在國家持續(xù)加大對集成電路產業(yè)扶持力度的背景下，我國芯片設計行業(yè)呈現(xiàn)快速發(fā)展態(tài)勢。由上海市“千人計劃”專家黃風義博士創(chuàng)辦的愛斯泰克（上海）高頻通訊技術有限公司近日發(fā)布三款芯片，顯示本土企業(yè)在射頻收發(fā)系統(tǒng)集成電路芯片（RF SoC）設計開發(fā)方面取得重要進展。

據(jù)了解，三款自主設計并開發(fā)的核心芯片涵蓋寬頻帶、可重構及高寬帶等芯片，主要瞄準中高端應用的射頻芯片市場，可廣泛應用于第五代移動通訊（5G)、超高速無線物聯(lián)網、射頻傳感器、衛(wèi)星通信以及特種專用高寬帶通信、導航、雷達等系統(tǒng)。

其中兩款芯片以及場效應晶體管射頻模型技術，于今年4月經北京大學、中科院、中國電子科技集團有限公司等單位專家組成的專家組進行技術鑒定，顯示“成果達到國際先進水平”。其中的一款芯片近20項綜合性能指標測試結果與國際產品及文獻發(fā)表結果相比，5項指標接近國際一流水平，7項關鍵指標達到國際一流水平，7項關鍵指標優(yōu)于國際上已報道的最好水平。

據(jù)了解，此前黃風義團隊已在射頻芯片元件模型領域取得突破性進展。2006年，其針對電感等元件開創(chuàng)特征函數(shù)法用于電感模型參數(shù)提取和結構優(yōu)化，研究成果發(fā)表在國際集成電路領域權威期刊《固態(tài)電路雜志》（IEEE JSSC）及微電子領域權威期刊《電子器件快報》（IEEE EDL），并被中文核心期刊《科技導報》評選為2006年度“中國重大科學進展”。

在集成電路芯片應用最廣泛的場效應晶體管模型方面，黃風義團隊歷經10多年研究探索，于2016年底在深亞微米、超高速晶體管的射頻模型結構中發(fā)現(xiàn)了新的溝道效應，突破了被國際產業(yè)界沿用30多年的核心溝道單元。此項成果發(fā)表在《電子器件快報》。

作為信息產業(yè)的基礎，集成電路芯片技術處于當今國際高科技領域前沿。中國是全球最大芯片市場，但在相關領域起步較晚，絕大多數(shù)芯片仍依賴進口。海關總署統(tǒng)計顯示，2016年、2017年我國集成電路芯片進口總額均超過1萬億元人民幣，高于同期原油進口額。

針對這一狀況，2014年發(fā)布的《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》提出，到2020年集成電路產業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%，企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力大幅增強。移動智能終端、網絡通信、云計算、物聯(lián)網、大數(shù)據(jù)等重點領域的集成電路設計技術達到國際領先水平，產業(yè)生態(tài)體系初步形成。

在相關政策的扶持下，我國芯片產業(yè)快速成長，設計開發(fā)環(huán)節(jié)進步尤其顯著。半導體行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)顯示，2017年我國集成電路產業(yè)總銷售額為5411億元，其中設計業(yè)占比達到38%。

以上述愛斯泰克項目為例，相關技術和產品的成功研發(fā)，表明在高端射頻集成電路芯片設計及射頻元件模型兩大領域，我國部分前沿技術開發(fā)已接近國際先進水平。業(yè)界評價認為，移動通訊、雷達等射頻集成電路芯片實現(xiàn)自主化，可助力我國通信產業(yè)加快升級，推動5G布局步伐。