YLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。U8723AH集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！

氮化鎵快充芯片U8723AH特性：

●集成 高壓 E-GaN

●集成高壓啟動(dòng)功能

●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

●集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

●驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

●集成 Boost 供電電路

●集成完備的保護(hù)功能：

VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓保護(hù) (OVP)

輸出欠壓保護(hù) (DEM UVP)

輸入過壓保護(hù) (LOVP)

輸入欠壓保護(hù) (BOP)

片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

過載保護(hù) (OLP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護(hù)

●封裝類型 HSOP7-T3

U8723AH

氮化鎵快充芯片U8723AH采用峰值電流抖動(dòng)的方式實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的EMI性能優(yōu)化，峰值電流抖動(dòng)幅值最大為±8%。芯片根據(jù)輸入電壓的變化調(diào)節(jié)抖動(dòng)幅值，實(shí)現(xiàn)EMI優(yōu)化的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化輸出紋波。內(nèi)部集成有軟啟動(dòng)功能，在軟啟動(dòng)時(shí)間TST (典型值 5ms)內(nèi)，電流峰值從最小值逐步增加，避免變壓器磁芯飽和，系統(tǒng)每次重啟都會(huì)伴隨一次軟啟動(dòng)過程。

氮化鎵快充芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)，可提升快充效率，內(nèi)置Boost 供電電路可在緊湊空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的升壓功能，廣泛應(yīng)用于快速充電器和適配器等消費(fèi)電子場景，內(nèi)置多種保護(hù)機(jī)制，可靠且高效！