快充電源芯片U876X產(chǎn)品型號(hào)有U8765/U8766，推薦最大輸出功率分別為65W/100W，集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.2V)。

快充電源芯片U876X主要特性：

●集成高壓 E-GaN

●集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

●集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

●驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

●集成 Boost 供電電路

●集成完備的保護(hù)功能：

VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓保護(hù) (OVP)

輸入欠壓保護(hù) (BOP)

片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

過載保護(hù) (OLP)

過流保護(hù) (SOCP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護(hù)

●封裝類型 ESOP-10W

SHENZHEN YINLIANBAO

快充電源芯片U876X腳位說明：

1 HV P 高壓?jiǎn)?dòng)管腳

2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳

3 Source P GaN FET 源極引腳

4 GND P 芯片參考地

5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

6 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

7 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)

8 VDD P 芯片供電管腳

9 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

10 NC -

EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此快充電源芯片U876X通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流， 進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。U876X 系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí)，當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí)，將原邊開通速度減半，減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過沖。