TPS54519 器件是一款功能齊全的 6 V、5 A 同步降壓電流模式轉(zhuǎn)換器，帶有兩個(gè)集成 MOSFET。

該 TPS54519 通過集成 MOSFET 實(shí)現(xiàn)小型設(shè)計(jì)，實(shí)施電流模式控制以減少外部元件數(shù)量，通過實(shí)現(xiàn)高達(dá) 2 MHz 的開關(guān)頻率來減小電感器尺寸，并通過小型 3mm × 3mm 熱增強(qiáng)型 QFN 封裝最大限度地減少 IC 尺寸。

通過集成的 30mΩ MOSFET 和 350μA 典型電源電流，效率最大化。使用使能引腳，進(jìn)入關(guān)斷模式后，關(guān)斷電源電流降至 2 μA。
*附件：tps54519.pdf

欠壓鎖定在內(nèi)部設(shè)置為 2.6 V，但可以通過在使能引腳上使用電阻網(wǎng)絡(luò)對(duì)閾值進(jìn)行編程來提高。輸出電壓啟動(dòng)斜坡由慢速啟動(dòng)引腳控制。開漏電源良好信號(hào)指示輸出在其標(biāo)稱電壓的 93% 至 107% 范圍內(nèi)。

頻率折返和熱關(guān)斷可在過流情況下保護(hù)器件。

特性

• 兩個(gè) 30mΩ（典型值）MOSFET，可在 5A 負(fù)載下實(shí)現(xiàn)高效率
• 200kHz 至 2MHz 開關(guān)頻率
• 0.6 V 電壓基準(zhǔn)，初始精度± 1%
• 可調(diào)慢啟動(dòng)/排序
• UV 和 OV 電源良好輸出
• 低工作和關(guān)斷靜態(tài)電流
• 安全啟動(dòng)至預(yù)偏置輸出
• 逐周期電流限制、熱保護(hù)和頻率
  折返保護(hù)
• –40°C 至 140°C 工作結(jié)
  溫范圍
• 耐熱性能增強(qiáng)型 3mm × 3mm 16 引腳 QFN 封裝

參數(shù)

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPS54519
• ?類型?：2.95V至6V輸入，5A同步降壓SWIFT?轉(zhuǎn)換器
• ?特點(diǎn)?：高效率、集成MOSFET、寬開關(guān)頻率范圍、熱關(guān)斷保護(hù)、過流保護(hù)、可調(diào)軟啟動(dòng)

二、主要特性

• ?輸入電壓范圍?：2.95V至6V
• ?輸出電壓范圍?：0.6V至輸入電壓減去內(nèi)部壓降
• ?輸出電流?：最大5A
• ?開關(guān)頻率?：200kHz至2MHz可調(diào)
• ?封裝?：3mm x 3mm 16引腳QFN封裝
• ?工作溫度范圍?：-40°C至140°C

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• ?低電壓、高密度電源系統(tǒng)?
• ?高性能DSP、FPGA、ASIC和微處理器的點(diǎn)負(fù)載調(diào)節(jié)?
• ?寬帶、網(wǎng)絡(luò)和光通信基礎(chǔ)設(shè)施?

四、功能描述

• ?集成MOSFET?：內(nèi)置兩個(gè)30mΩ（典型值）MOSFET，提高同步降壓轉(zhuǎn)換效率
• ?寬開關(guān)頻率范圍?：允許通過選擇合適的開關(guān)頻率來優(yōu)化效率和尺寸
• ?熱增強(qiáng)封裝?：提供良好的熱性能，支持高功率密度設(shè)計(jì)
• ?安全啟動(dòng)?：支持預(yù)偏置輸出的安全啟動(dòng)
• ?過流保護(hù)?：逐周期電流限制，防止過流損壞
• ?熱關(guān)斷?：超過155°C時(shí)自動(dòng)關(guān)斷，保護(hù)芯片免受過熱損害

五、電氣特性

• ?電壓參考?：0.6V，±1%初始準(zhǔn)確度
• ?靜態(tài)電流?：典型值455μA（無負(fù)載），關(guān)機(jī)狀態(tài)下低至5μA
• ?使能閾值?：上升沿1.25V，下降沿1.18V
• ?電流限制?：6A至8A可調(diào)
• ?軟啟動(dòng)時(shí)間?：通過外部電容可調(diào)

六、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：3mm x 3mm 16引腳QFN封裝（RTE）
• ?訂購信息?：提供多種封裝選項(xiàng)和數(shù)量選擇，具體見數(shù)據(jù)手冊(cè)中的訂購信息部分

七、設(shè)計(jì)指南

• ?輸出電壓設(shè)置?：通過電阻分壓器設(shè)置，推薦使用1%或更好精度的電阻
• ?輸出電感選擇?：根據(jù)輸出電流和紋波要求選擇合適的電感值
• ?輸出電容選擇?：滿足負(fù)載瞬態(tài)和輸出紋波要求，推薦使用陶瓷電容
• ?輸入電容選擇?：至少4.7μF的陶瓷電容，以穩(wěn)定輸入電壓
• ?自舉電容?：0.1μF陶瓷電容，提供高側(cè)MOSFET的門極驅(qū)動(dòng)電壓
• ?軟啟動(dòng)電容?：根據(jù)所需的軟啟動(dòng)時(shí)間選擇電容值

八、布局考慮

• ?功率路徑?：將VIN、VOUT和PH引腳的走線放在頂層，以減小環(huán)路面積
• ?地平面?：頂層大面積鋪地，并通過過孔與內(nèi)層地平面連接，提供良好的熱路徑
• ?高頻信號(hào)路徑?：如輸入旁路電容和輸出濾波電容的連接，應(yīng)盡量減小環(huán)路面積
• ?熱管理?：通過過孔將暴露的熱焊盤與地平面連接，以增強(qiáng)散熱效果