1.SK海力士在韓國(guó)利川增設(shè)封測(cè)產(chǎn)線 2019上半年或啟用；

2.臺(tái)軍方:嚴(yán)禁大陸手機(jī)進(jìn)入臺(tái)軍營(yíng)區(qū)；

3.彭博：訂單或流向中國(guó)大陸 臺(tái)積電面臨大挑戰(zhàn)；

4.前進(jìn)5納米 臺(tái)積電最新技術(shù)藍(lán)圖全覽；

5.受惠缺貨和漲價(jià)效益 環(huán)球晶Q1營(yíng)收實(shí)現(xiàn)九連漲；

6.力晶五年還債千億 成功轉(zhuǎn)型代工廠 毛利率僅次臺(tái)積電；

1.SK 海力士在韓國(guó)利川增設(shè)封測(cè)產(chǎn)線 2019上半年或啟用；

據(jù)韓媒報(bào)道，近期 SK 海力士展開(kāi)產(chǎn)線調(diào)整，欲將利川廠區(qū)內(nèi)的舊 LCD 產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為半導(dǎo)體封裝及測(cè)試用途，同時(shí)也會(huì)將現(xiàn)有的部分后段制程產(chǎn)線移轉(zhuǎn)至此，并添購(gòu)機(jī)臺(tái)設(shè)備進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。

據(jù)悉，SK 海力士增設(shè)產(chǎn)線的占地規(guī)模約 3000 坪，投資金額約 5000 億韓元(約 4.6 億美元)，完工后后段制程產(chǎn)線規(guī)模將比原本大 2 倍，啟用時(shí)間暫訂 2019 上半年。

2017 年開(kāi)始，SK 海力士將 M14 工廠二樓的部分 NAND Flash 產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為生產(chǎn) DRAM，工程還持續(xù)進(jìn)行，未來(lái)每月 DRAM 的晶圓投片量可增加 2 萬(wàn)片。若搭配擴(kuò)增的后段制程產(chǎn)線，屆時(shí)將有更顯著的產(chǎn)能效益。

韓國(guó)業(yè)界表示，2017 年底 SK 海力士在重慶投資 3000 億韓元增設(shè)后段制程產(chǎn)線，這次在韓國(guó)利川增設(shè)的封測(cè)產(chǎn)線應(yīng)是針對(duì) DRAM 需求而來(lái)。2018 年以來(lái)，DRAM 市場(chǎng)持續(xù)處于供給短缺狀態(tài)，這現(xiàn)象恐長(zhǎng)期延續(xù)，因此讓 SK 海力士決定在韓國(guó)擴(kuò)大封測(cè)產(chǎn)能。

此外，業(yè)界認(rèn)為 10 納米級(jí)先進(jìn)制程使每片晶圓可生產(chǎn)的存儲(chǔ)器芯片數(shù)量增加，帶動(dòng)封測(cè)需求量提高，而封裝體積縮小的趨勢(shì)令后段制程重要性提高，這些也都是SK海力士決定加強(qiáng)后段制程能力的因素。

利川廠區(qū)是 SK 海力士的主要生產(chǎn)基地，礙于韓國(guó)法令以無(wú)法取得新腹地，目前該廠區(qū)由 SK 海力士與現(xiàn)代 Elevator(Hyundai Elevator)共享土地。這次 SK 海力士用來(lái)擴(kuò)增封裝產(chǎn)線的用地是以前現(xiàn)代電子出售 LCD 事業(yè)部給京東方時(shí)附帶出租的土地，最近土地租約到期回收使用權(quán)，SK 海力士才得以擴(kuò)增產(chǎn)線。

2.臺(tái)軍方:嚴(yán)禁大陸手機(jī)進(jìn)入臺(tái)軍營(yíng)區(qū)；

臺(tái)防務(wù)部門負(fù)責(zé)人嚴(yán)德發(fā)7日聲稱，絕對(duì)禁止臺(tái)軍使用中國(guó)大陸品牌的智能手機(jī)。據(jù)臺(tái)“中時(shí)電子報(bào)”8日?qǐng)?bào)道，防務(wù)部門發(fā)言人陳中吉8日也聲稱，嚴(yán)禁中國(guó)大陸手機(jī)進(jìn)入營(yíng)區(qū)，且任何手機(jī)進(jìn)入營(yíng)區(qū)，都會(huì)列管并裝設(shè)MDM軟件。

嚴(yán)德發(fā)昨天在“立法院”備詢時(shí)，民進(jìn)黨“立委”蔡適應(yīng)表示，美國(guó)軍方目前已禁止官兵使用小米、華為等中國(guó)大陸品牌的手機(jī)，詢問(wèn)嚴(yán)德發(fā)目前臺(tái)軍手機(jī)使用方式。 對(duì)此，嚴(yán)德發(fā)稱，絕對(duì)禁止臺(tái)軍使用中國(guó)大陸廠牌的智能手機(jī)，在采購(gòu)方案中也有明文規(guī)定，必須注明手機(jī)原產(chǎn)地、品牌。

而今天，陳中吉也在記者會(huì)上稱，嚴(yán)禁中國(guó)大陸手機(jī)進(jìn)入營(yíng)區(qū)，且任何手機(jī)進(jìn)入營(yíng)區(qū)前，都會(huì)針對(duì)機(jī)型、手機(jī)代碼、用途造冊(cè)列管，核定后才會(huì)發(fā)出認(rèn)證標(biāo)簽，并同時(shí)加裝MDM軟體，透過(guò)管制措施避免發(fā)生泄密情事。

《華爾街日?qǐng)?bào)》2日?qǐng)?bào)道稱，美國(guó)國(guó)防部正采取措施，要求全球美軍基地零售商店停止銷售華為和中興通訊生產(chǎn)的手機(jī)，稱其設(shè)備可能造成潛在的安全威脅。而美國(guó)商務(wù)部上月公布了針對(duì)中興通訊采購(gòu)美國(guó)零部件的禁令，稱該公司未履行和解協(xié)議條款。中興通訊則表示，此舉有失公平，并將上訴。

另外，根據(jù)此前報(bào)道，***當(dāng)局上月27日要求聯(lián)發(fā)科停止向中興通訊出售芯片。該消息在網(wǎng)上引起了熱議。有輿論認(rèn)為，***在“中美貿(mào)易戰(zhàn)”上向大陸“捅刀”。更有人痛斥臺(tái)當(dāng)局“美帝狗腿子”，并發(fā)出質(zhì)問(wèn)諷刺民進(jìn)黨“***這么配合，能獲得什么好處嗎？百姓沒(méi)有，‘詐騙黨’絕對(duì)有”。 環(huán)球網(wǎng)

3.彭博：訂單或流向中國(guó)大陸 臺(tái)積電面臨大挑戰(zhàn)；

高燦鳴（Tim Culpan）

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀日前接受英國(guó)金融時(shí)報(bào)專訪時(shí)說(shuō)，中、美貿(mào)易沖突對(duì)芯片業(yè)不利，強(qiáng)調(diào)“中國(guó)大陸組裝不少終端產(chǎn)品，因此中美之間的貿(mào)易糾紛可能也影響我們”。

張忠謀上述的分析可能是在刻意淡化問(wèn)題，因?yàn)樗隙ǔ浞至私馀_(tái)積電更大的風(fēng)險(xiǎn)，不于終端產(chǎn)品制造將受到短期干擾，而是在于臺(tái)積電的芯片制造訂單可能會(huì)流向大陸的替代廠商。

目前芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域幾乎由高通、博通及英偉達(dá)壟斷，臺(tái)積電則是這些公司的主要供應(yīng)商。然而，一旦設(shè)計(jì)廠商有了新的選擇，便可能不再只下單給臺(tái)積電。

中國(guó)大陸致力于科技自主，包括學(xué)會(huì)如何在大陸自有工廠制造最先進(jìn)的半導(dǎo)體。華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金公司將宣布人民幣3,000億元，再度大舉投資芯片產(chǎn)業(yè)。

大陸不僅可能在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域后來(lái)居上，也可能要求美國(guó)客戶委托大陸晶圓廠生產(chǎn)。目前大陸有20多座晶圓廠正在發(fā)展，由不同政府單位提供獎(jiǎng)勵(lì)措施。為因應(yīng)此勢(shì)頭，臺(tái)積電已在大陸南京設(shè)立晶圓廠。張忠謀說(shuō)，“（中美貿(mào)易糾紛）是一項(xiàng)新挑戰(zhàn)，而且是我過(guò)去未曾面臨的挑戰(zhàn)”。

臺(tái)積電于2000年代初期擺脫聯(lián)電及IBM等對(duì)手，最近又力圖甩開(kāi)三星。但一長(zhǎng)串現(xiàn)金滿滿且饑腸轆轆的大陸競(jìng)爭(zhēng)者，才是臺(tái)積電當(dāng)前的真正挑戰(zhàn)，也是張忠謀過(guò)去從未遇到過(guò)的挑戰(zhàn)。（作者Tim Culpan是彭博專欄作家）

4.前進(jìn)5納米 臺(tái)積電最新技術(shù)藍(lán)圖全覽；

持續(xù)同時(shí)朝多面向快速進(jìn)展的晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)，于美國(guó)硅谷舉行的年度技術(shù)研討會(huì)上宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn)，并將有一個(gè)采用極紫外光微影(EUV)的版本于明年初量產(chǎn)；此物該公司也透露了5納米節(jié)點(diǎn)的首個(gè)時(shí)間表，以及數(shù)種新的封裝技術(shù)選項(xiàng)。

臺(tái)積電也繼續(xù)將低功耗、低泄漏電流制程技術(shù)往更主流的22/12納米節(jié)點(diǎn)推進(jìn)，提供多種特殊制程以及一系列嵌入式存儲(chǔ)器選項(xiàng)；在此同時(shí)該公司也積極探索未來(lái)的電晶體結(jié)構(gòu)與材料。整體看來(lái)，這家***晶圓代工龍頭預(yù)計(jì)今年可生產(chǎn)1,200萬(wàn)片晶圓，研發(fā)與資本支出都有所增加；臺(tái)積電也將于今年開(kāi)始在南京的據(jù)點(diǎn)生產(chǎn)16納米FinFET制程芯片。

唯一的壞消息是，臺(tái)積電的新制程節(jié)點(diǎn)是不完全步驟，因此帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)也越來(lái)越??；而新的常態(tài)是當(dāng)性能增加，功耗下降幅度通常在10~20%左右，這使得新的封裝技術(shù)與特殊制程重要性越來(lái)越高。

臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)的7納米制程，預(yù)期今年將有50個(gè)以上的設(shè)計(jì)案投片(tap out)，包括CPU、GPU、AI加速器芯片、加密貨幣采礦ASIC、網(wǎng)路芯片、游戲機(jī)芯片、5G芯片以及車用IC。該制程節(jié)點(diǎn)與兩個(gè)世代前的16FF+制程相較，能提供35%的速度提升或節(jié)省65%耗電，閘極密度則能提升三倍。

將采用EUV微影的N7+節(jié)點(diǎn)，則能將閘極密度再提升20%、功耗再降10%，不過(guò)在速度上顯然沒(méi)有提升──而且這些進(jìn)展需要使用新的標(biāo)準(zhǔn)單元(standard cells)。臺(tái)積電已經(jīng)將所謂的N7+節(jié)點(diǎn)基礎(chǔ)IP進(jìn)行硅驗(yàn)證，不過(guò)數(shù)個(gè)關(guān)鍵功能區(qū)塊還得等到今年底或明年初才能準(zhǔn)備就緒，包括28-112G serdes、嵌入式FPGA、HBM2與DDR 5接口。

臺(tái)積電研究發(fā)展/設(shè)計(jì)暨技術(shù)平臺(tái)副總經(jīng)理侯永清(Cliff Hou)預(yù)期，該EUV制程在布局IP方面需要多花10%~20%的力氣：“我們開(kāi)發(fā)了一種實(shí)用方法以漸進(jìn)方式來(lái)轉(zhuǎn)移IP?！彼硎荆?jīng)過(guò)完整認(rèn)證的N7+節(jié)點(diǎn)EDA流程將在8月份完成；在此同時(shí)，該節(jié)點(diǎn)的256Mbit測(cè)試SRAM良率已經(jīng)與初期版本的7納米節(jié)點(diǎn)相當(dāng)。

展望未來(lái)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)在2019上半年展開(kāi)5納米制程風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，鎖定手機(jī)與高性能運(yùn)算芯片應(yīng)用；相較于第一版不采用EUV的7納米制程，5納米節(jié)點(diǎn)的密度號(hào)稱可達(dá)1.8倍，不過(guò)功耗預(yù)期只降低20%、速度約增加15%，采用極低閾值電壓(Extremely Low Threshold Voltage， ELTV)技術(shù)則或許能提升25%；臺(tái)積電并未提供ELTV技術(shù)的細(xì)節(jié)。

EUV功率水準(zhǔn)順利朝明年初量產(chǎn)發(fā)展

“沒(méi)有EUV，他們就無(wú)法提供與過(guò)去節(jié)點(diǎn)相同的微縮優(yōu)勢(shì)；”市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)The Linley Group的分析師Mike Demler表示：“如果你看N7+制程，號(hào)稱比N7制程再微縮20%，因此EUV還是更接近傳統(tǒng)摩爾定律(Moore’s Law)微縮水準(zhǔn)所需的，而N7到N5節(jié)點(diǎn)的微縮效果只會(huì)更糟?！?/p>

臺(tái)積電顯然擁有能在明年初以EUV微影進(jìn)行量產(chǎn)的好運(yùn)氣，該公司擁有的系統(tǒng)在4月份以250W維持生產(chǎn)數(shù)周，預(yù)期明年可達(dá)到300W，這是大量生產(chǎn)所需的功率水準(zhǔn)。不過(guò)要維持每日平均145W的功率，臺(tái)積電還需要加把勁；對(duì)此該公司研究發(fā)展/技術(shù)發(fā)展資深副總經(jīng)理米玉杰(Y.J. Mii)表示：“生產(chǎn)量正朝向滿足量產(chǎn)所需發(fā)展?！?/p>

除了透露在功率以及生產(chǎn)量方面的顯著進(jìn)步，米玉杰表示，盡管仍超出三分之一，光阻劑量(resist dosage)的減少幅度也朝著該公司在2019年第一季量產(chǎn)的目標(biāo)邁進(jìn)；此外EUV光源的光罩護(hù)膜(protective pellicle的穿透率目前達(dá)到83%，明年應(yīng)該可以達(dá)到90%。

米玉杰以數(shù)個(gè)案例為證明，表示EUV持續(xù)提供比浸潤(rùn)式步進(jìn)機(jī)更佳的關(guān)鍵尺寸(critical dimensions)均勻度；臺(tái)積電預(yù)期會(huì)同時(shí)在N7+以及5納米節(jié)點(diǎn)的多個(gè)層采用EUV，并積極安裝ASML的NXE3400微影設(shè)備。

看來(lái)臺(tái)積電的EUV量產(chǎn)計(jì)劃與三星(Samsung)的量產(chǎn)時(shí)程差距在六個(gè)月之內(nèi)，后者表示將于今年導(dǎo)入量產(chǎn)，更多相關(guān)訊息可望在本月稍晚三星自家活動(dòng)上曝光。而臺(tái)積電與三星的EUV量產(chǎn)時(shí)程差距，看來(lái)并不足以讓Apple或Qualcomm等大客戶更換代工伙伴；市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)VLSI Research執(zhí)行長(zhǎng)G. Dan Hutcheson表示，只有幾個(gè)月的領(lǐng)先在長(zhǎng)期看來(lái)是微不足道。

仍在萌芽階段的臺(tái)積電5納米節(jié)點(diǎn)，則預(yù)計(jì)在6月份釋出0.5版的EDA流程，以及在7月份推出0.5版的設(shè)計(jì)工具套件；該節(jié)點(diǎn)還有許多IP功能區(qū)塊要到明年才會(huì)完成驗(yàn)證，包括PCIe 4.0、DDR 4以及USB 3.1接口。

臺(tái)積電的目標(biāo)是在2019年讓10/7納米節(jié)點(diǎn)產(chǎn)量增加三倍，達(dá)到一年110萬(wàn)片晶圓；該公司的Fab 18已經(jīng)在***的臺(tái)南科學(xué)園區(qū)興建中，預(yù)計(jì)在2020年開(kāi)始5納米制程量產(chǎn)。

多種封裝技術(shù)選項(xiàng)

臺(tái)積電已經(jīng)為GPU與其他處理器打造CoWoS 2.5D封裝技術(shù)，還有智慧型手機(jī)芯片適用的晶圓級(jí)扇出式封裝InFO，除了繼續(xù)推廣這兩種技術(shù)，該公司還將添加其他新技術(shù)選項(xiàng)。

從明年初開(kāi)始，CoWoS技術(shù)將提供具備倍縮光罩(reticle)兩倍尺寸的硅中介層選項(xiàng)，以因應(yīng)該領(lǐng)域的需求；而具備130微米凸塊間距的版本則將在今年通過(guò)品質(zhì)認(rèn)證。InFO技術(shù)則會(huì)有四種衍生技術(shù)，其中存儲(chǔ)器基板應(yīng)用的InFO-MS，將在1x倍縮光罩的基板上封裝SoC與HBM，具備2x2微米的重分布層(redistribution layer)，將在9月通過(guò)驗(yàn)證。

InFO-oS則擁有與DRAM更匹配的背向RDL間距，而且已經(jīng)準(zhǔn)備就緒；一種名為MUST的多堆疊選項(xiàng)，將1~2顆芯片放在另一顆比較大的芯片頂部，然后以位于堆疊底部的硅中介層來(lái)連結(jié)。最后還有一種InFO-AIP就是封裝天線(antenna-in-package)技術(shù)，號(hào)稱外觀尺寸可縮小10%，天線增益則提高40%，鎖定5G基頻芯片的前端模組應(yīng)用等設(shè)計(jì)。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TechSearch International總裁暨資深封裝技術(shù)分析師Jan Vardaman表示：“InFO是重要的平臺(tái)，臺(tái)積電的以PoP形式整合存儲(chǔ)器與基頻/數(shù)據(jù)機(jī)的InFO封裝令人印象深刻──高度較低、尺寸較小而且性能更佳；基板上InFO技術(shù)則會(huì)在市場(chǎng)上大受歡迎，因?yàn)?微米線寬與間距適合多種應(yīng)用?！?/p>

不只如此，臺(tái)積電還發(fā)表兩種全新的封裝技術(shù)選項(xiàng)。其中在4月底問(wèn)世的WoW (wafer-on-wafer)封裝直接以打線堆疊三顆裸晶，不過(guò)使用者還需要確定其EDA流程是否支援這種打線(bonding)技術(shù)；該技術(shù)還將在6月推出支援EMI的版本。

最后臺(tái)積電還大略描述了一種被稱為“整合芯片系統(tǒng)”(system-on-integrated-chips，SoICs)的技術(shù)，采用10納米以下的互連來(lái)連結(jié)兩顆裸晶，但技術(shù)細(xì)節(jié)還要到明年才會(huì)透露；該技術(shù)鎖定的應(yīng)用從行動(dòng)通訊到高性能運(yùn)算，而且能連結(jié)采用不同制程節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)的裸晶，看來(lái)是某種形式的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)。

一位分析師在臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)的休息時(shí)間表示：“日月光(ASE)一直是封裝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，但現(xiàn)在我得說(shuō)臺(tái)積電才是。”臺(tái)積電的動(dòng)機(jī)很明顯，隨著CMOS制程微縮的優(yōu)勢(shì)漸退，封裝技術(shù)能有助于性能表現(xiàn)，一部份是透過(guò)更快的存儲(chǔ)器存取。

在過(guò)去幾年，擁有三種后段制程生產(chǎn)線的臺(tái)積電拿到了Apple的大訂單，部份是因?yàn)镮nFO與Xilinx還有Nvidia，也有部份是因?yàn)镃oWoS。而The Linley Groupe的Demler表示，新的封裝技術(shù)選項(xiàng)“看來(lái)是在摩爾定律終結(jié)之后具備長(zhǎng)期潛力的替代方案，但成本相當(dāng)昂貴，也仍有許多問(wèn)題待克服?！?/p>

填滿主流制程選項(xiàng)

臺(tái)積電有超過(guò)三分之一的營(yíng)收來(lái)自于28納米以上節(jié)點(diǎn)，因此該公司除了提及在特殊制程方面的進(jìn)展，也有比尖端制程舊一至兩個(gè)世代的制程節(jié)點(diǎn)新進(jìn)展。

舉例來(lái)說(shuō)，臺(tái)積電正在開(kāi)發(fā)22納米平面制程與12納米FinFET制程的超低功耗與超低漏電版本，號(hào)稱能與Globalfoundries和Samsung的FD-SOI制程分庭抗禮。新版本的22納米制程采用28納米設(shè)計(jì)規(guī)則，提供10%的光學(xué)微縮(optical shrink)與速度增益，或者能降低20%功耗；該制程與相關(guān)IP將于今年底準(zhǔn)備就緒，鎖定先進(jìn)MCU、物聯(lián)網(wǎng)與5G毫米波芯片等應(yīng)用。

12納米版本的低功耗/低漏電制程則采用FinFET架構(gòu)以及更小巧的單元庫(kù)(cell libraries)，可提供比臺(tái)積電16FFC 制程高16%的速度，高速Serdes等少數(shù)幾個(gè)IP則要到明年才問(wèn)世。

存儲(chǔ)器方面，40納米的電阻式RAM已經(jīng)準(zhǔn)備好取代物聯(lián)網(wǎng)芯片中的快閃存儲(chǔ)器，只需要添加兩層光罩，并支援10年的儲(chǔ)存時(shí)間以及1萬(wàn)次讀寫周期。將于今年問(wèn)世的22納米嵌入式MRAM支援高于快閃存儲(chǔ)器的速度與更長(zhǎng)的儲(chǔ)存期限，鎖定汽車、手機(jī)、高性能運(yùn)算等設(shè)計(jì)；該技術(shù)到目前為止號(hào)稱在測(cè)試芯片上皆具備高良率。

此外，臺(tái)積電也提供小型化的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)制程，預(yù)期在今年秋天可提供整合10V與650V驅(qū)動(dòng)器的硅基氮化鎵(GaN-on-silicon)制程，明年則可完成蜂巢式通訊功率放大器采用的100V D-HEMT制程驗(yàn)證。

臺(tái)積電也具備車用16FFC制程的經(jīng)驗(yàn)證EDA流程以及IP，計(jì)劃今年底可提供7納米車用制程，將于2019年第二級(jí)通過(guò)完整認(rèn)證。

大陸市場(chǎng)與電晶體研發(fā)進(jìn)展

除了宣布其位于南京的晶圓廠比預(yù)期提早數(shù)個(gè)月展開(kāi)16納米FinFET制程生產(chǎn)，臺(tái)積電也透露了長(zhǎng)期研發(fā)計(jì)劃，以及在制程自動(dòng)化方面采用機(jī)器學(xué)習(xí)的進(jìn)度。

臺(tái)積電南京廠的第一階段建筑包括媲美Apple美國(guó)新總部但規(guī)模沒(méi)那么大、外觀像太空船的員工餐廳以及管狀的辦公大樓，以及月產(chǎn)量2萬(wàn)片晶圓的廠房；而該廠區(qū)若完成所有建設(shè)，月產(chǎn)量最高可達(dá)到8萬(wàn)片晶圓。

臺(tái)積電南京廠外觀設(shè)計(jì)圖

（來(lái)源：EE Times）

在此同時(shí)，臺(tái)積電的研究員在適合2納米以下制程節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的下一代電晶體所需之堆疊納米線(nanowires)、納米片(nanosheets)設(shè)計(jì)上取得了進(jìn)展，號(hào)稱能支援比FinFET更佳的靜電(electrostatics)特性，而且可以借由調(diào)整元件寬度達(dá)到功耗與性能的最佳化。

臺(tái)積電認(rèn)為鍺(germanium)是具備潛力的硅替代材料，因?yàn)樵谙嗤俣认鹿妮^低；該公司已經(jīng)在與CMOS相容之介電質(zhì)中利用該材料，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的低接觸電阻。臺(tái)積電也正在研究各種2D后段材料，包括具備原子級(jí)光滑表面的二硫化鉬(molybdenum disulfide)。

此外臺(tái)積電也在實(shí)驗(yàn)新方法來(lái)放大銅晶粒(copper grain)，以降低互連中的電阻；并正在研發(fā)選擇性介電質(zhì)上介電質(zhì)(selective dielectric-on-dielectric)沉積制程，以實(shí)現(xiàn)銅通孔的(vias)的自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)(self-aligning)。

在存儲(chǔ)器技術(shù)方面，22納米以下節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的嵌入式MRAM技術(shù)是重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目之一，有可能具備替代性磁結(jié)構(gòu)；在40納米以下電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)部份，高密度的縱橫閂(crossbar)被視為具能源效益的方案，特別是應(yīng)用于AI加速度芯片。

在制程自動(dòng)化部份，臺(tái)積電正采用機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)系統(tǒng)化分析大量晶圓制程資料，并已經(jīng)針對(duì)特定工具與產(chǎn)品調(diào)整了制程參數(shù)(recipe)；此外該公司也針對(duì)制程變異進(jìn)行追蹤與分類，以實(shí)現(xiàn)找出工具、制程或材料中問(wèn)題所在的自動(dòng)化。

臺(tái)積電擁有具備超過(guò)5萬(wàn)種制程參數(shù)與上千萬(wàn)制程管制圖(control charts)的資料庫(kù)，不過(guò)該公司將如何把機(jī)器學(xué)習(xí)運(yùn)用于自動(dòng)化任務(wù)，以及將運(yùn)用于何種產(chǎn)品線上，目前并不清楚──毫無(wú)疑問(wèn)，仍有某項(xiàng)工作正在進(jìn)行中，或許其中也有一些不為外人道的秘方。

5.受惠缺貨和漲價(jià)效益 環(huán)球晶Q1營(yíng)收實(shí)現(xiàn)九連漲；

在缺貨、漲價(jià)效應(yīng)帶動(dòng)下，半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球晶圓（6488）第1季財(cái)報(bào)亮眼，包括營(yíng)收、毛利率、營(yíng)業(yè)利益、營(yíng)業(yè)利益率、稅后純益、稅后純益率和每股純益均創(chuàng)新高，單季每股純益6.36元（新臺(tái)幣，后同），已經(jīng)超越去年全年的一半。

環(huán)球晶圓昨（8）日召開(kāi)董事會(huì)通過(guò)首季財(cái)報(bào)，首季合并營(yíng)收139.10億元，季增11.8%，年增率31.5%，再創(chuàng)新高，營(yíng)收連九季成長(zhǎng)。

受惠于缺貨和漲價(jià)效益，環(huán)球晶圓第1季毛利率一口氣拉高到36.2%，季增5.8個(gè)百分點(diǎn)，且比去年同期大增16.2個(gè)百分點(diǎn)，連續(xù)兩季毛利率站上三成，改寫新高。

由于營(yíng)收和毛利率顯著提升，環(huán)球晶首季營(yíng)業(yè)利益39.23億元，營(yíng)業(yè)利益率28.2%，季增近8個(gè)百分點(diǎn)，再創(chuàng)新高，也比去年同期顯著提高18.1個(gè)百分點(diǎn)。

在營(yíng)收、毛利率、營(yíng)業(yè)利益率同步拉升的情況下，環(huán)晶圓第1季歸屬于母公司的稅后純益達(dá)27.79億元，年增率近七倍，季成長(zhǎng)四成，每股稅后純益6.36元。

相較于環(huán)球晶圓去年全年每股稅后純益12.68元，今年首季每股純益已是去年的一半以上，表現(xiàn)亮眼。法人普遍預(yù)估，該公司今年將可賺回一到兩個(gè)股本。經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)

6.力晶五年還債千億 成功轉(zhuǎn)型代工廠 毛利率僅次臺(tái)積電；

力晶走過(guò)轉(zhuǎn)型低潮期，從動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）廠成功轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠，不但營(yíng)運(yùn)浴火重生，五年內(nèi)還清千億元債務(wù)（新臺(tái)幣），也讓創(chuàng)辦人黃崇仁搏得最會(huì)還錢之名。

2008年一場(chǎng)金融海嘯，一度讓多家存儲(chǔ)器廠陷入危機(jī)，力晶也是其中之一。當(dāng)時(shí)，力晶曾向銀行申請(qǐng)紓困466億元（新臺(tái)幣，后同），總負(fù)債一度高達(dá)755億元，負(fù)債比率達(dá)到八成。

2012年12月，力晶在股市上的凈值轉(zhuǎn)為負(fù)數(shù)，負(fù)債高達(dá)1,100億元，被迫下柜，黃崇仁也因此黯然交出董事長(zhǎng)職務(wù)。當(dāng)日，力晶的收盤價(jià)只剩下0.29元，可以說(shuō)是股東們最痛苦的一天。

下柜后的力晶全力轉(zhuǎn)型，毅然決然從老本行DRAM轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠，五年過(guò)去，順利繳出亮眼的成績(jī)單。

黃崇仁日前受訪時(shí)就曾自豪地說(shuō)，在全球的代工公司中，毛利率第一名是臺(tái)積電，第二名是力晶，凈利也是第二；好的時(shí)候，做300億元生意，能賺到100多億元。

這幾年來(lái)，力晶每年獲利都超過(guò)百億元，迅速還清千億元的債務(wù)，去年每股凈值也重返新臺(tái)幣10元大關(guān)，甚至有能力開(kāi)始對(duì)股東配發(fā)股利，迎向重生之路。