BASiC半導(dǎo)體SiC方案如何突破車載充電效率與功率極限

引言：電動(dòng)汽車充電技術(shù)的革新浪潮

隨著全球電動(dòng)汽車(EV)市場(chǎng)的爆發(fā)式增長(zhǎng)，車載充電器(OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器及直流快充樁對(duì)高效、高功率密度的需求日益迫切。碳化硅(SiC)器件憑借其高頻、耐高溫、低損耗的特性，正成為這一領(lǐng)域的核心技術(shù)。BASiC半導(dǎo)體通過新一代SiC MOSFET、肖特基二極管及驅(qū)動(dòng)解決方案，為行業(yè)提供了更高效率、更小體積、更低成本的完整技術(shù)路徑。本文深度解析其技術(shù)亮點(diǎn)與應(yīng)用實(shí)踐。

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

一、SiC器件選型：為不同場(chǎng)景精準(zhǔn)匹配

BASIC半導(dǎo)體針對(duì)車載充電與直流樁的多樣化需求，推出多套優(yōu)化方案：

單級(jí)PFC+LLC拓?fù)?3.3kW/6.6kW)：

采用 B3M040065Z SiC MOSFET(650V/40mΩ)，搭配驅(qū)動(dòng)芯片 BTDS350MCPR，實(shí)現(xiàn)單級(jí)高效率轉(zhuǎn)換。

圖騰柱PFC+CLLC方案(6.6kW/11kW)：

高壓側(cè)使用 AB2M080120H MOSFET(1200V/80mΩ)，副方支持400V/800V電池平臺(tái)，適配雙向能量流動(dòng)需求。

三相PFC+CLLC方案(22kW)：

采用 AB2M040120Z MOSFET(1200V/40mΩ)，結(jié)合驅(qū)動(dòng)芯片 BTD5350MCWR，滿足大功率快充樁需求。

關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：通過靈活的器件組合，BASIC方案在400V/800V平臺(tái)下均能實(shí)現(xiàn)>96%的系統(tǒng)效率，顯著降低散熱需求。

二、性能實(shí)測(cè)：效率與可靠性的雙重突破

1. 仿真與實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)驗(yàn)證

無橋PFC拓?fù)?6.6kW)：在220Vac輸入下， B3M040065Z MOSFET 總損耗僅 29.41W，結(jié)溫穩(wěn)定在 141°C，較傳統(tǒng)硅器件降低損耗30%以上。

高溫穩(wěn)定性：在125°C環(huán)境下，BASIC第三代SiC MOSFET(如 B3M040120Z)的導(dǎo)通電阻(RDS(on))溫漂系數(shù)僅為 1.3倍，優(yōu)于國(guó)際競(jìng)品。

2. 國(guó)際對(duì)標(biāo)：FOM值全面領(lǐng)先

BASIC的 B3M040065Z(650V/40mΩ)FOM值(RDS(on) × Qg)為 2400 mΩ·nC，顯著低于CREE(2835)和ST(1687.5)，開關(guān)損耗降低20%-30%。

1200V系列 B3M040120Z 在800V母線電壓下，關(guān)斷損耗較競(jìng)品減少 30%，總損耗優(yōu)化 4%，適合高壓平臺(tái)長(zhǎng)期運(yùn)行。

三、驅(qū)動(dòng)解決方案：破解SiC應(yīng)用痛點(diǎn)

1. 米勒鉗位功能：杜絕誤開通風(fēng)險(xiǎn)

BASIC驅(qū)動(dòng)芯片 BTD5350MCWR 集成米勒鉗位電路，實(shí)測(cè)顯示：

在800V/40A工況下，下管門極電壓從 7.3V(無鉗位)降至2V(有鉗位)，徹底避免橋臂直通。

反向恢復(fù)電荷(Qrr)低至 0.16μC，與CREE、Infineon方案持平，但成本降低15%。

2. 即插即用驅(qū)動(dòng)板

型號(hào) BSRD-2423-ES01 支持24V/5V雙輸入，單通道輸出峰值電流 10A，適配1200V SiC MOSFET。

配套電源芯片 BTP1521F(6W輸出)與隔離變壓器 TR-P15DS23-EE13，實(shí)現(xiàn) 全鏈路國(guó)產(chǎn)化替代，縮短客戶開發(fā)周期。

四、技術(shù)創(chuàng)新：從器件到系統(tǒng)的全棧優(yōu)勢(shì)

封裝革新：TOLL、TOLT、QDPAK等新封裝降低寄生電感50%，熱阻改善30%，支持高頻化設(shè)計(jì)(>100kHz)。

雙向能量流動(dòng)：通過CLLC拓?fù)渑cSiC器件協(xié)同，支持V2G(車到電網(wǎng))應(yīng)用，拓展商業(yè)場(chǎng)景。

高性價(jià)比：BASIC第三代平面柵工藝(對(duì)比溝槽柵)在相同RDS(on)下成本降低20%，且高溫性能更穩(wěn)定。

搶占下一代充電技術(shù)的制高點(diǎn)

BASiC半導(dǎo)體通過 SiC器件+驅(qū)動(dòng)+系統(tǒng)方案 的全棧布局，不僅解決了車載充電與壁掛直流樁的高效、高可靠性需求，更以國(guó)產(chǎn)化供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)助力客戶降本增效。無論是6.6kW家用OBC，還是壁掛直流樁，BASiC的SiC技術(shù)正重新定義電動(dòng)汽車的“能量心臟”。

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讓效率與功率，再無邊界。