TPS62650-Q1 器件是一款高頻同步降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器 針對(duì)電池供電的便攜式應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。該 TPS62650-Q1 支持高達(dá) 800mA 的負(fù)載電流，并允許使用小型、低成本電感器和 電容器。

該器件非常適合由一個(gè) 單節(jié)鋰離子電池。輸出電壓范圍可通過(guò) 我^2^C 接口低至 0.75 V，該器件支持低壓內(nèi)核電源 用于智能手機(jī)和手持式計(jì)算機(jī)中的 DSP 和處理器的耗材。
*附件：tps62650-q1.pdf

TPS62650-Q1 以 6MHz 的穩(wěn)壓開關(guān)頻率運(yùn)行，并進(jìn)入 效率優(yōu)化的省電模式在輕負(fù)載電流下運(yùn)行，以保持高效率 在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)。在關(guān)斷模式下，電流消耗降低至 小于 3.5 μA。

串行接口兼容 Standard、Fast/Fast Plus 和 High-Speed 模式 我^2^C 規(guī)范允許以高達(dá) 3.4 Mbps 的速度傳輸。這 通信接口用于動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)，電壓階躍低至 12.5 mV，用于 設(shè)置輸出電壓或重新編程作模式（PFM/PWM 或強(qiáng)制 PWM），用于 實(shí)例。

特性

• 適用于汽車應(yīng)用
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下：
  • 器件溫度等級(jí) 2：-40°C 至 +105°C 環(huán)境工作
    溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類等級(jí) H2
  • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C3B
• 6MHz 工作頻率時(shí)效率為 86%
• 38μA 靜態(tài)電流
• 寬 V在范圍：2.3 V 至 5.5 V
• 6MHz 穩(wěn)頻工作頻率
• 負(fù)載和線路瞬態(tài)
• ±2% PWM 直流電壓精度
• 自動(dòng) PFM/PWM 模式切換
• 低紋波輕負(fù)載 PFM
• 我^2^C 兼容接口高達(dá) 3.4 Mbps
• 引腳可選輸出電壓 （VSEL）
• 內(nèi)部軟啟動(dòng)，<150μs 啟動(dòng)時(shí)間
• 電流過(guò)載和熱關(guān)斷保護(hù)
• 需要三個(gè)表面貼裝外部元件（1 個(gè) MLCC 電感器、
  2 個(gè)陶瓷電容器）
• 完整的 1 mm 以下元件輪廓解決方案
• 總解決方案尺寸 <13 mm^2^
• 采用 9 引腳 NanoFree （CSP） 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

TPS62650-Q1 是一款由 Texas Instruments 生產(chǎn)的 800mA、6MHz 高效率同步降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器，專為電池供電的便攜式應(yīng)用設(shè)計(jì)。該轉(zhuǎn)換器具有 I2C 兼容接口，支持動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整，適用于智能手機(jī)、微處理器核心供電等場(chǎng)景。

2. 主要特性

• ?高效率?：在 6MHz 操作下可達(dá) 86%
• ?小封裝?：采用 9 引腳 NanoFree? (CSP) 封裝，總解決方案尺寸小于 13mm2
• ?寬輸入電壓范圍?：2.3V 至 5.5V
• ?輸出電壓可調(diào)?：通過(guò) I2C 接口或 VSEL 引腳在 0.75V 至 1.4375V 范圍內(nèi)調(diào)整
• ?低靜態(tài)電流?：38μA（典型值）
• ?自動(dòng) PFM/PWM 模式切換?：根據(jù)負(fù)載電流自動(dòng)切換工作模式以優(yōu)化效率
• ?I2C 接口?：支持標(biāo)準(zhǔn)、快速及高速模式，最高傳輸速率可達(dá) 3.4Mbps

3. 功能描述

3.1 PFM/PWM 模式切換

• 在重載條件下，TPS62650-Q1 以 6MHz 的固定頻率 PWM 模式工作。
• 在輕載條件下，自動(dòng)切換到 PFM 模式以降低靜態(tài)電流并提高效率。

3.2 I2C 接口

• 通過(guò) I2C 接口可以動(dòng)態(tài)調(diào)整輸出電壓，設(shè)置工作模式（PFM/PWM 或強(qiáng)制 PWM），以及監(jiān)控電源狀態(tài)。
• I2C 接口支持標(biāo)準(zhǔn)、快速、快速+和高速模式，兼容性好，傳輸速率高。

3.3 保護(hù)功能

• ?過(guò)流保護(hù)?：集成 P-通道 MOSFET 電流限制，防止短路和過(guò)載。
• ?熱關(guān)斷?：當(dāng)結(jié)溫超過(guò) 140°C 時(shí)自動(dòng)關(guān)斷以保護(hù)芯片。
• ?欠壓鎖定?：防止在低輸入電壓下誤操作。

3.4 軟啟動(dòng)

• 內(nèi)置軟啟動(dòng)電路，限制啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流，保護(hù)輸入電源和負(fù)載。

4. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 智能手機(jī)和平板電腦
• 微處理器和 DSP 核心供電
• 便攜式醫(yī)療設(shè)備
• 任何需要高效率、小尺寸 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的電池供電應(yīng)用

5. 設(shè)計(jì)指南

文檔提供了詳細(xì)的設(shè)計(jì)指南，包括：

• ?電感選擇?：推薦電感值范圍為 0.3μH 至 1.3μH，具體值需根據(jù)輸出電流和紋波要求確定。
• ?輸出電容選擇?：推薦使用低 ESR 的陶瓷電容，容值范圍為 4.7μF 至 10μF。
• ?布局考慮?：強(qiáng)調(diào)輸入電容、電感和輸出電容應(yīng)盡可能靠近 IC 引腳，以減少寄生電感和電阻。
• ?I2C 接口設(shè)計(jì)?：提供了 I2C 總線布局和布線指南，以確保通信可靠性。

6. 封裝與訂購(gòu)信息

TPS62650-Q1 提供 9 引腳 CSP 封裝（YFF），具體封裝類型和可訂購(gòu)信息請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)中的“封裝選項(xiàng)附錄”部分。

7. 注意事項(xiàng)

• 在設(shè)計(jì)過(guò)程中，應(yīng)仔細(xì)選擇合適的電感、電容和布局方案，以確保電路的穩(wěn)定性和性能。
• 使用 I2C 接口進(jìn)行編程和監(jiān)控時(shí)，應(yīng)遵循 I2C 總線規(guī)范，確保通信正常。
• 在高溫或高功率應(yīng)用場(chǎng)合，應(yīng)注意散熱設(shè)計(jì)，以防止芯片過(guò)熱損壞。