32.768kHz晶振電容匹配指南

選擇32.768kHz晶振的電容大小是一個(gè)關(guān)鍵的考慮因素，它直接影響到晶振的穩(wěn)定性和性能。在選擇電容時(shí)，我們需要充分考慮晶振的電氣參數(shù)、電路板的設(shè)計(jì)以及雜散電容的影響。

核心公式與原理如下：

負(fù)載電容計(jì)算公式

CL = (C1×C2)/(C1+C2) + Cs

C1/C2：對(duì)稱外接電容；Cs：雜散電容（2～5pF）。

示例：CL=12.5pF且Cs=3pF時(shí)，C1=C2≈19pF（優(yōu)選18pF/22pF后微調(diào)）。

然而，不同的電路板設(shè)計(jì)會(huì)產(chǎn)生不同的雜散電容值，因此在實(shí)際應(yīng)用中還需要根據(jù)具體情況進(jìn)行調(diào)整。通過調(diào)整外接電容的大小，我們可以找到使晶振處于最佳工作狀態(tài)的電容值。

這就需要我們用專業(yè)的設(shè)備對(duì)晶振單體測(cè)試，對(duì)晶振上板測(cè)試，從而找到板子最佳的匹配電容，以獲得最佳的工作效果。

華昕晶振設(shè)有專門的實(shí)驗(yàn)室，在項(xiàng)目階段可以幫助客戶完成晶體在板上的匹配實(shí)驗(yàn)，可以出具完整的測(cè)試匹配報(bào)告，可免費(fèi)提供樣品測(cè)試。