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本系列文章的第 1 部分至第 5 部分中，介紹了抑制傳導和輻射電磁干擾 (EMI) 的實用指南和示例，尤其是針對采用單片集成功率 MOSFET 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器解決方案進行了詳細介紹。在此基礎(chǔ)上，本文繼續(xù)探討使用控制器驅(qū)動分立式高、低側(cè)功率 MOSFET 對的 DC/DC 穩(wěn)壓器電路適用的 EMI 的抑制技術(shù)。使用控制器（例如圖 1 所示同步降壓穩(wěn)壓器電路中的控制器）的實現(xiàn)方案具有諸多優(yōu)點，包括能夠增強電流性能，改善散熱性能，以及提高設(shè)計選擇、元器件選型和所實現(xiàn)功能的靈活性。
圖 1：驅(qū)動功率 MOSFET Q1 和 Q2 的同步降壓控制器的原理圖
然而，從 EMI 角度來看，采用分立式 FET 的控制器解決方案與采用集成 FET 的轉(zhuǎn)換器相比，更具挑戰(zhàn)性。主要有兩方面的考量因素。首先，在緊湊性方面，采用 MOSFET 和控制器的功率級的印刷電路板 (PCB) 布局比不上采用優(yōu)化引腳布局和內(nèi)部柵極驅(qū)動器的功率轉(zhuǎn)換器集成電路…
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