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LMR33620AP-Q1 汽車類 3.8V 至 36V、2A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-06-10 10:54 ? 次閱讀
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LMR336x0AP-Q1 汽車級(jí)穩(wěn)壓器是一款易于使用的同步降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,可為惡劣的應(yīng)用提供一流的效率。LMR336x0AP-Q1 可從高達(dá) 36V 的輸入驅(qū)動(dòng)高達(dá) 2A 或 3A 的負(fù)載電流。LMR336x0AP-Q1 以非常小的解決方案尺寸提供高輕載效率和輸出精度。電源就緒標(biāo)志和精密使能等功能為各種應(yīng)用提供了靈活易用的解決方案。LMR336x0AP-Q1 在輕負(fù)載時(shí)自動(dòng)折返頻率以提高效率。集成消除了大多數(shù)外部元件,并提供了專為簡(jiǎn)單 PCB 布局而設(shè)計(jì)的引腳排列。保護(hù)功能包括熱關(guān)斷、輸入欠壓鎖定、逐周期電流限制和打嗝短路保護(hù)。LMR336x0AP-Q1 采用具有可潤(rùn)濕側(cè)面的 12 引腳 3mm × 2mm 下一代 VQFN 封裝。
*附件:lmr33620ap-q1.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用:
    • 溫度等級(jí) 1:–40°C 至 +125°C,T一個(gè)
  • 功能安全
  • 專為堅(jiān)固耐用的汽車應(yīng)用而配置
    • 輸入電壓范圍:3.8 V 至 36 V
    • 輸出電壓范圍:1 V 至 24 V
    • 輸出電流:2 A、3 A
    • 75 mΩ/50 mΩ 電阻 RDS-開啟功率 MOSFET
    • 峰值電流模式控制
    • 最短導(dǎo)通時(shí)間:68 ns
    • 頻率: 400 kHz, 2.1 MHz
    • 集成補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)
  • 低 EMI 和開關(guān)噪聲
    • HotRod? 軟件包
    • 并聯(lián)輸入電流路徑
  • 所有負(fù)載下的高功率轉(zhuǎn)換
    • 峰值效率 > 95%
    • 5 μA 的低關(guān)斷靜態(tài)電流
    • 25 μA 的低工作靜態(tài)電流

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

1.1 主要特點(diǎn)

  • ?汽車應(yīng)用認(rèn)證?:符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用,溫度等級(jí)為-40°C至+125°C。
  • ?功能安全?:提供文檔支持功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
  • ?寬輸入電壓范圍?:3.8 V至36 V。
  • ?輸出電壓范圍?:1 V至24 V。
  • ?輸出電流?:2 A。
  • ?高效率?:峰值效率超過(guò)95%。
  • ?低靜態(tài)電流?:關(guān)機(jī)靜態(tài)電流為5 μA,工作靜態(tài)電流為25 μA。
  • ?封裝?:采用12引腳3 mm × 2 mm的VQFN封裝。

1.2 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 信息娛樂(lè)和儀表板
  • 遠(yuǎn)程信息處理控制單元

2. 功能描述

2.1 基本功能

  • ?同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器?:提供同類最佳的效率。
  • ?高精度輸出?:即使在輕負(fù)載下也能保持高精度。
  • ?自動(dòng)頻率折疊?:在輕負(fù)載下自動(dòng)降低頻率以提高效率。
  • ?保護(hù)特性?:包括熱關(guān)機(jī)、輸入欠壓鎖定、逐周期電流限制和打嗝短路保護(hù)。

2.2 特殊功能

  • ?電源良好標(biāo)志輸出?:用于在系統(tǒng)微處理器輸出電壓失調(diào)時(shí)重置。
  • ?精密使能控制?:具有精密的使能閾值,允許使用外部電壓分壓器提供可調(diào)輸入欠壓鎖定。

3. 技術(shù)規(guī)格

3.1 絕對(duì)最大額定值

  • ?輸入電壓?:VIN至PGND為-0.3 V至38 V。
  • ?結(jié)溫?:-40°C至150°C。
  • ?存儲(chǔ)溫度?:-55°C至150°C。

3.2 推薦工作條件

  • ?輸入電壓?:3.8 V至36 V。
  • ?輸出電壓?:1 V至24 V(可調(diào))。
  • ?輸出電流?:最大2 A。

3.3 熱信息

  • ?熱阻?:RθJA為72.5°C/W(VQFN封裝)。

3.4 電氣特性

  • ?工作頻率?:400 kHz。
  • ?高側(cè)MOSFET導(dǎo)通電阻?:75 mΩ。
  • ?低側(cè)MOSFET導(dǎo)通電阻?:50 mΩ。

4. 應(yīng)用與實(shí)施

4.1 典型應(yīng)用電路

  • ?電路圖?:提供了詳細(xì)的典型應(yīng)用電路圖,包括輸入電容、輸出電容、電感、反饋電阻等元件的選擇。
  • ?設(shè)計(jì)步驟?:包括選擇開關(guān)頻率、設(shè)置輸出電壓、選擇電感和輸出電容等。

4.2 布局指南

  • ?關(guān)鍵元件布局?:輸入電容應(yīng)盡可能靠近VIN和GND引腳,反饋分壓器應(yīng)盡可能靠近FB引腳。
  • ?接地和散熱?:建議使用多層PCB,并在頂層和底層使用盡可能多的銅進(jìn)行散熱。

5. 設(shè)備與文檔支持

5.1 設(shè)備支持

  • ?WEBENCH? Power Designer?:支持使用TI的WEBENCH? Power Designer工具進(jìn)行自定義設(shè)計(jì)。

5.2 文檔支持

  • ?相關(guān)文檔?:提供了與熱設(shè)計(jì)、PCB布局、EMI降低等相關(guān)的文檔支持。

5.3 支持資源

  • ?TI E2E?支持論壇?:提供快速、經(jīng)驗(yàn)證的答案和設(shè)計(jì)幫助。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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