增強(qiáng)的抗噪能力。

低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器由獨(dú)立控制,并在導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配 4ns。片內(nèi) 120V 額定電壓的自舉二極管消除了外部分立二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器均提供欠壓鎖定,提供對(duì)稱的導(dǎo)通和關(guān)斷行為,并在驅(qū)動(dòng)電壓低于指定閾值時(shí)強(qiáng)制輸出為低電平。

特性

  • –40°C 至 +150°C 結(jié)溫范圍
  • 通過(guò)獨(dú)立輸入在高側(cè)和低側(cè)配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
  • 最大啟動(dòng)電壓 120V DC
  • 3.7A 拉電流、4.5A 灌電流輸出電流
  • 輸入引腳可以承受 –10V 至 +20V,并且與電源電壓范圍無(wú)關(guān)
  • TTL 兼容輸入
  • 8V 至 17V VDD 工作范圍,(最大 20V ABS)
  • 7.2ns 上升時(shí)間,5.5ns 下降時(shí)間,1000pF 負(fù)載
  • 快速傳播延遲時(shí)間(典型值為 20ns)
  • 4ns 延遲匹配
  • 用于高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的對(duì)稱欠壓鎖定
  • 提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
    • 4mm × 4mm SON-8

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?型號(hào)?:UCCA
  • ?類型?:V,3.7A/.A半橋驅(qū)動(dòng)器
  • ?特點(diǎn)?:
    • 適用于-0°C至+°C的結(jié)溫范圍
    • 驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)配置的兩個(gè)N溝道MOSFET,具有獨(dú)立輸入
    • 最大自舉電壓0V DC
    • .A源電流和4.5A漏電流輸出
    • 輸入引腳可承受-0V至+V電壓,與電源電壓范圍無(wú)關(guān)
    • TTL兼容輸入
    • V至V VDD工作范圍(0V絕對(duì)最大值)
    • .ns上升時(shí)間和.ns下降時(shí)間(pF負(fù)載)
    • 快速傳播延遲時(shí)間(典型值0ns)
    • ns通道間延遲匹配
    • 高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器具有對(duì)稱欠壓鎖定(UVLO)
    • 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)4mm x 4mm SON-8封裝

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 太陽(yáng)能功率優(yōu)化器和微型逆變器
  • 電信和商用電源
  • 在線和離線UPS
  • 儲(chǔ)能系統(tǒng)
  • 電池測(cè)試設(shè)備

3. 電氣特性

  • ?UVLO?:
    • VDD上升閾值:7.2V(帶0.5V滯回)
    • VHB上升閾值:.V(帶.V滯回)
  • ?輸入特性?:
    • 高電平輸入閾值(VHIT_HI, VHIT_LI):.V至2.7V
    • 低電平輸入閾值(VLIT_HI, VLIT_LI):.V至1.9V
    • 輸入滯回:0.7V
  • ?輸出特性?:
    • 低電平輸出電壓(VLOL, VHOL):0.V至0.V
    • 高電平輸出電壓(VLOH, VHOH):接近VDD
    • 峰值源電流:.A
    • 峰值漏電流:.A

4. 功能描述

  • ?輸入階段?:具有約kΩ的阻抗和約4pF的輸入電容,TTL兼容邏輯電平。
  • ?UVLO保護(hù)?:監(jiān)控VDD和VHB至VHS的差分電壓,當(dāng)電壓低于閾值時(shí)禁用驅(qū)動(dòng)器。
  • ?電平移位?:將高側(cè)輸入轉(zhuǎn)換為參考HS引腳的高側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
  • ?自舉二極管?:集成0V額定自舉二極管,用于生成高側(cè)偏置電壓。
  • ?輸出階段?:具有高速率、低電阻和高峰值電流能力,適用于高效切換功率MOSFET。

5. 設(shè)備功能模式

  • ?正常模式?:輸出狀態(tài)取決于HI和LI引腳的狀態(tài)。
  • ?UVLO模式?:當(dāng)VDD或VHB至VHS電壓低于UVLO閾值時(shí),輸出被鎖定在低電平。

6. 應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

  • ?布局指南?:建議將驅(qū)動(dòng)器盡可能靠近MOSFET放置,使用寬跡線并最小化寄生電感。
  • ?電源推薦?:建議VDD使用.2μF至4.7μF的旁路電容,VHB使用.μF至.μF的旁路電容。
  • ?熱考慮?:提供了熱阻等熱度量標(biāo)準(zhǔn),以幫助評(píng)估散熱性能。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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