45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269

氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對(duì)各類技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場(chǎng)提供了各種功率級(jí)和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！

快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8726AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

快充電源芯片U8726AHE還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí)，當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí)，將原邊開通速度減半，減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過沖。

同步整流ic U7269是一款高性能副邊同步整流控制器，當(dāng)配合外置MOS使用時(shí)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7269具有快速關(guān)斷功能，支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)，支持有源鉗位（ACF)反激拓?fù)洹?/span>

同步整流ic U7269主要特性：

&支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)和有源鉗位（ACF)反激拓?fù)?/p>

&支持600KH工作頻率

&集成180V高耐壓檢測(cè)電路和高壓供電電路，無(wú)需VDD輔助繞組供電

&內(nèi)置智能雙路 VDD 供電模塊，支持輸出低至0V同步整流可靠工作

&支持寬范圍輸出電壓應(yīng)用，特別適用于支持QC、PD等協(xié)議的快充領(lǐng)域

&支持 High Side 和 Low Side 配置

&<30ns 開通和關(guān)斷延時(shí)

&智能開通檢測(cè)功能防止誤開通

&智能過零檢測(cè)功能

&啟動(dòng)前 Gate 智能鉗位

&封裝類型 SOT23-6

隨著氮化鎵器件在半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展，需要開發(fā)出更多能夠利用GaN體積小巧、轉(zhuǎn)化率高等特性優(yōu)勢(shì)的快充電源方案，以實(shí)現(xiàn)日益增長(zhǎng)的氮化鎵快充需求。關(guān)注深圳銀聯(lián)寶科技，了解更多集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式ACDC功率開關(guān)電源方案！