GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造下一代可量產(chǎn)電源設計，可滿足高功率、高密度服務器機架的開放計算項目（OCP）要求

近日，納微半導體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設計的最新12kW量產(chǎn)電源參考設計，可適配功率密度達120kW的高功率服務器機架。

5月21日臺北國際電腦展Computex期間，納微半導體于臺北舉辦“AI科技之夜”，正式向全球發(fā)布了這款12kW電源，并向來訪觀眾完整介紹納微AI數(shù)據(jù)中心電源技術路線圖、雙向GaNFast氮化鎵開關和全新的中壓氮化鎵FET產(chǎn)品將如何變革AI數(shù)據(jù)中心能源基建。

該12kW電源遵循ORv3規(guī)范及開放計算項目（OCP）標準，采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型IntelliWeave數(shù)字技術，以及配置于三相交錯TP-PFC和FB-LLC拓撲結(jié)構(gòu)中的高功率 GaNSafe氮化鎵功率芯片，以極簡元件布局實現(xiàn)最高效率與性能。

三相交錯TP-PFC拓撲由采用“溝槽輔助平面柵”技術的第三代快速碳化硅MOSFET驅(qū)動。依托納微半導體超20年的碳化硅技術創(chuàng)新積淀，該技術在全溫域下展現(xiàn)領先性能，支持低溫升運行、快速開關及卓越魯棒性，可為電動汽車帶來更快的充電速度或讓AI數(shù)據(jù)中心的功率提升3倍。

納微半導體獨家的IntelliWeave數(shù)字控制技術融合臨界導通模式（CrCM）與連續(xù)導通模式（CCM）混合控制策略，覆蓋輕載至滿載的全工況，在保持低元件數(shù)量簡潔設計的同時實現(xiàn)效率最大化，相較現(xiàn)有CCM方案的功率損耗降低 30%。

三相交錯FB-LLC拓撲由納微半導體的高功率旗艦——第四代GaNSafe氮化鎵功率芯片驅(qū)動，其集成了控制、驅(qū)動、感測以及關鍵的保護功能，使其在高功率應用中具備了前所未有的可靠性和魯棒性。作為全球氮化鎵功率芯片的安全巔峰，GaNSafe具有短路保護（最大延遲350ns）、所有引腳均有2kV HBM ESD保護、消除負柵極驅(qū)動并具備可編程的斜率控制。所有這些功能都可通過芯片4個引腳實現(xiàn)，使得封裝可以像一個分離的氮化鎵FET一樣被處理，無需額外的VCC引腳。650V的GaNSafe提供TOLL與TOLT封裝，適用于1kW至22kW的應用場景，RDS (ON)典型值范圍為18mΩ至70mΩ。

該電源的尺寸為790×73.5×40mm，輸入電壓范圍180–305VAC，輸出最高電壓為50VDC。當輸入電壓高于207VAC時輸出12kW功率，低于該閾值時輸出10kW。其配備主動均流功能及過流、過壓、欠壓、過熱保護機制，可在-5至45℃溫度范圍內(nèi)正常運行，12kW負載下保持時間達20ms，浪涌電流為穩(wěn)態(tài)電流3倍（持續(xù)時間<20ms），采用內(nèi)部風扇散熱。

納微半導體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan：“納微半導體的AI數(shù)據(jù)中心電源技術路線圖持續(xù)引領行業(yè)前進，僅用時24個月便實現(xiàn)輸出功率從2.7kW到12kW的四倍躍升。強大的供電能力提升對全球數(shù)據(jù)中心發(fā)展至關重要，可滿足最新GPU架構(gòu)所帶來的指數(shù)級功率需求變化。

這款‘專為量產(chǎn)設計’的電源參考使客戶能夠快速部署高效、簡潔且具成本優(yōu)勢的解決方案，從容應對AI與超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的供電挑戰(zhàn)?！?/p>

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導體擁有超過300項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。