圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負載開關(guān)、電池管理和無線充電器。

SGMNL12330 是一款 30V 耐壓的單 N 溝道功率 MOSFET，采用緊湊的 TDFN-2×2-6BL 封裝，專為高功率密度和高效能應(yīng)用而設(shè)計。該器件具有出色的電流處理能力，在 +25°C 環(huán)境下可提供高達 10A 的持續(xù)輸出電流，脈沖電流能力更達到 40A，滿足嚴苛的負載需求。其超低的導(dǎo)通電阻（典型值僅 9mΩ@VGS= 4.5V）顯著降低了功率損耗，使系統(tǒng)能效得到顯著提升。

該 MOSFET 在動態(tài)性能方面表現(xiàn)優(yōu)異，總柵極電荷（QG）低至 21.1nC，結(jié)合快速的開關(guān)特性（開啟延遲 10.9ns，關(guān)斷延遲 28.5ns），使其非常適合高頻 PWM 應(yīng)用場景。器件支持寬范圍的柵極驅(qū)動電壓（±12V），為設(shè)計提供了更大的靈活性。在熱管理方面，SGMNL12330 展現(xiàn)出卓越的可靠性，其工作結(jié)溫范圍覆蓋 -55°C 至 +150°C，并具備 67.3mJ 的雪崩能量耐受能力，確保在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運行。

SGMNL12330 特別適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的各類應(yīng)用，包括但不限于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)、無線充電模塊以及工業(yè)自動化設(shè)備。其小尺寸封裝（僅 2mm×2mm）為空間受限的設(shè)計提供了理想解決方案，同時符合 RoHS 及無鹵素環(huán)保標準。器件提供完善的保護功能，包括熱關(guān)斷和逐周期電流限制，為系統(tǒng)安全保駕護航。

圖 1 SGMNL12330 封裝引腳圖

圖 2 SGMNL12330 等效電路

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