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氮化鎵快充芯片U860X概述和特性

開(kāi)關(guān)電源芯片 ? 來(lái)源:開(kāi)關(guān)電源芯片 ? 2025-02-08 15:51 ? 次閱讀

U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎(chǔ)上,升級(jí)增加U8609料號(hào),同時(shí)具備了輸入欠壓及軟入過(guò)壓保護(hù)功能,有需求的小伙伴趕緊看過(guò)來(lái)!

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氮化鎵快充芯片U860X是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開(kāi)關(guān)管,可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U860X采用原邊反饋控制,可節(jié)省光耦和TL431,簡(jiǎn)化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET,最高工作頻率130kHz,有利于降低電源尺寸。U860X集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動(dòng)產(chǎn)生噪音。它采用CS Jitter技術(shù),通過(guò)調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng),以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。

氮化鎵快充芯片U860X主要特性:

原邊反饋控制,無(wú)需光耦和 TL431

集成 700V GaN FET 驅(qū)動(dòng)

集成高壓啟動(dòng)功能

谷底鎖定 QR 模式

最高工作頻率 130kHz

外置環(huán)路補(bǔ)償

驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

內(nèi)置線損補(bǔ)償

集成完善的保護(hù)功能

輸出短路保護(hù) (FB SLP)

輸出過(guò)壓保護(hù) (FB OVP)

輸入欠壓保護(hù) (Line BOP)

輸入過(guò)壓保護(hù) (Line OVP)

過(guò)溫保護(hù) (OTP)

VDD 過(guò)欠壓保護(hù)和鉗位保護(hù)

封裝形式 DASOP-7

氮化鎵快充芯片U860X通過(guò)DRAIN管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣,當(dāng)母線電壓值小于Line BOP保護(hù)閾值VBOP (典型值70Vac)時(shí),芯片內(nèi)部的Line BOP延遲計(jì)時(shí)使能,計(jì)時(shí)時(shí)間為T(mén)BOP_DELAY (典型值 80ms),計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)Line BOP保護(hù)。如果母線電壓超過(guò)LineBOP恢復(fù)閾值VBOP_RE (典型值 77Vac),芯片將重新啟動(dòng)。當(dāng)母線電壓值高于Line OVP保護(hù)閾值VOVP (典型值 305Vac)時(shí),芯片內(nèi)部的Line OVP延遲計(jì)時(shí)使能,計(jì)時(shí)時(shí)間為T(mén)OVP_DELAY (典型值10000周期),計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)Line OVP保護(hù)。如果母線電壓低于Line OVP恢復(fù)閾值VOVP_RE (典型值 295Vac),芯片將重新啟動(dòng)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:U860X氮化鎵快充芯片系列升級(jí)增加U8609料號(hào)

文章出處:【微信號(hào):gh_3980db2283cd,微信公眾號(hào):開(kāi)關(guān)電源芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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