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UCC27222 高效預(yù)測(cè)同步降壓驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-21 17:56 ? 次閱讀
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UCC27221 和 UCC27222 是高速同步降壓驅(qū)動(dòng)器,適用于當(dāng)今的高效率、低輸出電壓設(shè)計(jì)。這些驅(qū)動(dòng)器采用預(yù)測(cè)柵極驅(qū)動(dòng)? (PGD) 控制技術(shù),可降低同步整流MOSFET 中的二極管導(dǎo)通和反向恢復(fù)損耗。UCC27221 具有反相 PWM 輸入,而 UCC27222 具有同相 PWM 輸入。

Predictive Gate Drive? 技術(shù)使用內(nèi)部穩(wěn)定的控制回路,因此對(duì)用戶透明。這些 loop 不使用外部元件,因此不需要額外的設(shè)計(jì)來(lái)利用這些驅(qū)動(dòng)器的更高效率。
*附件:ucc27222.pdf

該閉環(huán)反饋系統(tǒng)檢測(cè)體二極管導(dǎo)通,并調(diào)整死區(qū)時(shí)間延遲以最小化導(dǎo)通時(shí)間間隔。這實(shí)際上消除了體二極管導(dǎo)通,同時(shí)針對(duì)溫度、負(fù)載相關(guān)延遲和不同的 MOSFET 進(jìn)行調(diào)整。納秒級(jí)的精確柵極時(shí)序縮短了同步整流器 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間,從而降低了主(高壓側(cè))MOSFET 中的反向恢復(fù)損耗。低側(cè) MOSFET 中較低的結(jié)溫提高了產(chǎn)品的可靠性。由于功率耗散最小,因此還可以使用更高的開(kāi)關(guān)頻率,從而允許更小的元件尺寸。

UCC27221 和 UCC27222 采用熱增強(qiáng)型 14 引腳 PowerPAD 封裝,C/W 為 2°C/WJC .

特性

  • 通過(guò)最小化體二極管導(dǎo)通和反向恢復(fù)損耗來(lái)最大限度地提高效率
  • 來(lái)自單端 PWM 輸入信號(hào)的透明同步降壓柵極驅(qū)動(dòng)作
  • 12V 或 5V 輸入作
  • 3.3V 輸入作,提供 12V 總線偏置
  • 高側(cè)和低側(cè) ±3A 雙驅(qū)動(dòng)器
  • 板載 6.5V 柵極驅(qū)動(dòng)穩(wěn)壓器
  • ±3.3A TrueDrive? 柵極驅(qū)動(dòng)器,可在 MOSFET 米勒閾值下實(shí)現(xiàn)高電流傳輸
  • 根據(jù)不斷變化的作條件自動(dòng)調(diào)整
  • 耐熱性能增強(qiáng)型 14 引腳 PowerPAD? HTSSOP 封裝最大限度地減少了電路板面積和結(jié)溫上升
  • 應(yīng)用

參數(shù)
image.png

一、產(chǎn)品概述

UCC是一款高效預(yù)測(cè)性同步降壓驅(qū)動(dòng)器,專為當(dāng)今高效率、低輸出電壓設(shè)計(jì)而開(kāi)發(fā)。它采用預(yù)測(cè)性門(mén)極驅(qū)動(dòng)(PGD)控制技術(shù),通過(guò)單個(gè)端點(diǎn)PWM輸入信號(hào)實(shí)現(xiàn)透明同步降壓門(mén)極驅(qū)動(dòng)操作。

二、主要特性

  • ?高效率?:通過(guò)最小化體二極管導(dǎo)通和反向恢復(fù)損失來(lái)提高效率。
  • ?預(yù)測(cè)性門(mén)極驅(qū)動(dòng)?:自動(dòng)調(diào)整以適應(yīng)變化的操作條件,無(wú)需外部組件。
  • ?寬輸入電壓范圍?:支持V或V輸入操作,以及帶有V總線偏置的.V輸入操作。
  • ?高電流交付?:±.A TrueDrive門(mén)極驅(qū)動(dòng),適用于MOSFET米勒閾值處的高電流傳遞。
  • ?熱增強(qiáng)封裝?:引腳PowerPAD HTSSOP封裝,最小化板面積和結(jié)溫上升。

三、功能框圖與應(yīng)用

  • ?功能框圖?:包括VLO調(diào)節(jié)器、預(yù)測(cè)性延遲控制器、UVLO等關(guān)鍵模塊。
  • ?應(yīng)用?:適用于非隔離單相或多相DC-DC轉(zhuǎn)換器,如處理器電源、通用計(jì)算機(jī)、電信和數(shù)據(jù)通信應(yīng)用。

四、電氣特性

  • ?工作電壓?:VDD供電電壓范圍為-.V至V,VHI輸入電壓高達(dá)V。
  • ?輸出電流?:G/G峰值沉/源電流為±.A。
  • ?VLO調(diào)節(jié)器?:輸出電壓為.V,具有低線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。
  • ?預(yù)測(cè)性延遲?:可調(diào)死區(qū)時(shí)間,精確到納秒級(jí),以最小化體二極管導(dǎo)通時(shí)間。

五、應(yīng)用信息

  • ?dV/dt考慮?:在高輸入電壓應(yīng)用中,可能需要使用串聯(lián)電阻R來(lái)限制dV/dt,防止同步整流器開(kāi)關(guān)意外導(dǎo)通。
  • ?旁路電容選擇?:根據(jù)允許的紋波電壓和所需的總柵極電荷來(lái)選擇旁路電容。
  • ?MOSFET選擇?:驅(qū)動(dòng)器的電流能力限制了外部功率MOSFET的最大柵極電荷,需根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET。

六、布局與熱管理

  • ?布局指南?:強(qiáng)調(diào)低ESR/ESL電容的放置、接地設(shè)計(jì)、電流路徑的最小化以及熱通路的優(yōu)化。
  • ?熱管理?:推薦使用熱通孔和散熱片來(lái)降低結(jié)溫,確??煽啃浴?/li>

七、封裝與訂購(gòu)信息

  • ?封裝類型?:引腳PowerPAD HTSSOP封裝。
  • ?訂購(gòu)代碼?:UCCPWP(卷帶和卷盤(pán)包裝)和UCCPWPR(大卷帶和卷盤(pán)包裝)。

八、文檔與支持

  • ?數(shù)據(jù)手冊(cè)?:提供了詳細(xì)的技術(shù)規(guī)格、電氣特性、應(yīng)用信息和封裝尺寸等。
  • ?應(yīng)用指南?:可能包含額外的設(shè)計(jì)考慮、布局示例和故障排除技巧。
  • ?社區(qū)資源?:TI提供了EE在線社區(qū)和其他支持資源,方便用戶交流問(wèn)題和經(jīng)驗(yàn)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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