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氮化鎵電源IC U8723AHS產(chǎn)品介紹

開關(guān)電源芯片 ? 來(lái)源:開關(guān)電源芯片 ? 2025-05-07 17:58 ? 次閱讀
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恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護(hù)等特性,適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景,如充電器、LED驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源ICU8723AHS,不僅可以提高電路的穩(wěn)定性和可靠性,同時(shí)也可以提高能源利用效率,使優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到最大!

針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源IC U8723AHS集成了Boost供電技術(shù),僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可,在輸出電壓較低時(shí),Boost電路啟動(dòng)工作,維持VDD電壓在VBOOST_REG(典型值10.1V),當(dāng)輸出電壓升高,輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時(shí),Boost電路停止工作,VDD由輔助繞組供電。

氮化鎵電源ICU8723AHS管腳定義如下:

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳

在輕載和空載狀態(tài)下,當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值0.4V)時(shí),系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,停止開關(guān)動(dòng)作。當(dāng)FB電壓超過VSKIP_OUT(典型值0.5V/0.7V)時(shí),芯片重新開始開關(guān)動(dòng)作。打嗝模式降低了輕載和待機(jī)狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。氮化鎵電源ICU8723AHS采用了打嗝噪音優(yōu)化技術(shù),可自適應(yīng)的調(diào)節(jié)打嗝VSKIP_OUT的閾值,實(shí)現(xiàn)噪音和紋波的最優(yōu)化。

氮化鎵電源IC U8723AHS內(nèi)部集成有軟啟動(dòng)功能,在軟啟動(dòng)時(shí)間TST (典型值 5ms)內(nèi),電流峰值從最小值逐步增加,避免變壓器磁芯飽和,系統(tǒng)每次重啟都會(huì)伴隨一次軟啟動(dòng)過程。想要更好的了解U8723AHS特性,可直接聯(lián)系深圳銀聯(lián)寶索取詳細(xì)方案資料,為您的電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用提供參考和借鑒。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS

文章出處:【微信號(hào):gh_3980db2283cd,微信公眾號(hào):開關(guān)電源芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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