艾為推出SIM卡電平轉(zhuǎn)換產(chǎn)品AW39103，其憑借優(yōu)異的性能，成功通過高通平臺(tái)認(rèn)證，并獲得高通最高推薦等級(jí)(GOLD)。

圖1高通平臺(tái)認(rèn)證

隨著手機(jī)平臺(tái)處理器工藝向 4nm/3nm 演進(jìn)，其 I/O 電平已降至1.2V，而SIM卡 I/O 仍遵循ISO-7816-3標(biāo)準(zhǔn)，維持Class A/B/C 三檔5V/3V/1.8V（目前手機(jī)常用 3V/1.8V）。為解決平臺(tái)與 SIM卡的I/O電平兼容問題，艾為推出 SIM 卡電平轉(zhuǎn)換產(chǎn)品 AW39103，可高效實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換，保障通訊穩(wěn)定。

AW39103產(chǎn)品特性

AWINIC

主控Host端供電電壓范圍：1.08V~1.98V

SIM卡端供電電壓范圍：1.65V~3.6V

支持25MHz時(shí)鐘頻率

內(nèi)部集成EMI濾波器

內(nèi)部集成必要的上拉電阻和下拉電阻，無需額外的外部電阻

SIM卡端具有高于IEC61000-4-2最高等級(jí)的系統(tǒng)級(jí)ESD能力：接觸放電＞±8kV，空氣放電＞±15kV

符合所有ETSI、IMT-2000 和 ISO-7816-3接口要求

支持主控與SIM卡之間Clock、Data、Reset信號(hào)的自動(dòng)電平轉(zhuǎn)換

封裝：QFN 1.8mmx1.4mm-10L、FOWLP 1.06mmx1.06mm-9B

圖2 AW39103典型應(yīng)用圖

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產(chǎn)品特點(diǎn)一

符合ETSI、IMT-2000標(biāo)準(zhǔn)及ISO7816-3規(guī)范，可確保SIM卡的正常啟用與禁用操作。

AW39103集成三路電平轉(zhuǎn)換器，可對(duì)SIM卡的RST、CLK 及IO信號(hào)進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)SIM卡端口（1.8V/3V）與主芯片端口（1.2V/1.8V）的正常通訊。產(chǎn)品遵循 ISO-7816-3 標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)機(jī)時(shí)序要求：當(dāng)EN引腳置低時(shí)，先關(guān)閉 RST_SIM 通路啟動(dòng)關(guān)機(jī)流程，隨后CLK_SIM 和IO_SIM通路由內(nèi)部下拉電阻拉低，整個(gè)關(guān)機(jī)時(shí)序可在10μs內(nèi)完成，既能確保SIM卡正確禁用以降低功耗，也能在熱插拔場景中避免數(shù)據(jù)誤寫與損壞。

圖3 AW39103關(guān)斷時(shí)序

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產(chǎn)品特點(diǎn)二

SIM卡端具有強(qiáng)健的ESD防護(hù)能力，可省去外部ESD器件，簡化設(shè)計(jì)流程。

AW39103的SIM卡端具備強(qiáng)勁ESD防護(hù)能力，可滿足IEC 61000-4-2系統(tǒng)級(jí)ESD最高等級(jí)要求。傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中，工程師通常需額外增加或預(yù)留ESD防護(hù)器件以應(yīng)對(duì)ESD 事件；而采用AW39103后，因其SIM卡側(cè)已集成高等級(jí)系統(tǒng)級(jí)ESD防護(hù)，可直接省去外部ESD器件，簡化設(shè)計(jì)流程。

圖4 傳統(tǒng)平臺(tái)與先進(jìn)平臺(tái)設(shè)計(jì)對(duì)比

艾為在電平轉(zhuǎn)換產(chǎn)品領(lǐng)域擁有多年技術(shù)積累，全系列產(chǎn)品覆蓋消費(fèi)電子、工業(yè)互聯(lián)、汽車應(yīng)用等多元場景。詳細(xì)產(chǎn)品規(guī)格可參考下表：