TPS62865 和 TPS62867 器件是高頻同步降壓轉(zhuǎn)換器，可提供高效、靈活和高功率密度的解決方案。在中到重負(fù)載下，轉(zhuǎn)換器在 PWM 模式下運(yùn)行，并在輕負(fù)載時(shí)自動(dòng)進(jìn)入省電模式運(yùn)行，以在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率。這些器件也可以強(qiáng)制在 PWM 模式下運(yùn)行，以最大限度地減少輸出電壓紋波。結(jié)合其 DCS 控制架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)出色的負(fù)載瞬態(tài)性能和嚴(yán)格的輸出電壓精度。這些器件具有 Power Good 信號(hào)和內(nèi)部軟啟動(dòng)電路。這些設(shè)備能夠在 100% 模式下運(yùn)行。對(duì)于故障保護(hù)，這些器件集成了 HICCUP 短路保護(hù)和熱關(guān)斷功能。
*附件：tps62867.pdf

特性

• DCS-Control 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
• 11mΩ 和 10.5mΩ 內(nèi)部功率 MOSFET
• 1% 輸出電壓精度
• 4μA 工作靜態(tài)電流
• 2.4V 至 5.5V 輸入電壓范圍
• 0.6V 至 V在輸出電壓范圍
• 固定（可通過(guò)外部電阻器選擇）和可調(diào)輸出電壓版本
• 2.4MHz 開(kāi)關(guān)頻率
• 強(qiáng)制 PWM 或省電模式
• 輸出電壓放電
• 100% 占空比模式
• 打嗝短路保護(hù)
• 帶窗口比較器的電源良好指示器
• 熱關(guān)斷
• 解決方案尺寸低至 30 mm^2^可能
• 采用 1.5mm × 2.5mm QFN 封裝，間距為 0.5mm

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

1.1 主要特點(diǎn)

• ?寬輸入電壓范圍?：2.4 V至5.5 V。
• ?高輸出電流?：提供6 A的持續(xù)輸出電流。
• ?高效率?：采用DCS-Control拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)和高效率。
• ?小封裝?：采用1.5 mm × 2.5 mm QFN封裝，具有高功率密度。
• ?多功能性?：支持固定和可調(diào)輸出電壓，具有Power Save Mode、Hiccup短路保護(hù)、Power Good指示等功能。

1.2 應(yīng)用領(lǐng)域

• 核心供電：適用于FPGA、CPU、ASIC或視頻芯片組。
• 機(jī)器視覺(jué)和IP網(wǎng)絡(luò)攝像頭。
• 固態(tài)硬盤(pán)和光學(xué)模塊。
• 多功能打印機(jī)。

2. 功能描述

2.1 控制與保護(hù)特性

• ?DCS-Control拓?fù)?/strong>?：結(jié)合滯環(huán)和電流模式控制方案的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)和高效率。
• ?Power Save Mode?：在輕載時(shí)自動(dòng)進(jìn)入，以維持高效率。
• ?Forced PWM Mode?：可強(qiáng)制設(shè)備在PWM模式下運(yùn)行，以最小化輸出電壓紋波。
• ?Hiccup短路保護(hù)?：在短路條件下自動(dòng)重啟設(shè)備，防止持續(xù)短路損壞。
• ?Power Good指示?：具有帶窗口比較器的Power Good信號(hào)，用于指示輸出電壓穩(wěn)定。

2.2 其他功能

• ?輸出電壓放電?：在關(guān)機(jī)時(shí)通過(guò)VOS引腳平滑放電輸出電壓。
• ?100%占空比模式?：在輸入電壓接近輸出電壓時(shí)自動(dòng)啟用，確保穩(wěn)定輸出。
• ?熱關(guān)機(jī)保護(hù)?：防止設(shè)備因過(guò)熱而損壞。

3. 技術(shù)規(guī)格

3.1 絕對(duì)最大額定值

• ?輸入電壓?：VIN至PGND為-0.3 V至6 V。
• ?結(jié)溫?：-40°C至125°C。
• ?存儲(chǔ)溫度?：-55°C至150°C。

3.2 推薦工作條件

• ?輸入電壓?：2.4 V至5.5 V。
• ?輸出電壓?：0.6 V至VIN。
• ?輸出電流?：最大6 A。

3.3 熱信息

• ?熱阻?：RθJA為90.9°C/W（JEDEC標(biāo)準(zhǔn)51-7）。

3.4 電氣特性

• ?工作頻率?：固定2.4 MHz。
• ?高側(cè)MOSFET導(dǎo)通電阻?：11 mΩ。
• ?低側(cè)MOSFET導(dǎo)通電阻?：10.5 mΩ。
• ?輸出電壓精度?：1%。

4. 應(yīng)用與實(shí)施

4.1 典型應(yīng)用電路

• ?電路圖?：提供了固定和可調(diào)輸出電壓的典型應(yīng)用電路圖。
• ?設(shè)計(jì)步驟?：包括設(shè)置輸出電壓、選擇電感和輸出電容等關(guān)鍵元件的詳細(xì)步驟。

4.2 布局指南

• ?關(guān)鍵元件布局?：建議將輸入電容放置在靠近VIN和PGND引腳的位置，輸出電感靠近SW引腳。
• ?接地和散熱?：使用多層PCB，并在頂層和底層使用寬銅帶進(jìn)行接地和散熱。

5. 設(shè)備與文檔支持

5.1 設(shè)備支持

• ?WEBENCH? Power Designer?：支持使用TI的WEBENCH? Power Designer工具進(jìn)行自定義設(shè)計(jì)。

5.2 文檔支持

• ?相關(guān)文檔?：提供了與熱設(shè)計(jì)、PCB布局等相關(guān)的文檔支持。

5.3 支持資源

• ?TI E2E?支持論壇?：提供快速、經(jīng)驗(yàn)證的答案和設(shè)計(jì)幫助。

6. 包裝與訂購(gòu)信息

6.1 封裝選項(xiàng)

• ? VQFN-HR (RQY) ?：9引腳，1.5 mm × 2.5 mm × 1 mm，0.5 mm間距。

6.2 訂購(gòu)信息

• 提供了活性生產(chǎn)狀態(tài)的部件編號(hào)和封裝選項(xiàng)。

7. 其他信息

7.1 商標(biāo)與版權(quán)

• 文檔中提及的TI E2E?、WEBENCH?是Texas Instruments的商標(biāo)。

7.2 靜電放電警告

• 集成電路可能因靜電放電而損壞，建議使用適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施。