PD 40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W

芯片替代方案在選型時，需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pin to pin，則無需更改PCB設(shè)計，否則就要重新設(shè)計PCB板，替換的步驟和成本將高許多。如果產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度較快，在選型時就要考慮芯片的可升級性，為以后的長遠效益做打算。深圳銀聯(lián)寶科技新推出的PD 40W氮化鎵快充電源方案U8725AHE+U7110W，正被采用替代市面上常見的一些料號，感興趣的小伙伴可以多多了解一下！

氮化鎵快充芯片U8725AHE集成了高壓啟動功能。如圖所示，在啟動階段，U8725AHE通過芯片DRAIN腳對VDD充電，當(dāng)VDD電壓達到VVDD_ON(典型值 12V)時，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動過程中，當(dāng)VDD低于3V時，高壓供電電路對VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA)，小電流充電，可以降低VDD引腳對地短路時的芯片功耗。當(dāng)VDD電壓超過3V時，充電電流增加到IHV2 (典型值 4.7mA)，以縮短啟動時間，隨VDD電壓升高，充電電流逐漸減小。當(dāng)VDD電壓降到VVDD_REG(典型值 9V)時，高壓供電電路再次開啟，以維持VDD電壓。但是，如果低鉗位供電狀態(tài)持續(xù)時間超過80ms，并且系統(tǒng)工作在非輕載模式時，芯片將觸發(fā)保護。當(dāng)芯片觸發(fā)保護狀態(tài)時，系統(tǒng)停止打驅(qū)動，高壓供電電路開啟，維持VDD電壓在VVDD_REG_ST (典型值 12V)。

氮化鎵快充芯片U8725AHE腳位說明：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

U8725AHE+U7110W

同步整流芯片U7110W采用ASOP-6封裝，腳位說明：

1 HV I 漏極檢測引腳。HV 到 Drain 建議串聯(lián) 30~200Ω 的電阻，推薦典型值 100Ω

2 VDD P IC 供電引腳，VDD 到 GND 建議放置一個 1μF 的貼片陶瓷電容

3、4、5 GND G IC 參考地

6 Drain P 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極

同步整流芯片U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7110W內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。U7110W的快速關(guān)斷功能可以幫助功率 器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持斷續(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。U7110W內(nèi)部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通。

深圳銀聯(lián)寶科技深耕行業(yè)多年，產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性、應(yīng)用技術(shù)支持和生態(tài)都在不斷的提升，大量氮化鎵快充電源方案被市場驗證和認可，原廠直供，可幫助客戶快速降低成本，提高競爭優(yōu)勢！