UCC2742x-Q1 系列器件是高速雙通道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，能夠向容性負(fù)載提供較大的峰值電流。提供兩種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)：雙反相和雙同相驅(qū)動(dòng)器。它們采用標(biāo)準(zhǔn) 8 引腳 SOIC （D） 封裝。熱增強(qiáng)型 8 引腳 PowerPAD 封裝 MSOP 封裝 （DGN） 大大降低了熱阻，從而提高了長期可靠性。
*附件：ucc27425-q1.pdf

這些驅(qū)動(dòng)器采用一種本質(zhì)上將擊穿電流降至最低的設(shè)計(jì)，在 MOSFET 開關(guān)轉(zhuǎn)換期間，在米勒高原區(qū)域最需要的地方提供 4A 電流。獨(dú)特的雙極和 MOSFET 混合并聯(lián)輸出級還允許在低電源電壓下實(shí)現(xiàn)高效的電流源和吸收。

UCC2742x-Q1 提供使能 （ENBL） 功能，以更好地控制驅(qū)動(dòng)程序應(yīng)用的運(yùn)行。ENBA 和 ENBB 在引腳 1 和 8 上實(shí)現(xiàn)，而這些引腳以前在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳分配中未使用。它們在內(nèi)部被上拉至 V DD 以實(shí)現(xiàn)高電平有效邏輯，并且可以保持開路以進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)作。

特性

• 適用于汽車應(yīng)用
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下：
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C6
• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列
• 為每個(gè)驅(qū)動(dòng)程序啟用功能
• ±4 A 的大電流驅(qū)動(dòng)能力
• 獨(dú)特的雙極和 CMOS True Drive 輸出級在 MOSFET 米勒閾值下提供高電流
• 輸入不受電源電壓的影響，與 TTL 和 CMOS 兼容
• 1.8nF 負(fù)載時(shí)，上升時(shí)間為 20ns（典型值），下降時(shí)間為 15ns（典型值）
• 典型傳播延遲時(shí)間為 25 ns（輸入下降時(shí)）和 35 ns（輸入上升時(shí)）
• 4V 至 15V 電源電壓
• 雙輸出可并聯(lián)以獲得更高的驅(qū)動(dòng)電流
• 采用耐熱性能增強(qiáng)型 MSOP PowerPAD? 封裝
• 額定溫度范圍為 –40°C 至 +125°C

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

1. 基本信息

• ?產(chǎn)品名稱?：UCC5-Q
• ?功能?：雙通道4A高速低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器，帶使能功能
• ?應(yīng)用領(lǐng)域?：開關(guān)模式電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制器、線路驅(qū)動(dòng)器、Class-D開關(guān)放大器等

2. 主要特點(diǎn)

• ?AEC-Q認(rèn)證?：適用于汽車應(yīng)用
• ?雙通道設(shè)計(jì)?：一個(gè)通道為反相（inverting），另一個(gè)通道為非反相（non-inverting）
• ?高峰值電流?：每個(gè)通道能提供±A的峰值驅(qū)動(dòng)電流
• ?TrueDrive輸出架構(gòu)?：采用雙極性和MOSFET晶體管并行結(jié)構(gòu)，提供高效的電流驅(qū)動(dòng)
• ?TTL和CMOS兼容輸入?：輸入邏輯獨(dú)立于電源電壓
• ?使能功能?：每個(gè)通道具有獨(dú)立的使能輸入（ENBA和ENBB）
• ?熱增強(qiáng)型封裝?：提供MSOP PowerPAD封裝，降低熱阻，提高散熱性能

二、引腳配置與功能

1. 引腳配置

• ?ENBA?（引腳）：通道A的使能輸入
• ?INA?（引腳2）：通道A的輸入信號
• ?GND?（引腳）：公共地
• ?INB?（引腳）：通道B的輸入信號
• ?OUTB?（引腳）：通道B的驅(qū)動(dòng)輸出
• ?OUTA?（引腳）：通道A的驅(qū)動(dòng)輸出
• ?ENBB?（引腳）：通道B的使能輸入
• ?VDD?（引腳6）：電源電壓輸入

2. 功能描述

• ?ENBA/ENBB?：控制對應(yīng)通道的使能狀態(tài)，內(nèi)部上拉至VDD，高電平啟用，低電平禁用
• ?INA/INB?：輸入信號，具有邏輯兼容的閾值和遲滯
• ?OUTA/OUTB?：驅(qū)動(dòng)輸出，能夠提供高達(dá)4A的峰值驅(qū)動(dòng)電流至MOSFET柵極

三、電氣特性

1. 靜態(tài)工作電流

• 不同條件下的靜態(tài)工作電流范圍為數(shù)百微安至數(shù)毫安

2. 輸入和輸出特性

• ?輸入閾值電壓?：VIH為1.6V至.V，VIL為.V至1.5V
• ?輸出電流?：每個(gè)通道能提供±4A的峰值驅(qū)動(dòng)電流
• ?輸出電阻?：高電平輸出電阻為.Ω至2.5Ω，低電平輸出電阻為0.7Ω至.Ω

3. 開關(guān)特性

• ?上升時(shí)間?：典型值為ns，最大值為ns
• ?下降時(shí)間?：典型值為ns，最大值為ns
• ?傳播延遲時(shí)間?：輸入上升時(shí)為ns至ns，輸入下降時(shí)為5ns至0ns

四、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

1. 應(yīng)用信息

• 適用于需要高速度、高電流驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用場景，特別是在MOSFET開關(guān)轉(zhuǎn)換期間提供高效的電流驅(qū)動(dòng)

2. 典型應(yīng)用

• 提供了在驅(qū)動(dòng)兩個(gè)獨(dú)立MOSFET時(shí)的典型應(yīng)用電路圖

3. 設(shè)計(jì)要求

• 在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，需考慮輸入到輸出配置、輸入閾值類型、電源電壓、峰值源電流和沉電流、使能功能、傳播延遲、功率耗散和封裝類型等設(shè)計(jì)參數(shù)

五、布局與熱考慮

1. 布局指南

• 推薦將驅(qū)動(dòng)器盡可能靠近功率MOSFET，以最小化寄生電感和噪聲
• 使用低ESR的旁路電容來減少高頻噪聲
• 優(yōu)化電流環(huán)路路徑，以最小化環(huán)路電感

2. 熱考慮

• 強(qiáng)調(diào)了熱設(shè)計(jì)的重要性，特別是對于高功率應(yīng)用
• 提供了不同封裝選項(xiàng)的熱阻和功率耗散評級，推薦使用MSOP PowerPAD封裝以提高散熱性能

六、封裝與訂購信息

1. 封裝選項(xiàng)

• ? SOIC-(D) ?：標(biāo)準(zhǔn)小外形集成電路封裝
• ? MSOP-PowerPAD(DGN) ?：熱增強(qiáng)型微型小外形功率焊盤封裝

2. 訂購信息

• 提供了不同封裝選項(xiàng)的訂購信息，包括狀態(tài)、材料類型、封裝尺寸、載帶和卷盤信息、RoHS狀態(tài)等