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安森美EliteSiC SPM31智能功率模塊有哪些亮點(diǎn)

安森美 ? 來源:安森美 ? 2025-06-24 15:20 ? 次閱讀
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隨著電氣化浪潮席卷全球,人工智能應(yīng)用持續(xù)爆發(fā)式增長,使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET)的SPM 31智能功率模塊(IPM)系列,將為行業(yè)降低能耗和整體系統(tǒng)成本提供創(chuàng)新思路。

與使用第7代場截止(FS7) IGBT技術(shù)相比,安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度,從而實(shí)現(xiàn)比市場上其他領(lǐng)先解決方案更低的整體系統(tǒng)成本。這些IPM改進(jìn)了熱性能、降低了功耗,支持快速開關(guān)速度,非常適用于三相變頻驅(qū)動應(yīng)用,如AI數(shù)據(jù)中心、熱泵、商用暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)、伺服電機(jī)、機(jī)器人、變頻驅(qū)動器(VFD)以及工業(yè)泵和風(fēng)機(jī)等應(yīng)用中的電子換向(EC)電機(jī)。這些優(yōu)勢使得EliteSiC SPM 31 IPM在工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢,特別是在需要高能效和高功率密度的場景中。

安森美的EliteSiC SPM 31智能功率模塊 (IPM) 系列在技術(shù)上有以下幾個關(guān)鍵亮點(diǎn):

1. 高能效和功率密度:基于1200V碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù),提供超高能效和功率密度,降低整體系統(tǒng)成本。

2. 緊湊封裝:在超緊湊的封裝尺寸中實(shí)現(xiàn)高性能,適用于三相變頻驅(qū)動應(yīng)用。

3. 廣泛應(yīng)用:適用于AI數(shù)據(jù)中心、熱泵、商用暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)、伺服電機(jī)、機(jī)器人、變頻驅(qū)動器(VFD)以及工業(yè)泵和風(fēng)機(jī)等。

4. 改進(jìn)的熱性能和功耗:支持快速開關(guān)速度,改進(jìn)熱性能,降低功耗。

5. 多種額定電流:提供從40A到70A的多種額定電流,形成廣泛可擴(kuò)展、靈活的集成功率模塊解決方案。

6. 全集成設(shè)計(jì):包括3路獨(dú)立的上橋柵極驅(qū)動IC、下橋驅(qū)動及保護(hù)電路 (LVIC)、六個EliteSiC MOSFET和一個溫度傳感器,簡化設(shè)計(jì)并縮小電路板尺寸。

7. 高效能運(yùn)行:在70%負(fù)載時的功率損耗顯著降低,提升能效,減少溫室氣體排放。

8. 安全性和保護(hù):內(nèi)置欠壓保護(hù)(UVP)、獲得UL認(rèn)證、單接地電源提供更好的安全性和設(shè)備保護(hù)。

安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模塊 (IPM)已經(jīng)入圍維科杯·OFweek 2025中國工業(yè)自動化與數(shù)字化行業(yè)優(yōu)秀產(chǎn)品獎評選,期待您的投票,為功率產(chǎn)品創(chuàng)新助力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:緊湊尺寸撬動高能效與低系統(tǒng)成本,這款功率模塊是怎么做到的?

文章出處:【微信號:onsemi-china,微信公眾號:安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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